全球半导体专利战不断升温，在昨日才刚刚报导 Micron 在中国侵权诉讼败诉，最新由“韩国时报”的报导指出，韩国 DRAM 巨头 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中国公司窃取 DRAM 研发的先进技术，该中国公司试图侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的专利，企图藉此获取先进的技术知识。

“韩国时报” 获得内部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成为中国储存晶片製造商的工业间谍目标，并企图窃取两大韩国 DRAM 巨头的重要研发技术及知识产权。在半导体领域，专利对公司的成本结构由关重要，因此必须保护他们花费数十年建设的专利成果。

目前发展 DRAM 的三大厂分别是韩国的 Samsung、 SK-Hynix 和美国的 Micron，因为专利技术门槛高，三大厂死守技术。为了发展 DRAM 和 NAND Flash 技术，中国大陆更到台湾挖角人才，早前紫光集团更因为以 3-5 倍的薪资挖角 10 位台湾高级工程师，陷入窃取商业机密的嫌疑，紫光也针对这个事件发表声明。

为了保持在高性能运算领域的领先地位，Samsung 最新宣佈将会 ARM 合作将拓展 7/5nm FinFET 工艺技术，基于 7nm LPP 工艺下构建 ARM Cortex-A76 晶片组，预计 CPU 时脉速度超过3 GHz +，未来亦会转向 5nm LPE 工艺。

Samsung的7LPP工艺技术将在2018年下半年初步生产，第一款 EUV 极紫外光刻工艺技术及其关键IP正在开发中，预计将于2019年上半年完成。由于7LPP工艺技术的创新，Samsung 的5LPE技术将实现更大的面积扩展及超低功耗优势。

ARM称，7nm 的 Cortex-A76时脉速度超过3 GHz +，比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度，电力使用量可下降多达 40%。ARM 将 Cortex-A76 称为“笔记本级” 处理器，可用于更强大的设备，而不仅仅是手机之上。

Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ，新型的 8TB NVMe NF1 SSD 针对下一代数据中心和企业伺服器系统而设，并特别为数据密集型分析及虚拟化应用进行了优化，预计可提高数据中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 颗 Samsung 512-GB NAND 封装，每颗都堆疊在 16 层 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上，实现了 8TB 容量、并以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸设计，相比起以往用于超大型伺服器及超薄笔记本电脑常用的 M.2 NVMe SSD 提供多两倍的容量，NF1 SSD 有望取代传统的2.5吋NVMe SSD，为现有伺服器基础架构系统提高三倍密度，从而在最新的 2U 机架伺服器中实现了前所未有的 576TB 容量储存空间。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器，支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口，可实现 3,100 MB/s 的连续读取速度和 2,000MB/s 的写入速度，这些速度分别是典型 SATA SSD 的五倍和三倍，随机读取速度为 500,000 IOPS、写入为50,000IOPS，利用新的 NF1 储存解决方案，企业伺服器系统可以在2U机架空间内执行超过 100 万 IOPS，该 SSD 还包括一个 12GB LPDDR4 DRAM，以实现更快、更节能的数据处理。

不仅是桌面级电脑，现在连手机及平板都需要 GPU 绘图晶片去应付「手机游戏」及提升系统的运算效率，继 Apple 在去年宣佈研发自家 GPU 晶片后，最新有消息指其最大竞争对手 Samsung 亦将可能仿效，并正在寻找 Qualcomm、AMD 及 NVIDIA 的人才，将组建一支新的 GPU 团队，为其 Galaxy 手机和其他设备设计内部 GPU。

儘管 Samsung 在北美的设备已经使用 Snapdragon 处理器多年，但该公司还开发了用于国际型号的 Exynos 处理器，至于在图形方面 Samsung 仍然在所有的手机和平板电脑中使用 ARM 的 “Mali” GPU 系列。

根据 LinkedIn 上的招聘讯息显示，Samsung 正在招聘大量图形晶片工程师去研发自家的 GPU，随着需要为手机、平板电脑等大量产品的 Graphics IP 以及在汽车、机器学习和人工智能等市场上的拓展，Samsung 需要发展自己的 GPU 亦并不意外。

Samsung 最新宣佈将会开始批量生产 16Gb 单晶片 64GB 的 DDR4 记忆体解决方案的模组，属于双列直插式 RDIMM 记忆体，主要用于企业及云端伺服器应用，配合大型数据中心的高速移动、物联网、深度学习、人工智能等技术，Samsung 将与其他领先企业如 HPE 及 AMD 一起提供更快、更密集、更具可扩展性的集成解决方案。

截至目前，由于 8Gb 记忆体晶片的容量限制，目前最大的 RDIMM 只能达到 32GB 容量，若果需要提升系统的配置，成本将会更高，并需要在额外的性能及兼容性之间作出平衡，随着 Samsung 最新的 64GB RDIMM 记忆体推出将可解决以上问题，採用 16Gb 单晶片 DDR4 模组，三星可以生产更高容量的 “单片” 双列 DIMM，并达成 DDR4-2666 RDIMM 记忆体。

Samsung 基于16Gb 的 64GB RDIMM 是首款 JEDEC 标准配置中提供高容量、高性能和低功耗，Samsung 16Gb 单晶片 64GB RDIMM 的性能比 8Gb 单晶片的性能提高了一倍、密度高达两倍，速度高达 2666MT/s。此外，与 2 x 32GB RDIMM 相比，它的功耗降低了 19%。