Micron 週二宣佈使用 34nm 制程技术生产 NAND Flash 晶片，将使到 SSD 固态硬碟的价钱更平易近日，或同价格下容量进一步提升，以 32Gb MLC NAND Flash 为例，全新 34nm 程相较前技术，晶片尺寸将可减少 17% ，而 34nm 16Gb MLC NAND 亦只会有 84mm

据 Micron 表示，全新 34nm NAND Flash 晶片将採用 ONFI 2.1 同步介面是现时最高速的 NAND Device 介面，可提供高达 200MB/s 速度，相较传统介面每颗 NAND Flash 介面最高速度仅 4xMB/s ，在传输速度上有着明显的差异，以配合日后 SATA 提升至 6Gb/s 速度。

据 Micron 记忆体事业群副总裁 Brian Shirley 表示，全新 34nm 16Gb 及 32Gb NAND 已进入量产阶段，将为客户提供更低成本、高容量但体积细小的储存解决方案，大幅减少所佔的容间及所使用的晶片数。最重要的是，全新 ONFI 2.1 介面所带来的速度提升令 SSD 固态硬碟效能更进一步。

由于全球经济日益恶化，加上 DRAM 需求严重饱和， Micron 24 日宣佈将会续渐关闭位于爱达荷州博伊西 8 吋晶圆厂，这一计划将会裁减约 500 名员工，有助该公司会计年度内完成裁减 2000 名员工的目标。

据 Micron 董事长兼首席执行官 Steve Appleton 表示，公司仍然相信，市场对 DRAM 及 NAND Flash 产品需求即将趋于稳定，并且在春季会有明显改变，但事实上仍是情况恶劣，因此我们现时提早让员工得悉这个消息，公司将于夏季续渐关闭位于爱达荷州博伊西的 8 吋晶圆厂。

除了全球经济日益恶化，加上 DRAM 需求严重饱和，另一个关闭位于爱达荷州博伊西的 8 吋晶圆厂的主要原因，是 200mm 晶圆不再用于製造高端产品，该厂所生产的记忆体产品已经过时。