Micron 近日发佈了专为 Android 旗舰行动装置打造的 UFS 2.1 标准 NAND Flash，将会提供 64GB、128GB 及 256GB 储存容量，採用 TLC 颗粒搭配3D 64层堆疊，Micron强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。

Micron 全新 UFS 2.1 标准 NAND Flash 属于 Micron第二代的3D NAND Flash，Micron 官方表示相比起上代将有 50% 的性能提升，单颗 Die 面积为59.341mm

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Micron 在今日正式宣布与 Rambus、Northwest Logic 和 Avery Design 合作，为全球最快的独立储存器 GDDR6 提供全面的解决方案，这种首创的解决方案将使 GDDR6 可用于高性能网络、自动驾驶汽车、人工智能和 5G 基础设施等高级应用。

全新 GDDR6 全面的解决方案汇集了每家公司独特的技术去解决问题，使 GDDR6 的覆盖范围及效益远远超出了传统的图形市场。

解决方案将包括：

Intel 与 Micron正式宣佈，将终止双方之间在 3D NAND Flash 记忆体的开发合作 ，在未来将独立研发3D NAND技术，两家公司已经同意完成第三代 3D NAND 的开发至2019年初，在此之后，则分道扬镳。

Intel强调，双方都认为独立之后，将能抽出更多资源优化自身产品、服务客户，Micron 及 Intel 预计未来节点各自 3D NAND 技术发展的节奏不会有任何变化。

目前 Intel 与 Micron 正在推出基于第二代 3D NAND（64层）技术的产品，至于两者最重要的 3D XPoint Optane 快闪记忆体，Intel 称，他们仍旧会在犹他州的 Lehi 工厂联合研发製造。

Micron 最新宣佈将计划在整个 GPU 业务中积极採用 GDDR6 技术，GDDR6 绘图记忆体已经完成所有的设计工作并通过了内部验证，首发的分别是针脚频宽 12Gbps 及 14Gbps 的晶片，GDDR6 的推出对于主流 PC 绘图卡业务具有重大意义，但 GDDR5 仍然是主流的记忆体架构，并将由续步由旧一代 GDDR5 绘图记忆体转向即将于 2018 年上半年发佈的 GDDR6。

GDDR5 在 2008 年首次推出，其仍然佔据了 300 美元以下价格的个人电脑绘图卡行业，随着 VR 及 4K 双双进入主流市场，是时候提升 GDDR5 所提供的记忆体频宽及容量，因此于 2016 年推出了 GDDR5X 增加高阶频宽作短暂的缓衝，但 AMD 及 NVIDIA 的绘图卡亦需要新一代的解决方案，以满足不断增加的高绘图能力需求。

根据上图显然， GDDR5X 及 GDDR6 这两种设计的数据速率是相同的，但 GDDR6 有两个完全独立的记忆体通道，可根据需读取或写入数据，将有效提高整体的记忆体效率，同时 Access granularity 也有所改善由6 4 bytes 至 32 bytes。正如 GDDR5 与旧款绘图卡相比，各级绘图记忆体频宽都得到了大幅提升，GDDR6 也将有助提升低阶及中阶绘图卡的性能。

Micron 在 SC17 展会上宣布推出一款新型的 32GB NVDIMM-N 产品，相较 Micron 现有的 NVDIMM 容量增加了一倍，内建 64GB SLC NAND Flash 并将速度提升至 DDR4-2933 CL21，能够支援数据分析及在线交易处理应用中不断提高的性能、效能及运行时间的需求，为系统设计人员及 OEM 厂商提供更灵活的方案。

Non-Volatile DIMM (NVDIMM) 非挥发性记忆体对于 Micron 来说并非一款全新的产品，其实 Micron 第一款取得 JEDEC 标准的为 DDR3 NVDIMM 记忆体，此前亦有推出过 DDR4 8GB 及 16GB 容量，至于新一代的则为 32GB 容量的 DDR4 NVDIMM-N 产品。

NVDIMM 非挥发性记忆体有别于我们日常的 DRAM 记忆体，一般来说 DRAM 主要的特点是存取速率快，但缺点就是当电源供应中断后，记忆体所储存的资料便会消失，但 NVDIMM 非挥发性记忆体则结合了 DRAM 记忆体及 NAND Flash 快闪记忆体，让系统不会因为突如其来的断电导致资料损失。