为了满足追求高容量的消费级用家， Samsung 悄然在旗下的记忆体阵容中加了 32GB UDIMM 无缓衝 DDR4 记忆体模组，全新的32GB UDIMM DDR4 记忆体採用 Samsung 10nm 工艺打造，由 16 颗 DDR4 记忆体颗粒组成，时脉为 2666MHz，用家在日后就可以在高阶平台上实现 128GB、甚至 256GB 系统记忆体。

Samsung 全新 32GB UDIMM DDR4 记忆体是基于今年较早时候发佈的 16 Gb 晶片，并已经用于生产 32GB SO-DIMM及64 GB RDIMM 记忆体产品，有别于高容量的记忆体主要为伺服器系统而生，这款32 GB UDIMM DDR4记忆体属于 UDIMM 无缓衝、无 ECC、无 Registered 的记忆体模组，正正是针对消费级桌面 PC 平台。

Samsung 指出，编号为「M378A4G43MB1-CTD」的单条 32GB UDIMM DDR4 记忆体适用于各种应用，可在满足低功耗要求的同时提供出色性能，该记忆体採用了採用了 16颗 Samsung M-die 16Gb ( 2GB ) DDR4 记忆体颗粒，组成 32GB 容量，在标准 1.2 V 电压下提供 DDR4-2666 MHz 时脉，官方未有公佈记忆体的时序，但估计将使用了 DDR4-2666 的标准 JEDEC 时序 CL17 或更高，Samsung 表示使用 16Gb 颗粒的记忆体模块会比使用 8Gb 颗粒的同容量记忆体更为节能。

Samsung 最新宣佈推出基于 NVMe 的便携式 SSD 固态硬盘「X5」，是首款 Samsung SSD 产品基于尖端的 Thunderbolt 3 技术，「X5 SSD」为外部储存解决方案实现了更高水平的性能及可靠性，在紧凑和耐用的外形中具有出色的速度，使其成为移动内容创作者和 IT 专业人士的理想便携式储存装置，以便更快地传输大数据文件，从而节省用户的宝贵时间。

Samsung 全新「X5 SSD」特别为需要快速便捷的储存及数据传输的用家而设，整体尺寸为 119 x 62 x 19.77mm，重量约 150g，备有 500GB、1TB、2TB 储存容量。「X5 SSD」灵感来自超级跑车，外壳以全金属打造，正面採用了银黑色镜面设计，侧面的接口及底部就用上鲜红色，设计富有时尚感。

「X5 SSD」首次支援 NVMe 协议并配备 Thunderbolt 3 高速接口，兼容配备 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 设备，读写速度最高可达 2,800 MB/s、2,300 MB/s，是 SATA 接口移动 SSD 的 5.2 倍、普通移动硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍传输速度，只需 12 秒即可将 20GB 4K UHD 视频从 PC 传输到 X5。

相信大家都非常期待 NVIDIA 下星期推出的新一代绘图卡产品，新产品除了很大机会採用全新架构之外，有消息亦指将会内建新的 GDDR6 记忆体，明显较 GTX10 系列升级不少，在揭晓新游戏绘图卡之前，NVIDIA 就率先发佈全新专业级绘图卡 Quadro RTX GPU 系列，就正正採用了由 Samsung 提供的 GDDR6 记忆体，Samsung 新一代的 16Gb GDDR6 记忆体比上代 20nm 8Gb GDDR5 的设备容量翻了一番，传输速率可达 56GB/s，并提供快 75% 的传送速度。

Samsung 最新宣佈正为 NVIDIA 全新 Quadro RTX GPU 提供 GDDR6 记忆体，得益于 Samsung 业界领先的 16Gb GDDR6 记忆体用户可以在最广泛的图形密集型应用程式中获得更高的效能，包括运算机辅助设计（CAD）、数字内容创建（DCC）和科学可视化应用程式，Samsung 16Gb GDDR6 还可用于快速发展的领域，如 8K 超高清视频处理、VR 虚拟实境、AR 增强实境及 AI 人工智能等领域。

据 Samsung 资料指出，全新 16Gb 容量的 GDDR6 是现时首款可用于的图形市场的记忆体，採用 Samsung 10nm 级工艺技术，比上代 20nm 8Gb GDDR5 记忆体容量增加了一倍，新解决方案的速度为 14Gbps，数据传输速率为 56 GB/s，与 8Gb GDDR5 相比速度提升了 75%。此外，Samsung GDDR6 的功耗比 GDDR5 图形解决方案低 35%。採用最先进的低功耗电路设计，Samsung 16Gb GDDR6 的工作电压为 1.35V，而目前市场上常见的 GDDR5 功耗的电压为 1.55V。

这过去的两年时间，DRAM、NAND Flash 价格持续飙升，两大行业的晶片厂赚得盆满钵满，即使在 2018 年 NAND Flash 有降价的迹象，但是市场需求持续异常旺盛，DRAM 更不用说。根据市调机构IC Insight的最新报告，2018 年全球 DRAM 记忆体晶片产业总价值预计将达 1016 亿美元，将是历史上首次单个领域的 IC 产业价值突破 1000 亿美元大关，NAND 行业产值有望达到 626 亿美元。

IC Insights 日前发佈的《The McClean Report》报告中分析及预测了全球 IC 晶片产业的情况，在 2018 年全球前 DRAM 产业总价值预计将达 1016 亿美元，年增幅高达 39%，蝉联今年的冠军，佔全年整个IC行业的多达 24%。NAND Flash 行业排名第二，产值有望达到 626 亿美元，与 DRAM 行业合计 428 亿美元，佔全产业的 38% 之多。

第三位的则是标准 PC、伺服器微处理器，市场价值为 507.8 亿美元，年增幅仅 5%。即便如此，也是该行业连续两年创造新高了。之后是运算晶片、无线通讯晶片，分别为 276、160 亿美元左右。

继日前在网上洩露 Intel 将会推出採用 QLC 技术的消费级「 SSD 660p 」产品后，Samsung 最新亦宣佈将会带来基于 QLC V-NAND 记忆体的消费级 SSD，採用 1 Tb 64-layer QLC V-NAND flash，容量最高可达 4TB，适用于具有SATA接口的主流 PC 系统。

Samsung 全新 QLC SSD 基于 1 Tb 64 层 QLC V-NAND Flash，备有 1TB、2TB 及 4TB 容量选择，最多可支援 32 个 NAND 晶片。全新的 QLC SSD 採用 2.5 吋、7mm 厚度，与具有 SATA 连接器的台式机及笔记本电脑兼容，Samsung 表示将会在今年稍后时间推出基于 QLC V-NAND 记忆体的 M.2 固态硬盘。

传输速度方面，全新的 Samsung QLC SSD 在启用 TurboWrite SLC Cache 缓存技术下，可以提供高达 540 MB/s 的连续读取速度以及高达 520 MB/s 的连续写入速度，4K 随机 I/O 速度则未有提供。