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行业领先!!超过 Intel 及台积电投资总和 Samsung 今年半导体设备投资达 260 亿美元
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IC Insights 最新公佈的预测显示,今年半导体行业总投资支出增长 35%,达到 908 亿美元,当中 Samsung 去年在半导体设备投资方面投入了 113 亿美元,预计 2017 年投资将增长一倍以上,达到 260 亿美元,并表示今年 Samsung 是史无前例在半导体行业投资最多的半导体厂商。

IC Insights估计,今年 Samsung 的 260 亿美元半导体投资将分成几部分, 包括 140 亿美元的3D NAND Flash 投资(包括在平泽工厂的产能大幅增长)、70 亿美元的 DRAM 投资(用于流程迁移和弥补迁移造成的容量损失的额外容量)、50 亿美元代工(用于提升 10nm 製程)。

图片显示了自 2010 年以来 Samsung 为其半导体部门的投资,这是该公司第一年为半导体部门投资了超过 100 亿美元。在 2016 年花费了 113 亿美元之后,预计今年的投资将会大幅增加。
南韩地震后续影响仍在查证当中 DRAM 现货价格曾出现停止报价情况
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电脑业界对于昨日南韩庆尚北道浦项市北方发生规模 5.5 地震甚感关注,据当地消息指在南韩全国均能感受到摇晃,除了 LGD 龟尾厂部分设备因地震暂时停机外,Samsung 及 SK Hynix 两家记忆体厂部分机台也因地震自动中止运转,随后立即恢复正常运作,并对外表示后续影响仍在查证当中,现货价格呈现停止报价的情况。

由于韩国是全球半导体产品、显示器件以及智能终端产品的重要生产地,地震发生后,产业界对地震造成的影响也颇为关注。而业界最担心的可能是韩国最大企业 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圆产线生产情况。

根据 DRAMeXchange 半导体研究中心第一时间调查显示,Samsung 及 SK Hynix 等厂商工厂距离震中央至少有 300 公里以上的距离,地震仅有 0-1 级,目前正常运作中,不需停机检查。但有业界人士称由于部分设备对于震动很敏感,当感受到震动系统将会立刻停止运作避免造成损害,在确认正常随即会恢复运作。而 LGD 乐金显示器龟尾厂部分设备因地震暂时停机,但在检查后已重新运作。
南韩地震半导体厂或遭波及 RAM、SSD 价格或受影响再上升
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南韩15日下午 2 时 29 分发生罕见地震,强度为黎克特制 5.5 级,震央位于庆尚北道浦项市面,据了解南韩多家製造业的工厂、面板厂、炼油厂与核电厂均位于当地,地震后市区有多栋建物受损,同时亦传出不少工厂产线部分停机,未知地震会否波及其他半导体及晶圆厂的生产线。

据《韩联社》报导,今次地震强度是南韩有纪录以来第二强,规模达黎克特制 5.5 级强震,震央位于南韩浦项市西北西方约 9.3 公里处,震源深度约 10 公里,随后又传出 5.4、3.6 级馀震。

据当地民众表示,事发建筑物强力摇晃、民众惊慌逃出户外,部分建筑受损,还有坍方状况出现,当中位于庆尚北道龟尾市的 LG Display 厂房亦感受到地震威力,在地震后有部分产线停机并进行检查中。
採用 NGSFF 规格、8TB 储存容量 Samsung 发佈 8TB NGSFF NVMe SSD
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除了发佈下一代 GDDR6 记忆体之外,Samsung 同时亦公佈即将推出的 NGSFF 固态硬盘解决方案,属于一款全新的 NVMe SSD、总储存容量为 8TB,专门为伺服器及数据中心而设,将能够提供比传统储存器更快、更高容量的新储存方案。

Samsung 全新 8TB NGSFF (Next Generation Form Factor ) NVMe SSD 型号为 PM983,为选下首款 8TB 採用全新外形设计的 NVMe SSD,尺寸为30.5mm x 110mm x 4.38mm,比 NVMe 2280 M.2 SSD 稍为大一点点。
具有 64GB/s 数据 I/O 频宽 Samsung 透露下代 GDDR6 记忆体资料
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Samsung 在日前正式公佈关于下一代 GDDR6 记忆体的资讯,全新 GDDR6 记忆体预计将以 16Gbps 的速度进行图像处理,64GB /s 的数据 I/O 频宽能够达到 5GB / s的速度,工作电压为 1.35V,并将成为下一代图形密集型应用中速度最快及最低功耗的 DRAM。

CES 2018 在来年 1 月举行,根据以往的惯例主办单位方会提前公佈及颁发各种奖项,Samsung 在 CES 2018 年度共取得 36 项设计与创新奖项,当中的一项就是下一代的 GDDR6 记忆体。
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