Samsung 在今年 10 月举行的「Samsung Tech Day 2018」大会上公佈了最新 SSD 的路线图，最关键之一就是透露了将会带来首款消费级的 QLC SSD 的产品，当中的一款「860 QVO SSD」在欧洲几间网上零售商就提前上架，备有最大 4TB 储存容量，提供高达550 MB/s、520 MB/s 连续读写效能，预计将在12月份正式开卖。

Samsung 官方的介绍，QVO 代表着“ Quality and Value Optimized ”（质量和价值优化），意思即是高质量、低价格， QLC NAND 相比TLC NAND 在数据储存密度增加了 33%，可以降低每单位容量的驱动器成本。

全新「860 QVO SSD」是一款标准 2.5 吋的 SATA III 硬碟，储存容量备有1TB、2TB 及 4TB，速度方面，「860 QVO SSD」的连续读写最高可达 550 MB/s Read、520 MB/s Write，随机读写最高可达 96,000 IOPS Read、89,000 IOPS Write，并拥有 1,440 TBW 写入寿命。

在较早前 Intel 宣佈在消费级平台的全新第 9 代 Core处理器将升级支援 128GB 容量 DDR4 记忆体，打破以往仅能提供 64GB 记忆体容量的限制，对于伺服器平台来说 128GB 容量只是很小的一部份，Samsung 最新公佈即将为伺服器推出首款 256GB RDIMM 记忆体，并较现时的记忆体提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示将会进一步拓展记忆体核心业务，正开始出样採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 记忆体，新的 DDR4 RAM 模组 RDIMM ( Registered DIMM ) 专为基于 AMD EPYC 系列处理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 处理器伺服器而设，单条就可提供 256GB 容量，与1 28GB LRDIMM 相比，可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 记忆体採用 3DS 三维堆疊封装，基于 10nm 16Gb DDR4 DRAM，并且由通过 TSV 接口（穿硅通孔）彼此连接的四层晶体管组成，在这种情况下，单晶片的容量为 8 GB（64 Gbits）每层16Gbit，可将记忆体的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 双面合共建入 36 颗晶片，每颗晶片提供 8GB 容量，内部封装了四个 16Gb Die，由 IDT 4RCD0229K 晶片管理，并支援 ECC 记忆体技术。

智能手机或电视可能是 Samsung 最受欢迎的产品，但肯定不是 Samsung 最赚钱的产品，这家韩国电子巨头已经公佈了今年第三季度的预估，受惠于强劲的 DRAM 收入，数据显示 Samsung 打破了单季度利润最高的纪录，预计 2018 年第三季度的营业利润将达到 17.5 万亿韩元，收入增长 4.8%。

根据 Samsung 最新公佈了 2018 年第三季度预估数据，营业利润将达到 17.5 万亿韩元 ( 约 158 亿美元 )，比去年同期增长 20%，收入也将达到创纪录的 65 万亿韩元 ( 约 573 亿美元 )，比去年增加近 5%。

虽然 Samsung 打破了单季度利润最高的纪录，然而收入并非靠智能手机业务，旗舰手机 Galaxy S9 及 Note 9 系列于 3 月 16 日上市后，虽然配备了更好的相机和改进的音效技术，但销量没有达到预期，盈利大幅下滑 30%。

DRAM 及 NAND 的价格在过去几年间持续上涨，各主要供应商都渡过了一段丰收的黄金时代，在今年年初，Samsung 更乐观地认为在 2018 年 DRAM 及 NAND 的 Bit growth 位元成长率增长将分别上升 20% 和 40%，然而 Samsung 预测看起来非常严峻，据 Bloomberg 最新发佈的一份报告显示，由于预期需求下降，Samsung 正准备在 2019 年缓减其记忆体晶片的产量。

根据 Samsung 最新的预测，预计 DRAM Bit growth 位元成长率增长将低于预期不到 20%，而 NAND 的增长则为 30% ，为了避免投资者对潜在经济衰退的担忧，因此 Samsung 正准备缓减记忆体晶片生产限制供应，在需求放缓的情况下仍然可保持供应紧绌及维持价格在理想水平。

Bloomberg Intelligence 驻香港的分析师 Anthea Lai 表示，“如果 Samsung 确实削减其 DRAM 位元成长率增长率，那麼该公司对目前的寡头垄断市场结构感到满意。” 他进一步阐述说：“Samsung 更倾向于保持供应紧张和价格高，而不是佔据市场份额并冒着降低价格的风险，因此 DRAM 价格保持强劲的可能性更高。”

早几日才报导过记忆体储存研究机构 DRAMeXchange 指 PC DRAM 将在年底开始降价，在另一边厢就有半导体厂房意外发生，Samsung 位于首尔南方 Suwon 水原市的晶片工厂在本週二疑似洩漏二氧化碳，导致一名工人死亡、两人受伤，Samsung 官方正在调查事故原因，暂时未公佈晶片工厂运作会否受影响。

据了解，本次事故在週二下午 3 点 40 分发生在 Samsung 位于首尔 Suwon 南方水源市的晶片工厂地下室， 设备洩漏的二氧化碳导致了事故的发生，当救援人员赶到现场时，一名 24 岁的姓李的工人被发现死亡，另外两名年龄分别为 26 岁和 54 岁的工人已处于昏迷，并立即送住医院救治疗。

Samsung 表示，「相信死因是由于二氧化碳洩漏导致的窒息」，并已成立专门工作组对事故原因进行深入调查。消息指，三人同属 Samsung 外部承包商的员工，事发前正在检测工厂内气体相关设施，怀疑因二氧化碳设备洩漏酿成意外。