金融资讯服务公司FnGuide最新的数据调查显示，Samsung 受惠于表现强劲的晶片业务，今年第四季度业绩有望创纪录，并预计Samsung 在10月至 12 月的营业利润将达 16.3 万亿韩元（约合149亿美元），比去年同期增长了77.2%。远远高于 Samsung 前一季度 14.5 万亿韩元的营业利润。

Samsung今年第三季度的运营利润达到创公司记录的14.53万亿韩元（约合128亿美元），较去年同期的 5.2 万亿韩元增长 179%，亦意味着 Samsung今年第四季度的运营利润将再创历史新高。

韩国本土券商预计，Samsung 今年的营收有望达到 240 万亿韩元，运营利润将超过55万亿韩元。分析师还预计，受益于晶片业务持续增长的推动，Samsung 明年的运营利润将有望达到 70 万亿韩元。

Samsung 最新宣佈已经开始批量生产业内首款 512GB eUFS 解决方案，以用于下一代移动设备，採用 Samsung 最新的 64 层 512-Gigabit V-NAND 晶片，为即将推出的旗舰智能手机及平板电脑提供新的 512GB eUFS 封装 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解决方案由 8 片主控制器封装而成，使用 Samsung 64 层 512Gb V-NAND 晶片，是以往 48 层 V-NAND 256GB eUFS 的两倍，全新的高容量 eUFS 可让旗舰型智能手机能够存储大约 130 段 10 分钟的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 视频影片，而 64GB eUFS 只能存储大约 13 部出高十倍之多。

性能方面，Samsung 官方资料显示 512GB eUFS 的连续读取最高可达 860MB/s、写入 255MB/s，随机读取为 42,000IOPS、写入 40,000 IOPS，能够在 6 秒内将 5GB 的全高清视频片段传输到 SSD，速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍，让用户可以享受无缝的多媒体体验，更有奕地进行高解析度连拍、文件及视频下载双应用程式搜索模式等。

Samsung 在日前正式宣佈其代工业务已经开始大批量生产基于第二代 10nm FinFET 工艺成功由「10LPE」过渡 「10LPP」技术的系统 SoC 产品「10LPP」，「10LPP」与第一代 10nm 工艺技术「10LPE」相比，可提高 10% 性能及降低 15% 功耗，最新位于韩国华城市的「S3」晶圆厂亦将会加速生产 10nm 以及下一代的 7nm 工艺产品。

由于全新的 10nm「10LPP」工艺是源自第一代「10LPE」技术，可大幅缩短由开发到批量生产的所需时间，并拥有更显着的初始製造良率，从优化了新产品的生产过程。通过从「10LPE」向「10LPP」的过渡，Samsung 将能够更好地为客户提供更高性能的产品，为公司带来更具优势的产品竞争力。

Samsung 表示，採用「10LPP」工艺技术设计的 SoC 将用于计划于明年年初推出的数字设备，并预计将在全年范围内获得更广泛的应用。Samsung 还宣佈，位于韩国华城市的最新生产线「S3」正准备加速生产 10nm 及以下工艺技术，「S3」生产线是 Samsung 代工业务的第三家晶圆厂，另外还有继位于韩国 Giheung的「S1」晶圆厂和位于美国奥斯汀的「S2」晶圆厂，Samsung 下一代 7nm FinFET 工艺技术与 EUV（Extreme Ultra Violet）亦将会在「S3」晶圆厂大量生产。

Samsung Electronics 三星电子预告将会在明年 CES 2018 展示基于 Micro-LED 技术的电视机，将会是一款配备 4K 超高清解像度的 150" Micro-LED 电视原型，Micro-LED 被认为是下一代显示技术，全新阵容能够为 Samsung 在显示技术方面提高竞争力，同时瞄准顶级高端电视市场。

据了解，Samsung 希望能够将 Micro-LED 技术的电视机引入到家庭影院，目前这种技术已应用在电影院中，Micro-LED 面板用上固态 LED 元件蚀刻在 Silicon Substrate 之上，其尺寸小于 100 微米 (μm)，每颗 LED 晶片可做为一个画素，它可以透过 RGB 三基色自发光显示像素的单个晶片来实现，Micro-LED 将会成为 LCD 及 OLED 的下一代显示技术，其体积更小、重量更轻， 随着此技术的进一步发展，Micro-LED 面板将实现更高的像素密度，并且不会有着 OLED 长时间使用所出现的 “老化”残影问题，亦拥有比 OLED 更低的功耗。

Intel 近期动静多多，除了大家非常关注的新处理器及晶片之外，Intel 亦针对储存装置产品与 Micron 研发了全新的 3D Xpoint，当中的 Optane SSD 更号称理论读写速度及寿命都是普通 SSD 的千倍，作为 NAND Flash 晶片的龙头大厂 Samsung 就推出了 Z-NAND 技术予以还撃，发佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 产品，并将会以比对手 Optane P4800X SSD 更低的价格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基于 Samsung Z-NAND 技术的 SSD 产品 ，提供了一个独特的电路设计及控制器，相比起现时的 NVMe SSD 延迟降低了 5.5 倍，备有 800GB 容量选择，採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面，官方资料显示其连续读写速度可达 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read，随机读写速度则可达 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 两者作比较，在速度方面，Samusng SZ985 SSD 明显在连续读写及随机读写方面拥有更高效能，但在读写指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面，Optane SSD 均为10μs、Samusng SZ985 则为 20 /16μs，两者相较一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之间均有优势。