受到全球带动的掘矿热潮，高阶绘图卡的炒价越升越高，「矿工」们都积极寻找不同的方案希望可以减省成本，Samsung 创新实验室近日展示了一台全新的掘矿机器，利用 40 台 Galaxy S5 行动装置架建而成，并声称 8 台 S5 手机可以超越目前市面上一般的台式电脑挖矿机。

据了解，Samsung Creative Lab 创新实验室推出一项全新的「Upcycling」计划，旨在利用旧的智能手机或平板作为基础，再加入新的创意及理念将其变成「新产品」，令到即使已被淘汰的行动装置亦可以转为更实用的新应用设备。

当中，Samsung 研发了一台名为「 Bitcoin Miner Cluster 」的设备，共组合了 40 台 Galaxy S5 智能手机，并将「Bitcoin Miner Cluster 」与一般的台式电脑挖矿机作出比较，对比一台使用 i7-2600 处理器的掘矿平台，在整体用电方面，S5 与 i7-2600 处理器电力损耗分别为 5W 及95W，明显用电量较低，在 Power Efficiency 方面 S5 手机同样较处理器有优势，但在 Hash Rate 挖矿算力则未能及得上台式处理器。

近日，在 SATA-IO 串行总线国际组织的数据库中出现了一款 Samsung 全新的 SSD 产品「 860EVO 」，消息指「 860EVO 」为一款 Samsung 自家最新的 2.5” SSD ，面向主流级固态硬碟市场，採用 SATA3 介面连接，最高容量为 4TB ，并有机会搭载 Samsung 最新研发的 QLC NAND FLASH 。

据了解， Samsung 「 860EVO 」 SSD 採用 2.5” 设计、 7mm 厚度，性能方面在 SATA-IO 资料中未有显示太多，只知道将备有 250GB 、 500GB 、 1TB 、 2TB 及 4TB 容量，型号分别是 MZ7LH250**** 、 MZ7LH500**** 、 MZ7LH1T0**** 、 MZ7LH2T0**** 、 MZ7LH4T0**** ，支援 NCQ 、 ASR 、 SSP 、 IPMh 等技术，同时，消息称 860EVO 或会搭载 Samsung 最新的 QLC NAND FLASH ，并利用 Samsung 自家研发的主控制器提供数据及资料保安。

同时间， Samsung 两款 NVMe SSD 产品 970 以及 980 系列亦已准备就绪，全新 970 及 980 系列针对高阶消费级市场，採用 Samsung Polaris 2 控制器及最新 3D NAND FLASH 。效能方面， 512GB 型号的读取速度为 3000 MB/s 、写入为 1800 MB/s ，拥有 270K IOPS Read 及 420K IOPS Write ，至于 1TB 型号则拥有高达 3200 MB/s 读取、高达 2400MB/s 写入速度，随机性能则为 380K IOPS Read 及 440K IOPS Write 。

Samsung Electronics 在今日宣佈将会推出首款为汽车而设的 eUFS 嵌入式通用快闪记忆体储存解决方案，将提供 64GB 及 128GB 两款容量版本，最高读取速度可达 850MB/s 、 45,000 IOPS ，并会用作优化高级驾驶辅助系统、娱乐信息及汽车仪表板系统之中。

自 2015 年初 Samsung 首次将 128GB eUFS 用于旗舰手机之中，同年 Samsung 亦组建了一个自家的汽车团队，为汽车製造商提供组件，包括显示器、电池、记忆体等等。在去年二月 Samsung 再推出 256GB 版本 eUFS ，希望用作替代中端手机中的 eMMC 。

Samsung 全新 eUFS 嵌入式通用快闪记忆体专为高级驾驶员辅助系统 ( ADAS ) 、汽车仪表板系统及信息娱乐系统的应用而设计，可为司机与乘客提供广泛的连接功能。

Samsung 在今日向外公佈了一张新宣传海报，透露即将于 8 月 23 日在美国纽约召开 Unpacked 新品发佈会，宣传海报中展示了一款手机及一支蓝色的 S Pen 手写笔，相信届时将向全球发佈「 Note 8 」旗舰级手机新品。

在全新的宣传海报中 Samsung 以「 Do bigger things – 大有可为」为号召，暗示下一代产品将会较现有的产品更胜一筹，传消息指， Galaxy Note 8 将配备与 Galaxy S8 及 Galaxy S8+ 相同的超窄边框设计、圆润的边角及 1200 万像素的双镜头组合，但屏幕部份则会增大至 6.3 寸。

其它方面， Galaxy Note 8 有望配备 Bixby 语音助理、 6GB RAM 、升级版 S Pen 手写笔、虹膜扫描、以及后置指纹传感器，并内建 Qualcomm Snapdragon 835 处理器。

Samsung 在 18 日宣布为了满足不同领域的市场需求，包括 AI 人工智能、 HPC 高性能运算、高图像处理、网络系统、企业伺服器等，积极提高 8GB HBM2 晶片的产能， HBM2 记忆体提供 256GB/s 的数据传输，是目前最快的 DRAM 晶片，并正使用于 AMD 及 Nvidia 的高端绘图卡之中。

其实， Samsung 并非唯一一家製造 HBM2 晶片的公司，对手 SK Hynix 亦有生产 HBM2 晶片， Samsung 则强调，其生产的 8GB HBM2 晶片在业界提供最佳的能源效率、性能及可靠度， Samsung 8GB HBM2 记忆体是由 8 颗 8Gb Die 封装组成，并在底部设置了一个缓衝 Die ，整个封装具有超过 40,000 个 TSV(Through Silicon Via) 硅穿孔，并以 Microbump 技术垂直串联，不仅能够提高数据传输性能，同时不会出现过热的情况。

据了解， NVIDIA 为 Samsung 其中一个使用 HBM2 绘图记忆体的厂商，旗下推出的 Tesla P100 、 Quadro GP100 等型号均搭载 16GB HBM2 。 AMD 同样亦有在 Radeon Instinct MI25 、 Radeon Vega Frontier Edition 用上 16GB HBM2 ，至于在快将推出的 Radeon RX Vega 同样亦会内建 HBM2 ，但使用的产品则来自 SK Hynix 。