在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等厂商都先后公佈成功研发 QLC NAND 及 96 层堆栈 3D NAND 产品的消息，作为全球第一大 NAND 供应商的 Samsung 在早前在日本举行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大会上宣佈已正式量产高达 90 堆疊层数的第 5 代 V-NAND，每个晶片的容量达到1Tbit，同时将会在今年内推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大会 Samsung 介绍了旗下开发的 3D NAND“V-NAND” 发展趋势，在去年已大量生产採用 64 层堆疊的第四代 V-NAND，而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生产，全新第五代 V-NAND 在密度进一步增加，由 64 层提升至 96 层， Samsung 强调新晶片减少晶圆上的物理 X、Y 尺寸，并拥有更高功率及性能。同时，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能够提供高达 1.4Gbps 的数据传输速度，比上代 64 层堆疊提升了 40%。

同时，Samsung 亦提到已首发核心容量达 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片，Samsung 1-Tbit NAND 可支援高达每秒 1.2Gbits 的资料速率，并在一个堆疊 32 颗裸晶的封装中支援高达 4Tb 容量。

Samsung 近年积极扩展旗下的显示器产品线，为了缔造更极致逼真的视觉效果，在去年带来了创新的 49 吋 super ultra-wide 32:9 显示器「CHG90」，最新再推出了另一款 43 吋的曲面显示器「C43J89」，拥有 32:10 比例、曲率为1800R，具体售价约为999美元，相比「CHG90」更便宜。

Samsung 全新「C43J89」超宽曲面屏显示器採用了 43 吋 VA 面板，比例为32：10，屏幕解像度为 3840 x 1200，1800R曲率弧度，更新率达到了120Hz、5ms反应时间，支援8位色，典型亮度为亮250cd/m2（非最高亮度） ，静态对比对3000：1，可视角度为 178 度，并支援 Samsung Eye-Saver、无闪烁等技术。

「C43J89」屏幕大小与两组比例为16：10 的 24 吋显示器相同，同时显示器的像素点距为 0.27mm，适合文字工作者使用，另外「C43J89」显示器可以同时连接 2 台主机或者设备。扩充能力方面，「C43J89」显示器提供了一组HDMI 2.0、一组 DisplayPort 1.2、两个Type-C、三组USB 3.0及一个 3.5mm 耳机输入孔。

Samsung 在最新宣佈已成功开发出业界首款 10nm Class 8Gb LPDDR5 DRAM，新开发的 8Gb LPDDR5是 Samsung 优质 DRAM 阵容的最新成员，该阵容包括了自 2017 年 12 月开始批量生产的 10nm 级16Gb GDDR6 DRAM 及今年 2 月开发的 16Gb DDR5 DRAM，全新8Gb LPDDR5的开发代表了Samsung低功耗移动储存器解决方案成功向前迈进一步。

随着在全球优质记忆体的需求不断增长，Samsung 将继续扩展下一代 10nm 级 DRAM 阵容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量产以来，Samsung 已开始转向 LPDDR5 标准，用于即将推出的 5G 和 AI 人工智能移动应用。

据 Samsung 指出，8Gb LPDDR5 的数据速率高达 6,400 Mb/s，是现有旗舰移动设备 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。随着传输速率的提高，新的 LPDDR5 可以在一秒钟内发送 51.2 GB 的数据，或大约 14 个全高清视频档案 ( 每个3.7GB )。

NAND Flash 及 DRAM 市场在去年双双出现齐旺的现像，Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大厂「赚到开巷」，然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在价格出现分歧走势，受到传统淡季衝击及 64/72 层 3D NAND 产能稳定扩张影响，NAND Flash 产品合约价已连续两季下跌，可惜的是 DRAM 价格依旧未有出现下跌的迹象，当中佔据 DRAM 市场最大比重的 Samsung ，竟然被爆出通过控制记忆体产能延缓或者防止记忆体降价。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大厂在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的产能，Samsung 的市场份额更维持在 45-50% ，因此在 2017 年 Samsung 的业绩疯涨不停，晶片业务为其带来了最大的贡献，DRAM 价格持续上涨更为 Samsung 带来了更大的利润。

面对记忆体产品的缺货以及 DRAM 晶片的高需求，Samsung 为了加速 18nm 产品的出货速度，强行缩短了部分流程，早前更有消息传出 Samsung 18nm 记忆体模组产品存在瑕疵和隐患，需要召回用于 18nm DRAM 晶片生产的记忆体。

为了提供更快的据传输速度，Samsung 最新宣佈已开始批量生产第五代 V-NAND 记忆体晶片，全新第五代 V-NAND 採用 96 层堆疊设计，单 Die 容量为 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口时， Samsung 全新 256 Gb 在储存及记忆体传输数据的速度最高可达到 1.4 Gbps，相较 64 层 NAND Flash 增加了 40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度进一步增加，由 64 层提升至 96 层， Samsung 强调新晶片减少晶圆上的物理 X、Y 尺寸，并拥有更高功率及性能。同时，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能够提供高达 1.4Gbps 的数据传输速度，比上代 64 层堆疊提升了 40%。

全新 V-NAND 相较 64 层 NAND Flash 在性能上有所增强，主要是因为工作电压已从 1.8V 降至 1.2V，同时新的 V-NAND 是迄今为止的数据写入速度最快，达到 500 μs，比上一代写入速度提高了约 30%，而对读取讯号的反应时间则显着减少到50μs，新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命，并降低从 Desktop 及数据中心系统的整体功耗。