「Samsung 手机又爆炸!!」Galaxy S10 5G 手机在 4 月头才刚刚上市，竟然不出一个月就发生爆炸事故，一名韩国用户在网上发佈了几张据称是「Galaxy S10 5G」手机烧毁的相片，图片可见手机内部已被烧毁无法修复，不过 Samsung 官方指出手机烧毁的原因是由外部衝击造成，而并非故障所致，拒绝作出赔偿。

据了解，一名李姓男子 Rivon 近日在 cafe.naver 平台发表了一个帖文，声称在购买「Galaxy S10 5G」后仅使用了六天，手机竟突然冒烟及着火，最终严重烧毁，李姓男子在帖文上声称：「当时我将手机放在桌上，突然间闻到有烧焦的味道，之后就迅速冒烟。我有尝试拿起手机，但由于手机太烫了，我不得不把它丢到地上。」

根据图片可见，手机屏幕很大部份烧成金黄色，屏幕亦已出现碎裂，至于玻璃背盖亦有碎裂及烧溶的迹象，同时更有明显烧焦的痕迹。幸运的是，Rivon 没有因此受到伤害。

Samsung 最新宣佈已经开始大规模生产首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁随机存取储存器 )，该产品基于 28nm FD-SOI 工艺技术，可广泛应用于 MCU 微控制器、IoT 物联网、AI 人工智能领域，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失储存器 (eNVM) 解决方案，包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一种非易失性的磁性随机储存器，除了 MRAM，还有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存储器，能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。

Samsung 指出，eFlash (嵌入式闪存) 要进步已经非常困难，由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技术 ，虽然密度越来越高，但是相对来说寿命亦越来越短，主控和算法不得不进行越来越複杂的补偿。

DDR4 记忆体基本上在 PC 平台已非常普及，各 DRAM 厂商都开始为为新一代「DDR5」作好准备，其中，两大 DRAM 厂 Samsung 及 SK-Hynix 已计划在 2019 年底之前发佈 DDR5 产品，Samsung 将专注生产用于移动设备上的「DDR5」产品，而 SK-Hynix 则专注于台式机市场。

在 2 月中举行的 ISSCC 国际固态电路会议，SK-Hynix 首次介绍全新基于 DDR5 规范的同步 DRAM 晶片，设计师 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正积极量产 16Gb DDR5 SDRAM 模组产品，全新的新 DDR5 SDRAM 模组製造节点为 1Ynm，基于四金属 DRAM 工艺，封装面积 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引脚 6.4Gbps 的 SDRAM，工作电压为1.1V。

至于Samsung，在会上则详述了一些关于 LPDDR5 SDRAM 的计划，採用 10nm 工艺、工作电压仅 1.05V，同时提供高达 7.5G/s 的速度，主要将用于移动设备上，包括笔记本电脑、平板电脑及智能手机等产品。

现时的智能手机除了用作即时通讯之外，其实亦可以充当相机或摄影机拍摄相片及影片，当需要储存更多档案的时候，手机内置容量的大小亦变得非常重要，为了满足对储存容量需求大的用家，Samsung 最新就宣佈将会量产首款 1TB eUFS 2.1 晶片，基于第五代 V-NAND 技术打造，读取速度高达 1000MB/s，写入速度也高达 260MB/s，看来智能手机很快就可以追得上笔记本电脑的的速度及储存容量了。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能够为下一代移动应用带来更优秀的使用体验，在相同封装尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 内，1TB eUFS 解决方案将先前 512GB 版本的容量提升了一倍，将 16 个堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 与新开发的专用 Flash主控集合在一起。相比之下，目前高阶手机常用的 64GB eUFS 只能储存大约 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片，而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量，则可以录製 260 段时长 10 分钟的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。

不仅在储存容量方面有所提升， 1TB eUFS 还具有出色的传输速度，新的 eUFS 读取速度高达 1,000MB/s，写入速度也高达 260MB/s，连续读取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的两倍。此外，1TB eUFS 的随机读取最高可达 58,000 IOPS，较 512GB 版本的提高了 38%，至于随机写入最高可达 50,000 IOPS，传输大量多媒体档案时就更加快捷。

Samsung 旗下推出的 970 EVO SSD 以卓越的性超而闻名，自去年推出以来吸引到不少用家购买，Samsung 最新宣佈推出进阶版的 970 Evo Plus 产品，升级採用 96 层 3D NAND Flash，不仅能够提高效能，同时亦进一步将功耗降低。

Samsung 自 2015 年将第一款 NVMe SSD 引入消费市场，不断改良SSD 的设计、性能及技术等层面，Samsung 全新第 5 代 V-NAND 技术是业界首发支援 Toggle DDR 4.0 传输介面的 V-NAND 快闪记忆体，传输速率高达1.4Gbps，相较上代 64 层堆疊的 V-NAND 快闪记忆体来说，足足提升了 40%，同时工作电压亦由 1.8V 降至 1.2V。

规格方面，全新 Samsung 970 Evo Plus SSD 採用 M.2 (2280 ) Form Factor、PCIe Gen 3.0x4 接口 ，支援 NVMe 1.3 传输，备有 250GB、500GB、1TB、2TB 储存容量，并分别搭配 512MB LPDDR4 DRAM ( 250/500GB )、1GB LPDDR4 DRAM ( 1TB )、2GB LPDDR4 DRAM ( 2TB ) 缓存。