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新世代记忆体技术 效能跳跃式提升  「 3D XPoint 」Octane 明年秋季上市
文章索引: Micron
Intel 于 2015 年 7 月底发佈一项记忆芯片突破性技术 - 「 3D XPoint 」,除即于 8 月 IDF 2015 大会上公开首款採用该技术设计的 「 Octane 」原型硬碟,引发市场热话,最新消息指「 Octane 」将于 2016 年秋季配搭下一代处理器平台公开亮相,击起新世代 PC 业界浪花。

「 3D XPoint 」记忆体技术由 Intel 及 Micron 共同研发,其相对现时 SSD 的传输速度快近 7 倍, Latency 亦快近 8 倍之多,而且「 3D XPoint 」具备了断电后亦能继续保持数据的特点,以及比传统 DRAM 的存储容量高出 10 倍左右,并耐用度提升了 1,000 倍,势成下一代记亿体技术指标。
主要硬件组合多达24组 处理器及ROM成关键 iPhone 6S/6S+ 硬件来自多家供应商
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Apple iPhone 6S/6S+ 近日烽烟四起,内建的 A9 SoC 处理器因由两家不同供应商提供,效能及功耗出现差异,令用家十分困扰,更指若非 TSMC A9 SoC 处理器的手机,将会作出更换。其实除了 A9 SoC 处理器外, iPhone 6S/6S+ 内部各零件均由多间供应商提供,内建的 NANA Flash 、 RAM 及屏幕亦各有不同,主要供应商包括 Micro 、 LG 、 Samsung 、 SK Hynix 、 Sharp 、 TSMC 及 Toshiba 。

A9 SoC 处理器方面,主要由 Samsung 及 TSMC 供应,两者生产的工艺制程有所不同, Samsung 以 14nm FinFET 制程生产,型号为「 APL0898 」,另外由 TSMC 生产的 A9 SoC 处理器则採用 16 FinFET 制程生产,但据用家或科技公司自行测试所得的结果显示,由 TSMC 所生产的 A9 处理器无论功耗或效能亦相对 Samsung 所生产的 A9 SoC 处理器较优。

此外,以上事件更受到 Apple 重视,罕见地发表声明指 iPhone 6S 或 6S+ 配搭的处理器所提供的性能确有不同,但同样符合 Apple 要求的生产标准。续称,每款 iPhone 手机的性能均会出现有限度而且轻微的性能差异,差异值约为 2%-3% 。
首款「Octane」原型机正式登场 Intel 新世代 3D Point 记忆体技术
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Intel 上月正式发佈最新革命性记忆体技术 - 「 3D XPoint 」,旋即于 IDF 2015 大会上公开首款採用该技术设计的 「 Octane 」原型硬碟,引发市场热话,其技术有望取代近廿年没有增进的 NAND Flash 技术,以 Intel 是次极具效率的举动,证明对「 3D XPoint 」信心十足,即将大力推动。

Intel 于 IDF2015 大会上首次公开旗下首款採用该项「 3D XPoint 」技术的原型硬碟,命名为「 Octane 」,会上 Intel 以伺服器级 PCI-E SSD 硬碟作即场实时对比,「 Octane 」效能令全场人士惊讶,结果比伺服器级 PCI-E SSD 硬碟快上 5 至 7 倍以上,让市场更为期待「 3D XPoint 」记忆体正式商用。

早前, Intel 及 Micron 联合发佈 「 3D XPoint 」技术,其传输速度介乎于 DRAM 与 NAND Flash 之间,但比后者快近千倍之多,而且断电后亦能继续保持数据,而且「 3D XPoint 」只需 DRAM 的一半的生产成本及提供多四倍的记忆体容量。
新世代不能不知的革命性记忆体技术  Intel 发表 「3D XPoint」记忆体技术
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Intel 及 Micron 29 日联合发佈一项记忆芯片突破性技术 - 「 3D XPoint 」,其传输速度介乎于 DRAM 与 NAND Flash 之间,但比后者快近千倍之多,而且断电后亦能继续保持数据,对未来的流动装置的存储提供一项全新指标。

Intel 及 Micron 最新发佈的「 3D XPoint 」记忆体技术动摇整个记忆体市场,自从 1989 年 NAND Flash 记忆体技术沿用至今,市场上仍未有新的记忆体技术能取代 NAND Flash 技术的效能,为配合大数据、云端及物联网时代,「 3D XPoint 」记忆体技术应运而生。

据 Intel 及 Micron 表示,「 3D XPoint 」记忆体技术相对 NAND Flash 技术传输速度快近 1,000 倍,面对现时海量的存储数据,各行各业或消费者对于数据存取速度需求更高,「 3D XPoint 」更能满现时需求。
中美两大DRAM生产商重大动作 「紫光集团」传收购 Micron
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全球前五大 DRAM 製生产商「 Micron Technology Inc. 」近日传出将被中国最大晶片生产商「紫光集团」以 230 亿美元进行拼购,现阶仍处放于收购提议阶段,若拍板确认,此案将成为中国企业拼购海外企业最大宗的交易,引发市场关注。

据了解,中国紫光集团已正式向美国 「 Micron Technology Inc. 」 (Micron) 提出收购提议,其涉及 230 亿美元金额向 Micron 进行全盘收购。若两家企业正式达成此项重大收购,其影响深远及意义重大。于 DRAM 业界历史上,不同国家企业进行拼购并不新鲜,但所涉及的国家通常是日本、美国、欧洲及台湾企业,现时市场上由三家企业主导市场,包括 Micron 、 Samsung 及 Sk Hynix 。

是次收购案涉及中美两大国,由于任何收购交均需受到美国海外投资委员会进行严格审查,该委员会美国财政部领头、 12 个政府部门协作组成,是负责执行海外投资法案的行政机构。上述 12 个部门分别为:财政部、商务部、国防部( DOD )、国务院、司法部及国土安全部,以及办公室管理和预算办公室( OMB ),经济顾问委员会( CEA ),美国贸易代表政府部门及机构造成。
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