Samsung 官方正式宣佈已开始大规模生产业内首款 32GB DDR4 记忆体，适用于小型双列直插式 SoDIMM 记忆体模块的游戏笔记本电脑，新的 SoDIMM 基于 10nm 工艺製造，提供更大的容量、更高的速度和更低的能耗，为 PC 级游戏电脑带来更快速的处理能力。

Samsung 全新 32GB DDR4 记忆体採用 10nm 级别工艺製造，是一款全新的记忆体解决方案，可让个人电脑製造商可以构建更快速度的游戏笔记本电脑，其电池续航时间更长，超越传统移动工作站，同时维持现有的个人电脑配置。Samsung 表示，与 2014 年推出的基于 20nm 8Gb DDR4 的 Samsung 16GB SoDIMM 相比，新款 32GB 模块的容量提升了一倍，并提高了 11% 的速度及 39% 的运作效能。

Samsung 最新的 16GB 千兆位（Gb）DDR4 DRAM 晶片 ( 前后各安装 8 颗晶片 ) 共有 16颗，32GB 容量的 SoDIMM 记忆体可让游戏笔记本电脑的速度达到 2,666 Mbps，在同时配置两组 32GB DDR4 记忆体模组的 64GB 笔记本电脑，在主动模式下功耗不到4.6W，閒置时功耗低于 1.4W。Samsung 补充说，与目前配备 16GB 模组的游戏笔记本电脑相比，这分别将功耗降低了 39% 及 25% 以上。

日前在位于 Santa Clara 的 2018年美国三星铸造论坛（SFF）上，Samsung 公佈了旗下新技术流程的路线图，除了重申计划于今年晚些时候开始使用 7LPP 工艺技术及 EUVL 极紫外光刻技术生产晶片之外，同时亦提到 3nm 製造工艺的第一个细节。

Samsung 在晶片代工生产的主要竞争对手台积电已宣佈在今年第二季度开始批量生产 7nm，并会在明年开始大规模生产第二代 7nm 工艺技术的晶片，部分使用 EUV 投影，并会迈向 5nm 工艺 Risk Production 风险生产，预计将于 2020 年开始量产 5nm，再一步的 3nm 标准则大概会于 2022 年推出。

至于 Samsung 方面，大规模生产 7nm 将在今年下半年开始，实际上落后于台积电两三、个季度，然而 Samsung 将会用上 7nm 的低功耗 7LPP 及採用 EUVL 极紫外光刻技术，并将立即开始製作第二代 7nm 的产品，意味着 Samsung 将成为第一间採用 EUV 技术 ( 13.5 nm )，在 SFF2018 会议上 Samsung 确认启动 7LPP 工艺技术的计划和进度保持不变。同时，Samsung 还指出将为第三方厂商全面开发 7nm 产品的 IP 块，将在 2019 年上半年投入使用。

Samsung 在旗下的电视产品上不断发展，除了推出曲面设计的显示屏之外，下一个计划可能会推出採用 Round Edges 圆角边框设计的电视机，Samsung 最新就取得了一项「圆角屏幕」的电视专利，将现在用于手机上的「圆角屏幕」技术带到电视屏幕之上，用作提升电视的外在观感。

「圆角屏幕」近年开始在电子行业中出现，特别是智能手机类别的消费电子产品。至于电视屏幕亦不断发展，不仅在图像质量、大小尺寸设计、甚至是越趋纤薄的面板等等，外观的改变更具时尚感，同时曲面设计的电视亦开始在市场上出现，作为电视的潮流引领者的 Samsung， 即将会把「圆角屏幕」的电视带到日常生活之中。

Samsung 在 2017 年 10 月 12 日于 World Intellectual Property Organization 世界智慧财产权组织申请了一项「圆角屏幕」的电视显示设备专利，并在 2018 年 5 月 3 日获得批准，该项新的专利详细描述了「圆角屏幕」技术的电视显示屏设计，并能够用在 OLED 及 LCD 技术面板中。

Samsung 900 系列 SSD 的性能和可靠性超卓领先其他竞争对手，自推出以来吸引到不少用家购买，在 4 月份正式发佈新一代的 970 EVO 及 970 PRO SSD 产品并在明天正式在全球开售，在未正式上市官方就进一步调整官方售价，表明 970 PRO 将会较早前提供的价格下调 25%、970 EVO 价格下调 5-13%。

Samsung 全新的 970 PRO 及 970 EVO 採用 M.2 介面、PCIe Gen 3.0x4 接口 ，支援 NVMe 传输， 保证提供更快的传输数据速度，专业级的 970 PRO 拥有极快的性能，提供高达 2700 MB/s 的连续写入及 3500 MB/s 连续读取速度，至于 970 EVO 将提供 3500 MB/s 的连续读取和 2500 MB/s 的连续写入速度。

970 PRO 及 970 EVO 同样採用了 Samsung 最新的 V-NAND 技术和全新的 Phoenix 控制器，连续写入速度相比起上代提升高达 30%，凭藉先进的 Samsung 智能 TurboWrite 技术，使用增加缓存 NAND Flash 的容量，进一步提高了写入的速度。

Hagens Berman 律师事务所已向美国加利福尼亚州北部地区法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集体诉讼，根据该公司的调查，三家 DRAM 製造商共谋限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供应，目的是抬高价格。该公司确认，DRAM 在 2017 年的价格上涨了47%，这是过去30年来有史以来最大的涨幅。

据了解，截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集体拥有96% 的全球DRAM市场，Hagens Berman的诉讼提到，三家公司互相勾结，在2016年同意限制DRAM供应，以提高价格，这导致“DRAM价格上涨”，DDR4记忆体套件的售价是18-24个月前的两倍（或更多），让Samsung、Micron及 Hynix营收成长逾1倍。

此次的「固定价格方式」的集体诉讼是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日购买并使用 DRAM 记忆体设备的所有美国消费者，包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的笔记本电脑和台式机，同时智能手机及平板亦包括在内。