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新标准控制器 效能最高提升 140%  Toshiba 发佈 15nm eMMC 及 UFS
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Toshiba 27 日公佈新一代 e-MMC 及 UFS 内嵌式晶片,採用 15nm 工艺製造,内建 e-MMC (JEDEC 版本 5.1) 及 UFS (JEDEC 版本 2.1 集成控制器技术,有效令读写速度最高提升达 140% 。最新的 UFS 控制器更採用 M-PHY 3.0 内核及数码 UniPro 1.6 内核,令控制器及 NAND 更配合,发挥更佳效能。

eMMC 及 UFS 主要将 NAND Flash 记忆体整合控制器成为单一封装,能有效节省内部空间,令设计人员能灵活运用内部架构进行产品轻量化。

同时,将主处理器对储存元件的处理负载转移至控制器中,包括: bad block management 、 error correction 、 wear leveling 及 garbage collection 等,能令处理器释出更多资源处理其他程序。
64层立体堆疊技术 容量大幅提升 Toshiba 发佈 BiCS FLASH 3D 记亿体
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Toshiba 宣佈推出新一代 BiCS FLASH 3D 堆疊式技术记忆体,其技术已可推堆疊高达 64 层,相对上代 48 层的记亿容量高出 1.4 倍,成为现时最高堆疊层数的记忆体,据官方表示,样版已陆续付运,并透露将即将完工的日本四日市新厂房中量产,相信很快于市场出现。

据 Toshiba 表示,最新记忆体採用 3-bit-per-cell (triple-level cell, TLC) ,并能达到 256Gb 容量,其相比以往的堆疊式记忆体更容量更大,而且成本下降,相比 48 层堆疊式记忆体,容量扩充 40% ,代表于每片晶圆上所提供的容量更大,意味日后产品的每 bit 即将下降。
功率加强两倍 达到有线充电效能 Toshiba 新无线充电技术
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Toshiba America Electronic Components (TAEC) 近日发佈最新无线充电技术研究,为加强无线充电技术的实际应用范畴, TAEC 积极将功能及效率加强,更以首个单一晶片无线充电收发器登场,引起市场关注,推动下代借能装置必备的无线充电技术进程。

TAEC 早前发佈的无线充电晶片型号为 TC7766WBG ,其採用符合主流的 Qi V1.2 标准制式,市场上备有三款主流无线充电标准,句括 A4WP 、 PMA 及 Qi , A4WP 以磁共震无线充电,而 PMA 及 Qi 则利用电磁感应式充电,现时 A4WP 及 PMA 已宣佈合作成为联盟,将两种不同技术进行整合。

同时, TAEC 最新推出的晶片主要加强电流输出及电压支援范围,其输出功率强化至 1.7A ,相对以往无线 Qi 充电的输出功率大大增强,直迫有线充电的充电效率。此外, 其电压亦能支援 5 - 14V 的范围并最大输出升级至 15W ,虽然规格上加强化了,但其尺吋保持跟上代一样。
主要硬件组合多达24组 处理器及ROM成关键 iPhone 6S/6S+ 硬件来自多家供应商
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Apple iPhone 6S/6S+ 近日烽烟四起,内建的 A9 SoC 处理器因由两家不同供应商提供,效能及功耗出现差异,令用家十分困扰,更指若非 TSMC A9 SoC 处理器的手机,将会作出更换。其实除了 A9 SoC 处理器外, iPhone 6S/6S+ 内部各零件均由多间供应商提供,内建的 NANA Flash 、 RAM 及屏幕亦各有不同,主要供应商包括 Micro 、 LG 、 Samsung 、 SK Hynix 、 Sharp 、 TSMC 及 Toshiba 。

A9 SoC 处理器方面,主要由 Samsung 及 TSMC 供应,两者生产的工艺制程有所不同, Samsung 以 14nm FinFET 制程生产,型号为「 APL0898 」,另外由 TSMC 生产的 A9 SoC 处理器则採用 16 FinFET 制程生产,但据用家或科技公司自行测试所得的结果显示,由 TSMC 所生产的 A9 处理器无论功耗或效能亦相对 Samsung 所生产的 A9 SoC 处理器较优。

此外,以上事件更受到 Apple 重视,罕见地发表声明指 iPhone 6S 或 6S+ 配搭的处理器所提供的性能确有不同,但同样符合 Apple 要求的生产标准。续称,每款 iPhone 手机的性能均会出现有限度而且轻微的性能差异,差异值约为 2%-3% 。
TOSHIBA量产QLC颗粒及BiCS NAND 三年内数据中心SSD产品可达128TB
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TOSHIBA 25 日宣佈正式量产基于 3D 堆疊技术的 BiCS NAND Flash 及自家研发的 QLC (Quad-Level Cell) ,全新的 NAND FLASH 技术可以进一步降低 SSD 储存容量成本,同时亦令 SSD 产品容量追上传统机械硬碟,预计三年内企业用 SSD 产品将会提升至 128TB 容量。

据了解, TOSHIBA 将会加速推动 SSD 容量发挥,传统 HDD 的储存容量优势不再,计划量产自家研发的 QLC (Quad-Level Cell) 及 BiCS 3D NAND Flash 堆疊技术,虽然 SSD 容量开始追上传统 HDD ,但写入寿命仍然是 NAND Flash 技术的主要问题,高容量企业用 SSD 主要用作应付大量读取的伺服器应用为主。
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