随着 SSD 固应硬碟无论在消息市场或企业市场均已成普及， Micron 27 日宣佈推出全新型号 SSD 产品，为 P410m 固态硬碟，针对资料中心应用和企业级存储平台，可提供高耐用表现，支援 6 Gbps 串列连接 SCSI( SAS) ，能够为企业用户提供每週 7 天 24 小时不间断资料存取的任务关健型 1 级存储应用。

据 Micron 表示，在一般要求无间断存取的应用中，首选 SAS 是因为其双埠介面能够提供客户期待 SAS 硬碟应有的高可用性和可访问性，而是次推出的 P410m 则可提供处理持久性资料存储独特工作负载所需的一致的低功耗和均衡的读 / 写性能。

全新 P410m 固态硬碟为 2.5 吋 7mm 硬碟，採用 Micron 25nm MLC NAND 快闪记忆体，集成了其扩展性能和增强可靠技术 (XPERT) ，而且通过优化固件演算法和硬体增强使存储介质和控制器紧密结合，从而确保该介质高度可靠，为企业级提供增强的资料能和可靠性。

为针对快闪记忆体卡和 USB 硬碟等具价格竞争力的移动存储应用， Micron 日前宣佈推出业界最小的 20nm 三层 NAND 存储单元 (Triple-Level-Cell) 128 Gigabit NAND 快闪记忆体，面积仅 146mm

据 Micron 表示，是次宣佈推出的 128Gb TLC 设备主要针对具价格竞争力的移动记忆体市场，并在 2013 年一季度将佔整个 NAND 容量的 35% ，将使消费类存储应用提高到一个新阶段。

针对数据中心的伺服器和储存应用， Micron 日前宣佈推出新型专属回应硬碟，型号为 P400m ，提供 100 、 200 和 400 GB 容量，加上採用 XPERT 作为核心技术，专门为管理高速和海量资料储存而设，同时提供高保护性、耐用性和稳定性表现。

据 Micron 表示，资料可靠性和系统正常运行时间一直是数据中心管理人员最关注的问题， 而目前加速涌入的资料和巨大的需求高峰需要不同的反应，而且更需高灵敏的系统。正是由此应运而生，提供对于高性能存储层重要的高可靠性和耐用性、加快吞吐量和应用程式产生的需求高峰期的回应。

Micron 全新 P400m SSD 採用 2.5 吋 7mm 厚规格，採用 Micron 25nm MLC NAND 快闪记忆体颗粒，并支援 XPERT 技术，透过此技巧优化固件演算法和硬体增强，将存储介质和控制器密结合，增强资料性能和可靠性。

针对高性能计算和存储平台应用， Micron 15 日宣佈与 AgigA Tech 合作，开发非易失性 DIMM 技术的 NVDIMM 产品，利用两者优势提供广泛的应用，包括伺服器 RAID 、存储分层、资料记录、重复资料删除、系统检查点和中继资料处理，加强性能、成本和资料安全。

此次合作将充分利用 Micron 和 AgigA Tech 各有的优势，如 Micron 在记忆体 IC 、模组开发和製造上的经验，以及 AgigA Tech 在 IP 和混合非易失性 RAM 技术领域大量的专利等， Micron 将向客户提供与 AgigA Tech 的电源模组配对，该模组基于超级电容的 NVDIMM 模组。

NVDIMM 符合行业标准的 DRAM 和 NAND 快闪记忆体技术，支援主记忆体在持久、高速高性能计算上的应用，能够提供低延迟和几乎无限持久的 DRAM 和非易失性快闪记忆体，而且可以轻鬆插入符合行业标准的伺服器和存储平台的 DIMM 插槽。

Micron 17 日宣佈针对行动设备推出 Phase Change Memory(PCM) ，并已正式进行量产，是全球首家提供批量生产的 PCM 解决方案的厂商，针配合行动设备市场的需求，可增强行动设备的开机时间，以及简化软件开发和增强覆盖能力的表现，而且也提供低功耗和高可靠的特性。

Phase Change Memory 採用 45nm 製程，并包含 1 个 1Gbit PCM 颗粒，以及 1 个 512Mbit LPDDR2 DRAM 组成堆疊封装而成，符合 JEDEC 行业标准，优化共享 LPDDR2 的和 PCM 之间的接口，利用更成熟的技术和封装能力，以满足需要更高的性能及扩大存储需求。

据 Micron 表示， Phase Change Memory 可提供快速开机表现，而且 PCM 拥有低功耗特性，亦间接增加了行动设备的电池续行力，进一步提升行动设备的效能表现。同时， PCM 在断电后不会丢失资料，因此亦可作快闪记忆体之用。