面对不少工、商业客户对于储存容量的高需求，Micron 最新宣佈将会为旗下工业级 microSD 产品加入更大容量，使用 Micron 3D NAND 技术，让储存容量可提升至 128GB 及 256GB，能够为数位相机、行车记录仪、企业用监控系统储存大量视频影片，提供更具弹性及无间断的录影空间。

现时，Micron 旗下推出的 microSD 产品主要针对消费级用户而设，仅提供 32GB 及 64GB 版本，随着监控系统、行车记录仪等开始普及，同时新兴的 Edge Storage 边缘储存续渐在商业及企业监控部署中被应用，不少工、商业客户都希望可以寻求更高效益的储存解决方案，为此 Micron 最新为工业级用户引入更高的储存容量，透过 Micron 超高密度 64 层 3D NAND 技术，让储存容量可提升至 128GB 及 256GB。

Micron 表示，全新工业级 microSD 卡可储存更多视频影像，为系统设计人员提供了更高的灵活性，并提供三年的高品质，在各种各样的温度和环境中亦可提供 24 x 7 视频连续拍摄录製，同时具备自动监控技术，可提供有关 microSD卡的使用情况及每张卡剩馀的预期使用寿命，并提供专用 Firmware 可有效减低 Frame drops 及影片遗失。

TrendForce 记忆体储存研究 (DRAMeXchange) 表示， Micron 台湾美光晶圆科技（原华亚科）上週六惊传氮气系统意外，其 Fab2 受到污染影响，以目前台湾美光晶圆科技每月投片达 125K 来计算，保守估计损失约 60K ，约将影响全球 DRAM 产能 5.5% ，对供货吃紧的 DRAM 市场来说无疑雪上加霜，预估价格可能将进一步攀升。

DRAMeXchange 指出， Micron 台湾美光晶圆科技在此事件中受影响的工厂为 Fab2 ，保守估计损失约 60K ，此数字尚未计入上週六（ 7/1 ）停工至今未投片的片数， Fab2 目前预计尽快复工并拉高量产速度，但仍需克服清理后的挑战。

观察 DRAM 整体产能，第三季每月平均投片量约在 1135K ，以目前 Fab2 的产能约 60K 来估计，七月损失的投片量占整体产能约 5.5% ，加上 Micron 台湾美光晶圆科技晶圆科技供应的是 PC 、 Server 与 Mobile DRAM 三大主力产品， DRAM 产品至今都是维持供货吃紧的状况，在整体投片量减少 5% 的情况下，将对 DRAM 市场产生一定程度的衝击。

上年中由 Intel 及 Mircon 联合发佈的 3D XPoint 记忆体技术，由该技术打造的原型硬碟亦于上年底公开亮相，其技术于容量、传输速度及耐用度亦有突破性发展，证实 Intel 将此类 SSD 命名为 Optane ， Micron 则命名为 QuantX ，业界隆重其事，因相对 1989 年面世的 NAND Flash 储存技术， 3D XPoint 记忆体技术是另一个重大突破。

Intel 及 Micron 近日正式宣佈 3D XPoint 记忆体技术发展顺利，于发表会上展示出 QuantX 开发样本，从图上可看到两块子板集成了四块已封装的 3D XPoint 晶片，总容量达到 128GB ，而每块晶片则集成 2 颗 die ，每颗 die 为 16GB 容量、总共 32GB ，整个开发样本採用 PCIe 3.0 x8 通道。

Micron 近日发佈全球首款用于行动装置的 3D NAND 记忆体，相较于相同尺吋封装大小的记忆体提供更大储存容量，并採用最新 UFS 2.1 传输标准，加快行动装置记忆体技术发展脚步，有望下年中正式付运。

Micron 宣佈推出行动装置专用的 3D NAND 记忆体，主要目的为决储存容需求日渐增加的智能手机使用，现时 VR 、大型游戏或影片所佔容量大幅增加，导至手机内存空间渐渐不足，基本上 16GB 的储存空间已经不足以应付现时需求，部份手机以 32GB 容量起跳，市场更盛传新一代 iPhone 将配备 256GB 型号。

面对手机储存容量的需求， Micron 最新推出的 3D NAND 记忆体能解决多项问题，其技术能将相同封装大小的记忆体容量倍增，据官方表示，新 3D NAND 记忆体为 32 GB 容量，封装面积仅为 60.217mm² ，相对同样容量的记忆体减少 30% ，对于内部空间有限的智能手机来说，即可腾出更多空间集成其他零组件，进一步令手机设计得更为轻薄。

Micron 宣佈开始向客户提交的 GDDR5X 记忆体建基于 GDDR5 ，其传输速度翻倍至 64byte/access ，理论上可将显示卡的记忆体的频宽效能提升一倍以上。现时推出的 GDDR5X 记忆体可达 10-12Gbps ，据 Micron 表示，其目标将会提升至 14-16Gbps 。

另外，现时高阶显卡大约 400GB/s ，但 配搭 GDDR5X 的显示卡将提供 800 至 1000GB/sec ，将带来重大影响。同时，， GDDR5X 在电气特性、物料结构上都与 GDDR5 基本相似，升级过程很简单，成本能进一步降低，而且电压只有 1.35V 。