据外媒报导，Toshiba 位于日本三重县的四日市工厂在日前发生电力故障，一些生产线已关闭，考虑到 Toshiba 在该市拥有多个工厂，此次的停电风波对于 Toshiba 的影响备受业界关注。

根据日媒报导，Toshiba 的 NAND Flash 工厂于当地时间 6 月 15 日下午 6 点 25 分发生断电事故，停电过程非常短，13 分钟之后电力就恢复了，不过工厂却一直停产，直到 21 日上午才恢复，至少停工了 5 天时间。

Toshiba 发言人解释称，通常情况下，一旦半导体工厂停产，需要几天到几週才能恢复运行并稳定其质量。

在过几多 NAND FLASH 的技术不断急速发展，将更多的Cells整及在同一包装内以实现更大的储存容量，同时并拥有低功耗及更高的性能，Toshiba 继去年 9 月宣佈96 层 BiCS FLASH 样品已出货后，最新再公人佈与其战略合作伙伴Western Digital几乎完成了最新的迭代：128层3D NAND，并称之为「BiCS-5」，预计最快可于2020 - 2021年实现商业化生产。

在一年前，NAND FLASH产品已经来到48层及64层堆疊技术，到 2019 年更会有 96 层堆疊的产品开始量产，至于下一代的 128 层堆疊亦准备要来，Toshiba与Western Digital合作正在积极开发「BiCS-5」NAND Flash，相比 96 层的「BiCS-4」，新技术额外多出的32层，能够轻鬆将容量提升 1/3，并可大幅降低製造同等容量终端产品的成本。

据了解，全新的「BiCS-5」NAND Flash逻辑电路层在晶片的底部，而数据层则堆疊在上方，採用了阵列下电路（CuA）设计与非CuA技术相比可把晶片尺寸缩小15%。消息指全新的128层堆疊 3D NAND 採用了TLC设计，储存密度接近96层堆疊的3D QLC，与96 层的BiCS-4 相比，BiCS-5 可让模具总体缩小23%，密度亦相较96层堆疊3D TLC提升了29.8%。

现时多媒体影音娱乐的需求不断增加，手机内建的储存容量亦成为用家购买时考虑的一个重要因素，Toshiba 最新就宣佈已启动业界首款符合通用快闪记忆体 (UFS) Ver.3.0 标准的嵌入式快闪记忆体设备的样品出货，新系列产品採用 Toshiba 96 层 BiCS FLASH 3D快闪记忆体，提供 128GB、256GB 和 512GB 三种储存容量，具备高速读取和写入效能及低功耗特点，适用于行动装置、智慧手机、平板电脑和扩增/虚拟实境系统等应用领域。

Toshiba 指出，旗下首款 UFS Ver.3.0 标准的嵌入式快闪记忆体设备在符合 JEDEC 标准的 11.5 x 13mm 封装中整合了 96 层 BiCS FLASH 3D 快闪记忆体和控制器，该控制器执行错误校正、耗损均衡、逻辑位址向实体位址的转换以及瑕疵区块管理等功能，便于简化系统开发。

全新UFS Ver.3.0快闪记忆体备有 128GB、256GB 及 512GB 三款容量，同样符合 JEDEC UFS Ver.3.0 标准，包含 HS-GEAR4，每个通道理论介面速度最高可达11.6Gbps（2 通道=23.2Gbps），双通道那就是 23.2Gbps，换算一下即 2.9GB/s，同时具备抑制功耗增加功能 ，512GB 容量的循顺读取和写入效能分别比上一代设备提高了约 70%和 80%。

Toshiba Memory Corporation 东芝记忆体公司与 Western Digital 今日共同于日本三重县四日市的 6 号晶圆厂 (Fab 6) 举行开幕仪式，该晶圆厂为新设先进半导体製造厂区，并设有记忆体研发中心 (Memory R&D Center)。

Toshiba 于 2017 年 2 月开始兴建 6 号晶圆厂，作为生产 3D NAND Flash ( 快闪记忆体 ) 的专用厂区。Toshiba 与 Western Digital 已针对沉积 (deposition) 与蚀刻 (etching) 等关键生产製程部署先进製造设备。新晶圆厂在本月初已开始量产 96 层 3D NAND Flash。

3D NAND Flash 在企业伺服器、数据中心及智能手机的需求不断增加，未来几年这些需求将持续扩大；为因应此市场趋势，可望进一步投资扩大产能。

上週 Toshiba 才刚刚公佈成功开发了 96 层 3D QLC BiCS FLASH 的原型样品，在单个晶片中可以达到 1.33 Terabits ( 166GB ) ，单一封装 16-Die 能实现 2.66TB 储存容量，可谓业界暂时的最高水平，可惜的是 Toshiba 首先会将这技术用于企业级产品之上，消费用户还需要一段时间才可以享受到。在 3D TLC 产品方面，Toshiba 最新宣佈推出市场首款基于 96 层 3D TLC BiCS FLASH 储存器的 SSD「XG6」，最高提供 1TB 储存容量，连续读取和写入速度高达 3,180MB/s 及 2,960 MB/s，主要针对客户端 PC、高性能移动设备、游戏领域及嵌入式系统。

Toshiba 全新「XG6」SSD 属于「XG5」NVMe SSD 的更新产品，採用 96 层 3D TLC BiCS FLASH，Toshiba 表示，与採用 64 层堆栈 3D TLC 的「XG5」产品相比，新型的 SSD 每单位晶片尺寸增加了约 40%，同时连续读写及随机性能亦达到顶级的水平。

「XG6」SSD 採用 M.2-2280 Form Factor 设计、PCI-Express 3.0 x4 连接介面，支援 NVMe 1.3a 协议，备有 256GB、512GB 及 1024GB 三种容量选择（单面 PCB 佈局），根据官方的资料，「XG6」系列 SSD 的可提供高达 3,180 MB/s 连续读取速度、写入速度高达 2,960 MB/s，在 4K 随机读写方面，最高可达 355,000 IOPS 读取速度、365,000 IOPS 写入速度。