Toshiba 在过去几年一直在使用其 BiCS Flash 技术持续取得进步，最新宣佈已成功开发了 96-Layer BiCS FLASH 的原型样品，不仅将堆疊层数增加到 96-Layer 製程，而且採用了 4 bit/cell 的 QLC 技术，将单晶片记忆体容量提升到最高水平，最快在 9 月初开始向 SSD 和 SSD 控制器製造商提供样品进行评估，预计于 2019 年开始量产。

Toshiba目前已量产64 层堆疊技术的 3D NAND 产品，最新的96 层 3D QLC NAND Flash与 64 层产品相比，每单位面积的记忆容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。QLC 技术的优势在于将每个储存单元的数据位数由每单元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每单元 4 位元(4bit/per cell)，将有助显着地扩展产品的储存容量。

根据 Toshiba 的官方说法，原型 96 层 3D QLC BiCS Flash 在单个晶片中可以达到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量，该产品还在採用单一封装的 16 晶片堆疊式结构中实现了无与伦比的 2.66TB 储存容量。随着 SNS 的普及和物联网的进步，移动终端等产生大量的数据，并预计实时分析及利用该数据的需求将急剧增加，因此，需要速度快于 HDD 且存储容量更大的存储器，而使用 96 层工艺技术的 QLC 产品即是一种解决方案。

Toshiba 日前宣佈旗下 RCMS 系列的全新「OCZ RC100」NVMe M.2 SSD 正式上市，在今年初举行的 CES 2018 上首次展示的新款「RC100」系列将会面向零售 DIY 市场，拥有功能强大及高效能的特点，新产品分别提供 120GB、240GB 及 480GB 容量，非常适用于所有主流运算领域，包括游戏台式机、笔记本电脑及 NUC 迷你电脑等产品之上。

全的「OCZ RC100」系列 NVMe M.2 SSD 採用了 Toshiba 先进的 64 层 3-bit-per-cell TLC BiCS FLASH 技术，搭配自家开发的控制器，能够让整个 SSD 封装在单一的 BGA 内。RC100 系列在成本及性能之间作出了平衡，弥补SATA及发烧级NVMe SSD 之间的差距，紧凑的设计使 RC100 能够安装到 M.2 2242 ( 22 x 42mm ) 尺寸的 PCB 上，使其成为市场上最小的 SSD 之一。

Toshiba 在今日宣佈推出新型 MQ04 系列 2TB 硬盘，型号为「MQ04ABD200」，专为笔记本电脑、All-in-One、超薄台式机等需要高性能 2.5" 储存装置的系统而生，英寸移动级耐用性，新的MQ04 2TB型号在空间高效的设计中提供了卓越的价值及容量。

Toshiba 全新「MQ04ABD200」双磁盘型号採用 2.5" 设计、9.5mm厚度，提供最高 2TB 的储存容量，该驱动器支援 6 Gbit/s SATA 接口、5,400 rpm 转速，拥有 128 MB 大容量缓衝区使得最大传输速率提高了 34%，与 Toshiba 此前的「MQ01ABD100」1TB 储存装置相比，降低了 50% 的功耗。

Toshiba 最新宣佈在 CES 2018 期间将推出新一代 NVMe SSD RC100 系列 SSD，全新 RC100 系列性能上优于目前市场上佔比最高的 SATA 固态硬盘，新款固态硬碟将主攻 DIY 製造商和 PC 玩家群体，此外 Toshiba 亦会展示新款的 XS700 及其他应用 BiCS FLASH 3D 储存器的产品。

全新 Toshiba RC100 M.2 NVMe SSD 以小巧外形设计，尺寸为 22mm x 42mm，拥有低功耗、出色的性能表现，并将会在 CES 2018 大会上首次亮相。同时，亦将会在 CES 2018 展示包括 96 层 512Gb 晶片、业界第一款採用四级单元 ( QLC ) 技术的 Flash Memory 及 TSV 硅通孔技术的产品。TMA的BiCS FLASH 已经能够支持当今的企业，数据中心，PC和移动应用，为未来的应用铺平了道路。

身为垂直堆疊的 3D 快闪记忆体，BiCS FLASH 的颗粒密度远远胜过前一代的平面记忆体。此外，BiCS FLASH 更优化了电路技术及製程，继续微缩了晶片尺寸。96 层 BiCS FLASH 的单位面积储存空间，已达 64 层 BiCS FLASH 的 1.4 倍。

Toshiba 与 WD 在 2017 年经历长时间的法律诉讼及合资争议后，已于 2017 年 12 月 13 日达成和解，双方延展合资关係至 2029 年，并确保 WD 在 Fab6 中能够参与投资，延续在 96 层以后 3D-NAND Flash 的竞争门票。Toshiba 随即 在 12 月 21 日宣布 Fab 7 兴建计画，TrendForce 记忆体储存研究 ( DRAMeXchange ) 指出，随着 Toshiba、Samsung、Intel、Yangtze 长江存储等都将扩增 NAND Flash 产能，对 NAND Flash 产业的影响将在 2019 年转趋明显，并使得整体产业可望呈现供过于求状况。

DRAMeXchange 指出，Toshiba Fab 7 有别于以往厂房集中于四日市，厂址改设在岩手县北上市，该厂投入量产的时程将落在 2019 年下半年后，主要投产 96 层以上的 3D-NAND Flash，对整体产出真正产生影响的时间点将落在 2020年。

综观 2018 到 2020 年 NAND Flash 扩产趋势，DRAMeXchange 指出，各个阵营皆可说是磨刀霍霍，除 Toshiba 刚宣布新建的 Fab 7 以及已兴建中的 Fab 6 以外，备受各界关注的 Yangtze 长江存储位于武汉未来城的生产基地也预计于 2018 年下半年开始营运，初期投产 32 层的 3D-NAND Flash 产品，并致力 64 层产品的开发，以拉近与其他供应商之间的差距。