除了早前介过的单条 64GB DDR4 记忆体之外，Samsung 在 Open Compute Project 2018 峰会上亦带来其他不同的新产品，当中包括了全新的 NF1 SSD( 最初的名称 NGSFF，亦称为 M.3 ) ，Samsung 展示了该 NF1 SSD 在一个运行36个驱动器的双插槽 Supermicro 伺服务器之上。

在展会上，Samsung 展示了全新的「PM983 NF1 SSD」，去年 8 月发佈的新型 NF1 设计，备有 8 TB及 16 TB 储存容量，这是 Samsung 首次在公开展出 16 TB 的 SSD。全新的 NF1 SSD 採用了双排 NAND Flash 封装，让 SSD 的储存容量得以最大化，同时，NF1 用上 hot Plug 热插拔的连接方式，Samsung 还特别设计了一个金属背板，可以放在金属托盘之内。

PM983 SSD 基于 Samsung Phoenix 控制器以及 64 层 3D TLC NAND 记忆体，将提供 M.2 及 NF1 两种选择（后者提供更高容量），从性能角度来看，产品将可提供高达 3000 MB/s 逢续连续读取速度以及高达 1900 MB/s 的逢续连续写入速度。

近年中国在研发技术上不断成长，希望能够追得上外国厂商的步伐，例如在记忆体领域方面，已成为全球输出1/5记忆体的国家，儘管分析人士对中国记忆体产业的入局看好，Samsung 近日接受韩国杂志“Investor” 访问时称，对于中国晶片製造商崛起并不担心。

就利润而言，韩国公司 Samsung 是全球最大的晶片製造商，其次是美国公司Intel，但中国半导体市场正在蓬勃发展，2017年，华为子公司海思半导体盈利估计为 260亿人民币（约合38.7亿美元）。中国在DRAM和NAND Flash 方面亦正在成长，紫光储存更已经拿出了DDR3成品，早前更有消息指将会为Intel 旗下的SSD提供核心资源。

但这是否令 Samsung 担心？根据 Samsung 设备解决方案部门负责人 Kim Ki-nam 的说法，「完全没有」。

Samsung 在刚刚举行的 Open Compute Project 2018 峰会上，隆重展示了旗下全新为数据中心而设，容量高达 64GB 的 DDR4 记忆体，基于 Samsung 最新 16Gb (2GB) 颗粒，该设计还能够为未来的高性能伺服器提供 128GB 及 256GB 记忆体模组。

Samsung 全新展示的 64GB DDR4 记忆体基于标准的 1.2V 电源，基于 16GB DDR4-2666MHz DRAM 晶片，属于面向主流伺服器的 RDIMM 类型，颗粒製造工艺非常先进但未具体披露 (应该就是 10nm 级别)，号称功耗比此前的 8Gb 颗粒降低了 20%。该组 64GB 记忆体採用双 Rank 配置，Samsung 亦正在开发 4 Rank 128GB RDIMM、8 Rank 256GB LRDIMM。

Samsung 指出，由于 AMD EPYC 系列及 Intel Xeon Scalable M 系列处理器可以同时管理 12 或 16 组记忆体插槽，因此可以在下一代处理器支援高达 4TB 容量的记忆体，Samsung 亦展示了搭配 Intel Xeon、AMD EPYC 处理器使用的平台，若果插满 256GB 记忆体模组的话，单路总容量分别可达 3TB、4TB。

Samsung 最新宣佈推出高密度 SATA SSD 「PM883」，是业界首款 2.5 吋 SATA 6.0Gbps SSD 採用 LPDDR4 DRAM 模组，搭配最新 V-NAND Flash，以低功耗实现高水平的储存密度，预计高性能「PM883」将可为现有企业及云端储存系统带来最佳效率，从而提高经济效益。

Samsung 全新「PM883」採用基于先进的 10nm 工艺技术的 16Gb LPDDR4 DRAM，同时亦是业界首款产品兼容 SATA 3.3 PWDIS 功能，可在单个 SSD 单元中进行电源管理，从而最大限度提高未来数据中心的效能。

「PM883」SSD 採用 Samsung 自家专有控制器以及 64 层 TLC V-NAND 记忆体，全新产品採用 4TB 及 8TB 原始 NAND Flash，可分别提供 3840 GB 及 7680 GB 储存容量。同时，与其他 SSD 相比 PM883 的最大特性并非储存容量，而是提供非常低的功耗，在读取时其功耗仅为 2.8W，写入时功耗亦只有 3.7W。

据 Digitimes 最新消息，Samsung 位于 Pyeongtaek 平泽的 NAND Flash 晶圆厂在 3 月 9 日出现停电事故，市场观察人士称，在 Samsung NAND Flash 晶圆厂半小时停电期间，大约 5,000-60,000 个晶圆被损坏，三月份受损的晶圆相当于 Samsung 整体 NAND Flash 产量的 11%左右，TechNews 预计损失相当于 3 月份的全球供应的 3.5% 左右。

Samsung 方面则表示，虽则 NAND Flash 晶圆厂停电约半小时，但备用电源 ( 设计为 20 分钟 ) 的有效启动应对了突发状况，所以不会对 NAND Flash 运营造成显着影响。

根据 DRAMeXchange 的数据，NAND Flash 市场在 2018 年第一季度出现了轻微的供过于求的局面，这是因为去年缺口明显时，主要 NAND Flash 晶圆厂均加码提升产能和良率，同时主要供应商亦提高 3D NAND Flash 的产量，加上终端市场需求增长因季节性因素而放缓，NAND 合约定价保持平稳或略有下降。