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Samsung 斥资 30 万亿韩元建新工厂 DRAM 记忆体晶片价格有望下降
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Samsung 电子确认,正在韩国京畿道平泽市兴建一座新的半导体工厂,可根据市场需求生产记忆体、NAND Flash 等各种存储晶片。Samsung 目前在平泽市已有一座大型工厂,2017 年年中开始量产 64 层堆疊 NAND Flash 颗粒,也可以用来生产 DRAM 记忆体颗粒。工厂初步投资 15.6 万亿韩元,预计到 2021 年总投资可达 30 万亿韩元,

新工厂暂时名为 P2 Project,距离旧工厂不远,报导称投资额达 30 万亿韩元,但暂不清楚是初步投资还是总投资。考虑到新工厂刚刚开工建设,1 月份才开始铺设燃气管道​​,后续肯定还会有追加投资。

新工厂也同时具备记忆体、NAND Flash 生产能力,但是 Samsung 尚未决定具体先做哪一个,肯定是要看后续市场需求,比如原有工厂最初就打算生产 NAND Flash。
Samsung 与 Qualcomm 签定十年合约 採用 Samsung 7nm EUV 工艺打造 5G 移动晶片
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Samsung 电子最新宣佈将在韩国 Hwaseong 建成了一条全新的 EUV(极紫外线)光刻工艺生产线,凭藉全新的 EUV 产品线,Samsung 将能够通过满足包括移动、伺服器、网络及 HPC 高性能运算在内的各种的市场应用需求,加强其在单纳米工艺技术方面的领先地位。

Samsung 预计新工厂将于 2019 年下半年竣工,并将于 2020 年开始投产,全新的 EUV 生产线的初始投资预计到 2020 年将达到 60 亿美元,额外投资将取决于市场情况,Samsung 决定採用先进的 EUV 技术,从 7nm LPP(低功率 Plus)工艺开始。这条新生产线将配备 EUV 光刻设备,以克服纳米级技术限制。同时,Samsung 将继续投资于 EUV 研发,以支援全球客户开发基于这一领先技术的下一代晶片。此外,Samsung 亦计划将其长达十年的代工合作关係扩展至 EUV(极紫外)光刻工艺技术,包括製造未来的 Qualcomm Snapdragon 5G 移动晶片组将採用 Samsung 7nm LPP(低功率 Plus)EUV 工艺技术。

使用 7LPP EUV 工艺技术,Qualcomm Snapdragon 5G 移动晶片组将提供更小的晶片尺寸,为即将推出的产品中的 OEM 提供更多可用空间,以支援更大的电池及更薄的设计,工艺改进与更先进的晶片设计相结合,预计将显着改善电池寿命。
中国政府或将与 Samsung 签署协议 尽可能在 2018 年压抑 DRAM 价格涨幅
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正如大家所见,DRAM 产品如绘图卡记忆体、DDR4 记忆体等,在近两年价格不断飙升,在去年底,就有消息指中国国家发展和改革委员曾与 Samsung 约谈,关注储存晶片价格问题,DRAMeXchange 在日前报导,指出 Samsung 及中国政府将签署“谅解备忘录”,以保护 DRAM价格保持在可接受的范围内。

中国政府在新的 一年宣佈调查之前对发改委进行的监管 ,国家发改委负责中国国务院的宏观调控工作。由于製造晶片的许多东西基本上都是在中国製造的,同时亦是资源最缺乏的地方,因此更高的价格可能造成一个长期的对亚洲地区经济的影响。

这就是国家发改委现在主动干预DRAM价格的原因,Samsung是大型的记忆体生产企业之一,因此发改委希望藉着与 Samsung 双方签署 MOU 谅解备忘录,协议将涵盖了更高的产量,并希望可以压抑 DRAM 价格涨幅。
Samsung 正式确认 正在为加密货币挖掘製造 ASIC 晶片
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有消息指,Samsung 代表已确认公司正积极研发及製造加密货币的採矿晶片,引用“来自中国的一位匿名客户”,他表示与 Samsung 签署了一份加密硬币採矿 ASIC 的巨额订单,并将用于挖掘 Bitcoin 比特币、Ether 以太币和其他加密货币。

Samsung 的半导体业务正在蓬勃发展,最近更超越了 Intel 成为全球最大的晶片製造商,为了进一步扩大公司的业务发展,Samsung 看准了近年非常流行的採矿业,并积极研发及打造适用于 Cryptocurrency Mining 的处理器。

正如 TechCrunch 的报导,Samsung 已经确认正在製作专为採矿 Cryptocurrencies 像 Bitcoin 及 Ethereum 设计的晶片,这些晶片被称为 ASIC 或专用集成电路,ASIC 是专为单个运算任务设计的处理器,与我们的 PC 电脑及行动电话中使用的多用途处理器相反。
採用 Z-NAND Flash、高达 800GB 容量 Samsung 推出 SZ985 Z-SSD 产品
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针对超级运算及 AI 分析等的高级企业储存,Samsung 正式发佈了全新的 Z-SSD 产品,首款型号为“SZ985”,对标 Intel Optane Optane 技术。

在 Intel 发佈旗下自家 3D XPoint 技术后,Samsung 随即宣佈推出 Z-NAND Flash 及 Z-SSD 固态硬盘,拥有更快的速度、更低的延迟值,声称性能可超越现有 NAND Flash 极限。

Intel Optane 是一种介于 DRAM 记忆体、NAND Flash 之间的非易失性储存,Samsung Z-NAND 也有些类似,但具体架构和技术细节一直没有公开,如今产品发佈了依然语焉不详。
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