Micron 17 日官方宣佈调整旗下 Crucial 产品线，将会停止推出 Gaming 记忆体产品，Ballistix、Ballistix Max 与 Ballistrix Max RGB 系列将会续渐退场，未来 Crucial 品牌将会专注于 JEDEC 标准规格的 DDR5 普通记忆体、SSD 固态硬碟与 Portable SSD 外置固态硬碟市场。

代理商收到 Micron 电邮通知，明确地表示 Ballistix 系列记忆体将会退出市场，不过信中未有说明取消的原因，只知道 Micron 业务将会重整，未来将会加强 Micron 自身客户端与伺服器市场的产品发佈，Crucial 不再发展高阶及发烧友级记忆体产品。

很多玩家听到 QLC SSD 就摇头说不，虽然 QLC NAND Flash 令容量再提升33%、成本降低，但代价就是写入寿命越来越低，不过 Micron 在过去两年不断改良 QLC 颗粒制程，同时透过更多的堆栈层数，打破了 QLC 寿命比 TLC 的局面，採用 QLC 颗粒的 Micron 2210 系列 SSD 相较旧版 TLC 颗粒 Micron 2200 系列 SSD 寿命还要高 20%。

首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性，随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级，由于需要更複杂的电压层级控制，令 P/E 寿命因而降低了，另外製程工艺升级亦会令P/E寿命下降。

究竟下降有多严重呢 ? 从 DRAMeXchange 报告指出， SLC 採用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000，但转用先进的 1xnm 制程，P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。

据目前的发展方向，在 2020 年 AMD、Intel 将会推出的新一代 CPU 处理器暂时仍只会支援 DDR4 记忆体，但是下一代 DDR5 记忆体已经近在眼前，预计会在 2021 年正式上市，在 CES 2020 大会期间，Micron 公佈其 DDR5 记忆体研发已获得重打的进展，全新的 DDR5 记忆体基于 1Znm 工艺，密度提高了一倍，性能提升了 85%，并现已开始向客户出样。

1Znm 工艺是 DRAM 新一代技术，Micron 已在 2019 年 8 月大规模生产 1Znm 16Gb DDR4 产品，与上一代 1ynm 製程相比，可提供更高的密度，显着的增强性能以及更低的成本。如今，Micron 再将 1Znm 导入到 DDR5 中应用，将更具市场竞争优势。

DDR5 是 DDR4 的后继产品，而且 DDR4 向 DDR5 过渡所代表的意义远不止技术迭代所带来的变化，因为以前 DRAM 新一代产品升级着重于降低功耗，且受到移动和终端等因素的推动，而 DDR5 则驱动更大频宽需求增加，满足当下 CPU 核心数提升的速度，Micron 基于先进的技术不仅将 DRAM 密度提高了一倍，同时也提高了可靠性。

Micron 与 Intel 于 2019 年正式拆伙，结束了长达 14 年的共同合作关係，而由于两家都有推出储存装置产品，所以在分手后就由「战友」变成「敌人」，Micron 最新发佈了一款声称比 Intel 第二代 Optane SSD 速度更快的「Micron X100」，虽然未知确实的完整规格，但就表示 X100 SSD 的连续读写速度超过 9GB/s，随机读速更高达 250 万 IOPS，是目前全业界最高规格的 SSD。

在「Micron Insight」大会上 Micron 执行副总裁兼首席商务长 Sumit Sadana 发佈了几款重磅产品，当中的一大重点就是号称「全球最快、业界最高规格」的 Micron X100 SSD，Micron 表示，这款使用最新晶片製作的新 SSD，比起以前的固态硬碟还要快，可以直接插入伺服器中，是面向数据中心的储存和记忆体密集型应用的解决方案。

X100 SSD 利用 3D XPoint 技术的优势，在记忆体到储存的层次结构中引入新的层级，具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性，以及比 NAND 更高的耐用度和更强性能。

继台积电、Samsung 晶圆代工、Intel 等国际大厂在先进逻辑製程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临製程微缩难度不断增高的 DRAM 厂也开始评估採用 EUV 技术量产，Samsung 今年第四季将开始利用 EUV 技术生产 1z 纳米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 预期会在 1α nm 或 1β nm 评估导入 EUV 技术。

由于先进製程採用 EUV 微影技术已是趋势，在台积电第二季 EUV 技术 7+nm 进入量产阶段并获华为海思订单后，Samsung 晶圆代工也採用 EUV 量产 7nm 製程，Intel 预期 2021 年 7nm 会首度导入 EUV 技术。而随着製程持续推进至 5nm 或 3nm 后，EUV 光罩层会明显增加 2～3 倍以上，对 EUV 光罩盒需求亦会出现倍数成长。

另外，佔全球半导体产能逾 3 成的 DRAM，也开始逐步导入 EUV 技术。至于为何要採用 EUV 技术来生产 DRAM 记忆体，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低记忆体单位容量成本。