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【为 GPU 实现更高性能】最高可达 20Gbps!! Micron 8GB GDDR6 正式量产
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Micron 最新宣佈 8GB GDDR6 记忆体已正式量产,GDDR6 是现时 Micron 慕尼黑开发中心设计最快、功能最强大的图形储存器,专为包括 GPU 图形处理单元在内的各种应用而优化,与 GDDR5 设计相比性能得到显着提升,将可实现高达 20GB/s 的速率。

Micron 表示,随着用户对高级应用的需求不断增加,对高性能 GDDR6 记忆体的需求也在不断增长,全新的 GDDR6 记忆体不只能用于图形绘图卡领域,同时亦适用于人工智能、网络、汽车、VR 虚拟现实等,能够实现更高的性能及更低的功耗表现。在一个封装中以高达 64GB/s 为目标,GDDR6 相较现时的 GDDR5 带来更显着改进,实现前所未有的单晶片性能水平,採用行业标准的 BGA 封装,提供了功能强大、经济高效、低风险的解决方案。

规格方面,Micron 8GB GDDR6 记忆体最高速率可达 20Gbps,在汽车电子中更可达 448GB/s 频宽 ( 14Gbps ),未来还会推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 晶片,可提供最高 16Gbps 速率。
【Micron 製程再发展】 96 层 3D NAND 下半年量产、GDDR6 准备就绪
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Micron 最新公佈了 2018 财年第三季度的结果,同时亦公佈了公司未来的发展方向,预告在 2018 年下半年 96 层 3D NAND 技术将会开始批量出货,全新 96 层是第三代 3D NAND 技术,可进一步增加每个晶片的储存容量,从而能够打造出更小、更节能的设备。

目前的大多数 SSD 通常採用 32 层或 64 层 NAND Flash,全新的 96 层 3D NAND 技术已是第三代,Micron 并已计划打造超过 120 层的第四代 3D NAND。Micron 表示,与目前採用的 64 层 NAND 相比,96 层的价格也会更便宜,将有望能够降低 SSD 的价格。

同时,Micron 已报告准备为客户提供适用于汽车行业的类型 GDDR6 记忆体,採用1x-nm 技术製造、低功耗的首款 GDDR6 记忆体,能为车载系统如“自动驾驶”提供更佳的解决方案。
Micron 对固态硬碟发展作出预测 3 年后 SSD 平均容量将逼近 600GB
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SSD 的出现虽然为我们带来了更高速的读写速度,但仍然未能够取代传统硬碟机的位置 ,因此不少平台都会採用 SSD + HDD 的混合使用模式,同时对于日益增长的云端使用,传统硬碟的大储存容量及价格低的特性,即使 SSD 需要完全取代 HDD 硬碟目前还需要一后时间,然而 Micron 对于 SSD 未来市场就有着不同的观点。

根据 Micron 对客户固态硬碟部份发展的预测,若果现在约有 36% 的新 PC 或笔记本电脑配备 SSD,预估在未来三年内他们的份额将提升 2.3X 达到 81%,在实际上每个使用硬碟的新 PC 系统将有四个固态驱动器。

2017年至 2021 年期间部份固态硬碟的平均容量将由 264GB 增加至 597GB ,同样提升了 2.3X,但并不令人震惊。儘管如此,固态储存器仍然是一种昂贵的产品,这将会阻碍了 SSD 在客户消费族群中的扩展。
旗舰智能手机储存空间需求剧增!! 预计 2021 年将增加至 12GB RAM、1TB 容量
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智能手机已成为我们日常不可或缺的产品,除了为我们用作通讯之外,亦可储存日常拍摄的相片及影片,因此对于内置储存容量的需求亦不断增加,Micron 最新就公佈了对移动市场发展前景的看法,智能手机每年发佈的数量超过 10 亿部,同时用户需要的储存空间越来越大,Micron 预计在 2021 年旗舰智能手机型号将会具备 12 GB 的记忆体及 1 TB 的储存空间。

在Micron Technology (MU) 2018 Analyst and Investor 财报会议上针对不同行业的储存需求作出预测,并对比 2017 年与 2021 年的需求变化,智能手机领域方面,在去年平均每款智能手机就需要使用 2.7 GB 的记忆体及 43 GB 的储存空间,到 2021 年的平均数字将增加到 4.8 GB 的记忆体及 142 GB 的储存空间,至于旗舰智能手机型号将分别增加至 12 GB 的记忆体及 1 TB 的储存空间。如果你认为它们已经提供了 8GB 的 RAM 和 256GB 的固态存储器,那麼这个预测就没有什麼了不起。
採用 QLC NAND、最大 7.68TB 容量  Micron 全新 5210 ION SSD 开始出货
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Micron 与 Intel 日前共同宣佈基于 64 层的业界首款商用 3D QLC(4bits/cell) NAND 产品开始生产和出货,随即 Micron 就发佈了全新的 Micron 5210 ION 固态硬碟,是全球首款 Quad-Level Cell NAND SSD,相比 TLC NAND 提供的 bit 密度提高了 33%,与传统的 3.5" 硬碟相比,能够实现在更少空间中提供更高的性能,使数据中心可以节省昂贵的电源和散热成本。

全新的「 5210 ION 」SSD 採用 2.5" 设计、7mm 厚度,基于 Micro 5200 系列 SATA SSD 经验证的架构打造而成,5210 ION SSD 通过为客户提供数据中心构建的已知设计,简化了认证过程,客户还将能够 Micron 独特的 Flex 容量功能定製配置硬盘的耐用性和写入性能,同时针对读取密集型云工作负载如人工智能(AI)、机器学习、实时分析、大数及媒体流进行了优化。

目前 Samsung、Toshiba、WD 等 SSD 新品主要是基于 64 层3D TLC NAND 技术,採用的单颗 Die 256Gb 或 512Gb 容量,而 Micron 採用的 64 层 QLC 技术的「 5210 ION 」SSD 将有更低的成本,比其对手推出的产品容量增加了一倍,Micron QLC NAND 技术更可以达到单 Die 1Tb 的储存密度,这是目前业界最高密度的闪存产品。
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