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Apple向Toshiba投资12亿美元 放弃Samsung  Toshiba手机面板
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由于 Samsumg 已成为 Apple 未来的重要竞争对手,因此 Apple 并不希望未来的 iOS 装置仍需要依赖 Samsung 的供给, 13 日对向宣佈与 Toshiba 合作投资 12 亿美元研发及生产 LCD ,下代 iPhone 及其他 iOS 装置,扩展厂房将设于本州石川县, Apple 未来将会进一步加大投资金额于 LCD 研发技术上。

据了解,合作投资公司为「 Toshiba Mobile Display Co. 」,将主力生产低温多晶硅显示屏,拥有高解析度显示效果,预计将于 2011 年下半年开始投产。

此举将大大打撃 Samsung 手机用 LCD 的需求量,据手机业者指出, Samsung 早前高调透露会把质素最高的 LCD 留给自家手机使用,令 Apple 感到十分不满,加上 Samsung 未来将会是 Apple 的最大竞争者之一, Apple 绝对需要有自己的 LCD 供应链。
行动电脑硬碟容量提升至750GB TOSHIBA两款高容量2.5吋硬碟
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为针对高容量储存应用, TOSHIBA 24 日宣佈将推出两款高容量 2.5 吋硬碟,型号分别为 MK7559GSXP 和 MK1059GSM ,前者厚度为 9.5mm ,但拥有 750GB 总容量,能适用于行动电之内;后者厚度则达到 12.5mm ,但拥有 1TB 容量,其中据 TOSHIBA 指出, MK7559GSXP 将会于 4 月份出货。

目前市面上行动电内建的 2.5 吋硬碟中以 640GB 容量为最高,不过此规格即将改写,全因 TOSHIBA 宣佈将推出型号为 MK7559GSXP ,拥有 750GB 总容量的双碟装 2.5 吋硬碟,令行动电脑的储存容量提升至更多空间。

TOSHIBA MK7559GSXP 2.5 吋硬碟为双碟装产品,採用无卤素工艺,其尺寸为 100.0×69.85×9.5mm ,硬碟总容量达 750GB ,储存面密度为 839.1Mb/mm
SanDisk、Toshiba推出X4快闪记忆体 採用43nm制程  09年上半年投产
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Sandisk 宣佈即将大量生产採用 4-Bits-Per Cell (X4) 技术的 MLC 快闪记忆体,採用 43nm 制程支援单颗 64Gb 容量,採用 X4 技术的 MLC 快闪记忆体,内建 X4 记忆体晶片及 X4 控制器晶片,共同结合于多晶片记忆体模组 (Memory Multi-Chip Package ,简称 MCP) 内,抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB ,将是是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒, 2009 年上半年正式投产。

SanDisk 一直与 Toshiba 合作发展及生产先进的快闪记忆体,今次将共同在 43nm 面积上研发 64Gb X4 快闪记忆体技术,此崭新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒,并于今年投入生产,抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 专利的 All –Bit-Line ( 简称 ABL) 架构及最近面世的三步程式 (three-step programming ,简称 TSP) 及顺序意式概念 (sequential sense concept ,简称 SSC) 乃是 X4 超卓表现的主要元素。

此外, SanDisk 发展多项先进系统管理的创新应用程式,以解决 4-bits-per-cell 的繁杂技术所带来的问题。由 SanDisk 研发及拥有的 X4 控 制器,利用首个专为储存系统而设的改错码 (error correcting code ,简称 ECC) ,并支援 4-bits-per-cell 所需的 16 层分配模式。
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