在以往的记忆体超频领域，Samsung B-Die 有着高频、低时序、食电压的特性，一向都是高阶用家追捧的产品，但 Samsung 在日前宣佈 B-Die 颗粒即将进入 EOL 状态，那麼接替的会是甚麼的产品? Micron 最新宣佈旗下的 Ballistix Elite DDR4 记忆体就创了一个新的超频记录，超频后的频率达到 DDR4-5726MHz ，更超越了 ADATA Spectrix D60G 记忆体仅仅 3 日 DDR4-5634MHz 的纪录。

这个新的纪录是由 OGS 超频游戏系统团队的成员 Stavros Savvopoulos 和 Phil Strecker 採用 Intel Core i7-8086K CPU、ASUS MaximusXI Apex 主机板、Ballistix Elite 360​​0mt/s 8GB 记忆体模组以及 LN2 液氮冷却系统打造，这个破记录频率在 HWBOT 上能够找到。相比之前 ADATA Spectrix D60G 记忆体的超频记录 5634MHz 整整提高了 92MHz，是一个相当大幅度的提高。

Micron Ballistix Elite DDR4 的 5726MHz 超频速度，比 JEDEC DDR4 速度 3200MHz 快 79%，比目前认为主流的 2666 MHz 快 115%。

DRAM 合约价自去年第四季开始下跌，不少分析更将 2019 年第一季跌幅由原先预估的 25% 调整至逼近 30%，是继 2011 年以来单季最大跌幅，不过有留意市况的用家都会发现，当 DRAM 价跌之时工厂就会有事故出现，你无估错，今次发生事故的就轮到「Micron」，位于台中后里园区的记忆体封测厂在昨日发生二氧化碳外洩意外，有十名人员因身体不适送院。

据了解， Micron 位于台中后里的在 3 月 20 日中午进行消防设备保养检测，检测时怀疑外包厂商员工不慎误触二氧化碳灭火设备导致二氧化碳外洩， 约有十名员工因吸入过多二氧化碳导出现身体不适，其中 2 人一度失去意识，即时送院救治。

在事故发生后，Micron 已即时疏散部份员工，表明事故对整个生产并没有影响，目前工厂已经恢复运作，这方面相关供货商也表示如此，现正亦就此事配合有关单位进行调查。

NVIDIA 在新一代 GeForce RTX 20 系列不但採用了全新的 Turing 架构之外，亦升级搭配了新一代的 GDDR6 记忆体，Micron 最新宣佈将成为 NVIDIA RTX 20 系列绘图卡的合作伙伴，将会将在未来几个月为 RTX 2070 以上产品提供 GDDR6 记忆体。

在未正式推出 GDDR6 记忆体之前，Micron 推出了 GDDR5X 记忆体作为 GDDR5 和 GDDR6 之间的桥樑，但只有 Micron 一家将 GDDR5X 推出市场，直至发佈了全新的GDDR6记忆体，Micron 预计 GDDR6 将成为广泛採用且寿命长的产品，因此已停止进一步开发 GDDR5X。

Micron 最新的公告指出，已正式与 NVIDIA 达成合作协议成为 RTX 20 系列绘图卡供应 8Gb GDDR6 记忆体，用于生产包括 RTX 2070、RTX 2080 及 RTX 2080Ti 型号，虽然 Micron 还有开发 Hybrid Memory Cube 产品，但公司表明将会专注生产用于图形应用的 GDDR6 记忆体，并会预留足够的生产线，全力量产 GDDR6 记忆体以减低记忆体供不应求的情况，并计划未来用作开发 HBM2。

Intel 与 Micron 在今年 1月宣佈将会在 2020 年后终止 NAND Flash 合作伙伴关係，但在此前将不会对双方的製程提升、产品规划产生重大影响，Intel 最新就更新了他们的 3D XPoint 联合开发合作伙伴关係，两家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技术的联合开发，预计将于 2019 年上半年完成。

3D XPoint 架构的非挥发性记忆体运作原理是以快闪记忆体单元的选择器和储存部分採用硫族化物作材料，使用电阻并且是位元可寻址，基于「 bulk 材料的电阻变化」，从而比传统的快闪记忆体于读写运作上更快、更稳定，而且各个资料单元不需要电晶体，因此封装密度将是 DRAM 的 4 倍。

3D XPoint 于存取速度及延迟值上将有着可媲美 DRAM 的性能表现，但价格却是 DRAM 的一半左右，速度上相较传统 NAND 快闪记忆体快 1000 倍及耐用可高达 1000 倍，即最少一百万覆写次数，比起 NAND 快闪记忆体能耐的 3000 至 10000 覆写次数高出很多，即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十万覆写次数，但价格方面会比 NAND 快闪记忆体贵 4 至 5 倍。

半导体行业近年不断传出侵权诉讼案，Micron 与 UMC 联电的侵权案週旋了半年以上，中华人民共和国福州中级人民法院最终裁定 Micron 侵犯联电专利权，并发佈了针对 Micron 半导体（西安）有限公司和 Micron 半导体（上海）有限公司的初步禁令，要求 Micron 在中国禁止销售 26 个 DRAM 和 NAND 相关产品，包括旗下推出的 SSD 及记忆体，并需要赔偿人民币 2.7 亿元。

联华电子于 2018 年 1 月向中国大陆法院提起针对美光的专利侵权诉讼，涉及三个领域，包括与 DDR4、SSD 及绘图卡记忆体相关的特定记忆体应用，福州中级人民法院的裁决，Micron 的产品面临着中国大陆的法院判决中违反联华电子专利权的禁令。

联华电子表示， Micron 在中国大陆地区销售的产品侵害了联华电子在大陆地区获准的专利权，联华电子投入大量资源和人力来研究和开发半导体製造技术，其成就可应用于逻辑晶片或储存晶片（DRAM），该公司已获得多个国家的专利。随着市场条件的发展，联华电子不断监控这些专利。当违规行为发生时，联华电子随时准备进行专利侵权诉讼，以获取判断和补救措施，以保护公司的知识产权。