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Intel Ice Lake 处理器中内建第 11 代绘图核心,而连接下来的第 12 代绘图核心变化更大,并开启全新的 Xe 图形架构,包括 Intel 即将推出的独立绘图卡亦会用上第 12 代绘图核心。日前,Intel 全新第 12 代绘图核心参数曝光,在 CompuBench 基准测试库中,Intel 第 12 代绘图核心内部执行单元达到了 96 组,这比现阶段 Intel 最强的 Iris Pro P580 独显的 72 组多出 33%。数据显示,Intel 第 12 代绘图核心时脉为 1.1GHz,此前 Intel 曾表示将对第 12 代绘图核心的执行单元指令集进行一次大调整,这次 Intel 会移除寄存器读写之间的数据一致性,需要编译器随时进行相关指令之间的同步。
根据 Intel 官方的消息,全新的 Core i9-9900KS 处理器将会在 10 月正式上市,这款全新的 Core i9-9900KS 可以说是 Core i9-9900K 的进阶版,主打卖点是全核 Turbo Boost 可达 5GHz,号称是迄今为止地表最快的游戏处理器,随着上市时间越来越近,在一些国外电商已经开启了Core i9-9900KS的预售工作,预计零售价应该在 600 美元左右。Intel 全新 Core i9-9900KS 是第 9 代台式机产品系列的最新产品,号称是迄今为止地表最快的游戏处理器,基本上规格与 Core i9-9900K 非常相似,同样具有 8 核心、16个线程,不过就属于进阶版的Core i9-9900K,不过在基础时脉就提升至 4.0 GHz,同时在所有 8 个核心上更提高至 5 GHz turbo 时脉,比标准版的Core i9-9900K的4.7GHz提升了 300 MHz。
Core i9-9900KS 仍然拥有 16 MB 的 L3 缓存,内建 UHD 630 GT2 图形晶片,支援 DDR4-2666 记体,新的处理器亦会继续採用 IHS 焊接方式,TDP 部份即使 Intel 标记为 95W,不过由于带来了更高的时脉速度,实际的 TDP 功耗有可能略高一些(大概在 100W+)。
刚刚才报导过有消息指 Intel 14nm 再遇产能危机,导致搭载 Comet Lake 第十代 Core 移动平台不少的笔记本新产品有可能推迟到明年才上市,为了释除外间的疑虑,Intel 随即发表声明回应,PC 客户需求超乎预期的事情的确存在,公司已尽力增加 14nm 的产能,并会安排优先次序,主力生产 Core i9、Core i7、Core i5 等型号。就 14nm 产能短缺再现的相关消息,Intel 官方发出的声明提到,“我们继续致力于改善 PC 客户的供需平衡。在 2019 年上半年,我们看到 PC 客户需求超出了预期,甚至也超出了第三方的预测。我们增加了 14nm 产能输出,并计划将 10nm 产能继续提升,希望在年末的 Holiday 购物季能上架。”
至于传闻提到 14nm 产能短缺导致 Comet Lake 第十代 Core 移动平台的产品要推迟到明年才上市,Intel 补充说:“目前我们正在积极努力应对这一挑战,并不断提高产能,但在以 PC 为中心的业务中,我们仍然处于充满挑战的供需环境中,因此将会着重于可支持客户高增长的细分市场,优先供应最新一代 Intel Core i5、i7 及 i9 的产品。”
Intel 14nm 自 2018 年第三季开始就出现缺货,虽然 Intel 已投入大量资源及金钱去纾解供不应求的问题,并表态今年底一定能解决,不过问题似乎比想像中严重,最新有业内人仕表示,Intel 14nm 工艺产能再次陷入短缺,这次主要是 14nm Comet Lake 十代 Core 移动平台,很可能会导致不少笔记本厂商将新产品推迟到明年才上市。Intel 在 8 月 22 日再发佈採用 Comet Lake 核心的第十代 Core 处理器,面向对生产力需求更高的移动市场,跟第一批发佈带 G 字结尾的 U 及 Y 系列 Ice Lake 处理器不同,Comet Lake 核心的 U 及 Y 系列重新採用 14nm 製程工艺,U 系列最顶级版本是 6 核心、12 线程,瞄准需要更强大运算力的用家,但相对的就没了 Ice Lake 才有的 Iris Plus 绘图核心。
按照 Intel 之前的说法,原本计划今年年底将有超过 90 款基于 Comet Lake 平台的笔记本产品陆续问世,不过 14nm 的新 Comet Lake 处理器才刚刚上市不久,最新就有消息指由于市场需求太大,目前 14nm 再次供不应求,新的 Comet Lake 处理器难以完全满足客户需求。
刚刚于韩国首尔举行的 Memory and Storage Day 2019 大会上,Intel 正式发佈了新一代消费类 SSD「665p」,全新「665p」SSD 基于第三代 96 层 QLC 3D NAND Flash,提供 512GB、1TB 及 2TB 容量,新 SSD 新品预计将于下个季度推出,同时还展示了下一代 144 层 3D NAND,有望在 2020 年发佈。全新的「665p」SSD 外观上与上代 660p 没有太大分别,依然採用 Silicon Motion SM2263 主控制器、单面标准的 M.2 2280 设计、PCIe 3.0 x4 传输介面,但 NAND Flash 部份就升级第三代 96 层 QLC 3D NAND Flash,单 Die 维持 1024Gb 容量(128GB)。
读写性能方面,全新的「665p」在 QD1 下连续读取速度为 1887.5MB/s,连续写入速度1816.56MB/s,相比 660p 提升了 40% 以上,随机性能也有 30%左右的提升。当然,这显然是在有 SLC Cache 的情况下测出来的,现在还不太清楚新的 QLC NAND Flash 的原始写入速度。