目前 DRAM、NAND Flash 价格处于一个很敏感的拐点阶段，不过在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位于韩国华城的 DRAM 及 NAND Flash 工厂在本週二突然遭遇停电事故，导致部份晶片生产线暂停，目前正在检查生产线以备重新启动，对于断电事故可能造成的损失，知情人士称虽然没有造成重大破坏，但预计会有数百万美元的损。

Samsung 的消息称，在韩国当地 2019 年 12 月 31 日下午位于华城的晶片工厂发生断电事故，持续大约一分钟，导致其部分生产线暂停，目前正在检查生产线以备重新启动，并评估造成的损失。

据媒体报导，此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题，受影响的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片厂、Line 13 的 DRAM 晶片厂、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片厂，目前相关的 DRAM 及 NAND Flash 生产线已经暂停，预计需要大约 2 至 3 天时间才能全面恢复，这代表将会损失最多三天的产能，而这无疑将会使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 产能的供应受到影响。

传统 HDD 机械硬碟速度太慢，但 SSD 固态硬碟的读写次数有限，而 NAND Flash 堆疊已达 100+，未来发展恐难避免瓶颈挟制，究竟有没有新的方案可以替代呢?! 为了解决以上问题，Samsung 在今年三月份宣佈量产首款商用的 8Mb 容量的 eMRAM，为，而最近再有哨消息指 Samsung 已经开始生产 1Gb 容量 eMRAM，良率已经达到 90%，使得 eMRAM 实用性大大提升。

早在 2013 年，Samsung 已成功量产 3D NAND Flash，经过从 2D 向 3D 转换的“青黄不接”之后，进入 2018 年，3D NAND 产能大规模爆发，现在已经实现了 128 层 NAND Flash 量产。

不过随着 NAND Flash 堆疊层数的增加，对镀膜均匀性和蚀刻纵深比的要求越来越高，工艺越来越複杂将造成良率越来越低，产品成本将会随之增加。一旦成本增加到不足以支撑厂商在激烈的市场竞争中保持优势地位时，这种工艺就将要面临淘汰。

经历完「加密货币挖矿」的翻天覆地之后，NVIDIA 及 AMD 两大绘图卡大厂都开始重回正轨，分别推出了全新的 RTX 20 系列 / GTX 16 系列及 Radeon RX 5000 系列新卡，为了要比以往的绘图卡带来更佳的绘图效能，NVIDIA 及 AMD 都开始在新卡上升级搭载新一代的 GDDR6 记忆体颗粒，根据内地渠道论坛博板堂获得的最新消息，Samsung 计划将旗下的 GDDR5 记忆体停产，因此在未来的游戏绘图卡市场上，主流型号亦将会升级标配 GDDR6 记忆体颗粒。

据悉，今年 AMD 发佈的 7nm 绘图卡全部搭载了 GDDR6 记忆体，而 NVIDIA 亦通过 “Super” 升级的方式将 GTX 1660 及 GTX 1650 升级到了 GDDR6 记忆体，换上全新的 GTX 1660 Super 及 GTX 1650 Super，GDDR6 记忆体相比前代速度更快，从而为绘图卡带来了不俗的性能提升。

以 NVIDIA GeForce GTX 1660 Super 绘图卡为例，在升级採用 6GB GDDR6 记忆体、192bit 介面之后，理论最大频宽达到了 336GBps，性能相较初代的 GeForce GTX 1660 绘图卡最高提升了 20%。

韩媒 BusinessKorea 在上週报导，Samsung 南韩器兴(Giheung)厂，因为 8 吋硅晶圆生产线採用了受到污染的设备，导致产品出现瑕疵。一名三星高层坦承，的确发现瑕疵品，但製程已获修正，损害规模估计有上亿韩元。

其实，今次 Samsung 电子晶圆代工产品传出发现瑕疵并非第一次，在今年稍早时间，Samsung 第一代 10nm ( 1x nm ) DRAM 产品就曾出现过问题，这次则是晶圆代工业务出事，恐伤及 Samsung 的业界信誉。

据了解，Samsung 8 吋硅晶圆事故在一个星期之前发生，消息称出问题的并非新的 300mm 晶圆厂，而是 Samsung 位于京畿道器兴的工厂，这是一家 Samsung 较小的工厂之一，依然用 200mm 的晶圆生产 1x nm 的 DRAM，所以造成的损失比台积电那次小得多，Samsung 官方承认发现了有缺陷的产品，要处理受污染的几批晶圆，但是目前生产已经正常化并重回正轨，暂时预估损失约上亿韩圜。

「不死鸟」的神话大家都可能有听过，「不死 SSD」你又听过未?! SSD 有着高读写速度的卖点，不过与传统硬碟构造完全不同，大家最怕的就是看到 SSD 在毫无任何徵兆提醒的情况下坏掉，为了解决 SSD 突然间挂掉的问题， Samsung 最新宣佈推出号称「never-die」的新型 SSD「PM1733」及「PM1735」系列，特色是引入了三项能够提升硬件性能和耐久度的软件技术创新，当中的 FIP 技术即使在出现晶片级故障的时候，也能够保障驱动器的正常运行。

Samsung 全新 PCIe Gen4 NVMe SSD 将分为「PM1733」及「PM1735」两个系列，其中「PM1733」备有 2.5 吋 (U.2) 版本的 960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB 容量可选，另外还有 HHHL ( Card-Type ) 版本的 1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB 容量。至于「PM1735」则提供 2.5 吋 (U.2) 版本的 800GB、1.92TB、1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量可选，HHHL ( Card-Type ) 版本则有 1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量。

受惠于全新 PCIe 4.0 接口的高速传输，全新「PM1733」及「PM1735」PCIe Gen4 NVMe SSD 可以提供最高 3.8GB/s 连续写入、8GB/s 连续读取，随机读取高达 1450K IOPS、随机写入高达 260K IOPS ，Sasmung 对主控软件的演算法优化也达到新高度。