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每晶片密度最高可达到 1Tb Intel 与 Micron 携手打造  3D QLC NAND 技术
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Intel 在日前宣佈与 Micron 联手生产并发佈业界首款 3D QLC ( 4 bits/Cell ) NAND 技术,利用久经考验的 64 层结构,新的 4 bits/Cell 3D NAND 技术每个晶片的密度达到 1Tb,是现时全球密度最高的 NAND Flash,这两家公司还宣佈了第三代96 层 3D NAND 结构的开发进展,层数增加了 50%,这个进步让其能够生产最高 Gb/mm

在CMOS under the array (CuA) 阵列技术,能够减少die sizes尺寸并提高性能,Intel 及 Micron 全新的 NAND Flash可以并行写入和读取更多单元,从而在系统级提供更快的吞吐量及更高的频宽。

全新的64层4bits/cell NAND技术可在更小的空间内实现更密集的储存容量,为读取密集型云工作负载节省大量成本,同时也非常适合消费用家及客户端运算应用,提供成本优化的储存解决方案。
7nm 工艺製造、4400 MT/s 数据速率 Micron 联手 Cadence 打造 DDR5-4400 记忆
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Cadence 和 Micron 最新宣佈将联手打造全球首款可用 DDR5-4400 记忆体模组, Cadence 将会提供其 DDR5 记忆体控制器及 PHY ,并由 Micron 提供台积电生产的 7nm 8 Gb 晶片,全新的 DDR5 记忆体模组能够实现 4400 MT/s 的传输速度,比目前市场上最快的 DDR4 记忆体快大约 37.5%。

全新的 DDR5-4400 记忆体模组测试晶片採用台积电 7nm 工艺製造 8 Gb 晶片,并包含 Cadence 的 DDR5 控制器和 PHY,在 CL42 上实现了 4400 MT/s 的数据速率。与目前的 DDR4 相比,DDR5 的电源电压从 1.2V 降到 1.1V,允许的波动范围仅为 ±0.033 V。在这种情况下,规格意味着 8 Gb DDR5 DRAM 晶片可能会达到相当高的 I / O 速度,比现在的 8 Gb 商用 DDR4 IC 低 9% 左右。

DDR5 记忆体模组主要并非仅提升性能部份,同时亦要着重容量方面,目前各种应用对高容量 DRAM 的需求很大,但现代伺服器可以物理地容纳有限数量的记忆体模组,而现代记忆体控制器可以处理每个通道有限数量的 DIMM。因此,为了增加 DRAM 的单机容量,记忆体製造商需要构建更高容量的晶片。
涉嫌串谋操控并抬高 DRAM 价格 Samsung、Micron 及 Hynix 面临集体诉讼
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Hagens Berman 律师事务所已向美国加利福尼亚州北部地区法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集体诉讼,根据该公司的调查,三家 DRAM 製造商共谋限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供应,目的是抬高价格。该公司确认,DRAM 在 2017 年的价格上涨了47%,这是过去30年来有史以来最大的涨幅。

据了解,截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集体拥有96% 的全球DRAM市场,Hagens Berman的诉讼提到,三家公司互相勾结,在2016年同意限制DRAM供应,以提高价格,这导致“DRAM价格上涨”,DDR4记忆体套件的售价是18-24个月前的两倍(或更多),让Samsung、Micron及 Hynix营收成长逾1倍。

此次的「固定价格方式」的集体诉讼是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日购买并使用 DRAM 记忆体设备的所有美国消费者,包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的笔记本电脑和台式机,同时智能手机及平板亦包括在内。
提供可靠、稳定的 24x7 连续记录能力 Micron 推出工业级 MicroSDXC 卡
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Micron 最新宣佈推出 128GB 及 256GB 容量的边缘储存 microSD 卡解决方案,基于 Micron 的 64 层 3D TLC NAND 技术,新发佈的解决方案可在更小的空间内提供更大的容量,可为摄影机提供长达 30 天的监控视频储存空间。

据 IHS Markit 称,2017年全球销售的所有microSD卡中,98% 以上用于消费应用,然而这些消费级储存卡未没有特别经过验证用于视频监控应用中的商业用途,Micron 的工业级 microSD 卡专为专业视频监控而设计,包括为期 24x7 连续视频录製使用的三年保固,同时 Micron 的 microSD卡设计及固件经过优化,可确保提供可靠、稳定的 24x7 连续记录能力。

Micron 的工业级 microSD 卡专为 IP 视频监控工作负载而设计,具有以下特点:
Intel 与 Micron 在 3D NAND 96 层后终止合作 将各自寻找合作伙伴
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Intel 与 Micron 于 2018 年 1 月 8 日共同宣布,在完成第三代 3D NAND Flash 研发后,双方将开启各自的研发之路,双方目前共同研发的第二代产品为 64 层 3D NAND Flash,预计第三代将可堆疊 96 层,也意味着 96 层以后 3D NAND Flash 的产品研发,Intel 将正式与 Micron 分道扬镳。

儘管这项决议不会对双方后续的製程提升、产品规划产生重大影响,但在确定分家之后,双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据记忆体存储研究 DRAMeXchange 调查,Intel 与紫光集团正积极研拟后续合作计画,双方可望建立正式销售合作关係。

Intel 与紫光拟订销售合约,紫光存储藉以耕耘渠道销售竞争力
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