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【想加价不如直接讲!!】今次係火灾喎 Samsung 华城晶片厂大火烧足两个半钟
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武汉肺炎在全球肆虐,除了中国内地成重灾区之外,南韩疫情同样严峻,目前已累计有 7 千多宗确诊病例,半导体行业有大量的原材料源于日、韩两地,记忆体产量或多或少将会可能受阻,而目前 DRAM 价格较 3 个月前低谷期已暴涨 4 成。在 NAND Flash 及 DRAM 报价持续向上的情况下又有「事故」发生了,日前 Samsung 位于华城的半导体厂发生火灾,当地居民称,大火的黑烟覆盖了週边地区,最终持续烧足 2 个半小时后才被扑灭。

据了解,位于韩国首尔南部、京畿道华城的工厂是 Samsung 目前最先进的晶片生产基地,主要生产先进极紫外光 EUV 工艺逻辑代工、高阶 DRAM、NAND Flash 等产品。

是次火灾在 3 月 8 日晚上发生,当地居民表示,发生火灾的时候大火的黑烟覆盖了週边地区,随后消防部门就迅速赶到,消防部门出动了 48 辆消防车及 124 名消防员赶到工厂进行灭火。最终大火持续了两个半小时,在当地时间週一凌晨才被扑灭,消防部门目前正在对起火原因进行调查。
【高达 3.2GB/s!!】1 秒内传输 82 部 FHD 影片 Samsung 第三代 HBM2E 记忆体「Flashbolt」
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目前,高阶及主流级的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列绘图卡都已经搭载了新一代的 GDDR6 记忆体,至于相对更高阶的 Titan V、Radeon VII 绘图卡就採用了另一款的 HBM2 记忆体,在上週,JEDEC 就正式发佈了全新升级、第三版的 HBM2E 记忆体标准「JESD235C」,作为储存晶片生产大厂的 Samsung 亦随即宣佈推出名为 Flashbolt 的第三代 HBM2E 记忆体,HBM2E 单颗最大容量为 16GB,由 8 颗 16Gb 的 DRAM 颗粒堆疊而成,单个封装可实现 16GB 容量,最高可提供 3.2Gbps 的稳定数据传输速度,预计新的 HBM2E 记忆体将在今年上半年开始量产。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研发了业界首款符合 HBM2E 规范的记忆体,HBM2E 是 HBM2 的升级版标准,HBM2 的最大数据传输速度可达 2.4Gbps ,在此之前使用 HBM2 记忆体的绘图卡分别有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V,其中 Radeon VII 的记忆体介面为 4096-bit 、频宽最高可达 1TB/s,至于Titan V 的记忆体介面为 3072-bit、频宽也达到了 653GB/s。

至于 JEDEC 最新发佈的第三版 HBM2E 标准「JESD235C」,电压依旧保持在 1.2V,不过其针脚频宽提高到 3.2Gbps,较前一代最高 2.4Gbps 的最大数据传输速度提升 33%。按照 JEDEC 给出的设计规范,单 Die 最大可达 2GB、单堆疊 12Die 能达到 24GB 的容量,将其配备在支援四堆疊的 GPU 绘图晶片上,便可为绘图卡提供 1.64TB/s 的总频宽。
【齐齐烧大钱?!】晶片设计至少投资 10 亿美元 台积电、Samsung 2nm 成本上涨或无人用得起
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「有竞争才会有进步」不但可以在「Intel vs AMD 处理器市场」及「NVIDIA vs AMD 绘图卡市场」的竞争中可见,其实 TSMC 台积电及 Samsung 两大晶圆代工厂亦在正在「制程工艺竞赛」,目前台积电在晶圆代工行业已把竞争对手的差距拉得非常大,老大的地位毋庸置疑,不过日前有消息指 Samsung 将採用降价策略抢客,而两厂之争更延续到 3nm、2nm 工艺,在最乐观的情况下在 2024 年 2nm 工艺将会正式量产,可惜的是即使解决 2nm 工艺技术研发的难题,但由于成本直线上涨,恐怕全球也没几家用得起。

有别于以往间隔多年推出一代全新工艺,两大晶圆代工厂 TSMC 台积电及 Samsung 都改变打法,一项重大工艺进行部分优化升级之后,就会以更小的数字命名。作为韩系晶片组大厂龙头的 Samsung 在工艺方面非常激进,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已势如破竹准备量产,至于对手 TSMC 在较早前就宣佈的 3nm 製程发展相当顺利,后续的 2nm 研发亦开始启动,预计 2024 年能够投产。

儘管 10nm 以下晶片製造工艺的突破已经愈加艰难,但 TSMC 台积电作为晶片组领先企业并没有因此而放缓研发的步伐。在去年 7 月时已宣佈 3nm 製程的开发进展顺利,并且已经与早期客户就技术定义进行了接触,预期 3nm 制程可进一步巩固 TSMC 在行业的领导地位。
【CES 2020】加入指纹辨认解锁、读速超 1GB/s Samsung 推出 T7 Touch 便携式 SSD
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Samsung 除了在 CES 2020 大会上展出了「可能是目前唯一一款 MLC NAND 的 PCIe 4.0 SSD」980 PRO 新品之外,同时还展示了新一代便携式 SSD,型号「 T7 Touch 」,一如其名自带了指纹识别传感器,可用于辨认解锁、加密数据,当然也有无指纹版本,读写速度超过 1GB/s,是上代 T5 SSD 的两倍。

Samsung 全新「 T7 Touch 」採用了时尚、紧凑的外观设计,铝质外壳可承受 2 米高度跌落,备有经典黑及时尚银两种颜色可供选择,便携式设计重量只有 58g,提供了 500GB、1TB、2TB 容量,採用 USB 3.2 Gen 2 介面连接。

「 T7 Touch 」在密码保护和 AES 256-月bit 硬件加密的基础上,还率先将内置指纹识别功能引入了 Samsung SSD 之中,每台「 T7 Touch 」均配备“动感 LED”,用户只需简单的一扫就即可确定设备是否处于连接状态。
【CES 2020】MLC NAND、读取最高 6.5GB/s!! Samsung 首款 PCI-E 4.0 M.2 SSD 980 PRO
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在 2019 年 AMD 发佈了全新的 Ryzen 3000 系列桌面级处理器及 X570 晶片组平台之后,正式将高速 PCIe 4.0 传输带到消费级市场,各品牌厂家都陆陆续续推出了 PCIe 4.0 的储存装置,今年 Samsung 也要加入战团了,在 CES 2020 大会上展示了自家的全新「980 Pro」M.2 SSD,是 Samsung 首款支援 PCIe 4.0 的消费级 SSD,採用了 MLC NAND Flash,读取速度最高可达 6.5GB/s。

据了解,全新旗舰消费级「980 Pro」PCIe 4.0 M.2 SSD 是基于 Samsung 最新第六代 V-NAND 及自家主控制器,备有 250GB、500GB 及 1TB 三款储存容量可供选择,使用的是 2bit MLC 颗粒。

速度方面,「980 Pro」的连续读取速度最高可达 6500 MB/s 、连续写入速度最高可达 5000 MB/s,速度比目前採用 Phison E16 主控制器的 PCIe 4.0 SSD 快很多。
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