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高容量NAND Flash颗粒产品比重提升 影响16Gb与32Gb颗粒价格上扬
文章索引: DRAMeXchange
随着新款智慧型手机、平板电脑与 Ultrabook 搭载的储存容量越来越高, NAND Flash 原厂持续将产能移往 64Gb 与 128Gb 等高容量颗粒以满足 OEM 客户的 eMMC 与 SSD 需求,变相令 32Gb 旧製程低容量颗粒供应下跌,因此据市场调查机构 DRAMeXchange 指出,三月下旬 32Gb MLC 与 TLC NAND Flash 合约价均升势,升幅约 6 ~ 7% , 64Gb 与 128Gb 等高容量的 MLC 和 TLC 合约价则维持平稳。

踏入第二季度,大部分新款智慧型手机、平板电脑与 Ultrabook 将落在六月份上市,拉货放量的时间点将落在第三季,第二季将无可避免地将面临淡季效应的影响,预期第二季 NAND Flash 合约价将转为疲弱,

不过,由于现时厂商大多将产能比重偏重于高容量颗粒,尤其在目前最先进的 20 nm 等级製程上最低容量颗粒多数自 64Gb 起跳,目前市面上 16Gb 与 32Gb 的颗粒大部分是属于上个世代的 25nm 等级製程,而且 16Gb 与 32Gb 等低容量颗粒比重已降至非常低,因此低容量颗粒价格却有一定支撑点。
三月DRAM价格上升近20%  短期内低价记忆体模组不再复见
文章索引: DRAMeXchange
三月刚过,据市场调查机构 DRAMeXchange 2 日发表有关 DRAM 合约价格走势报告指出,三月下旬 DRAM 合约价格呈现小幅上涨走势,随着 PC-OEM 厂商标准型记忆体库存水位偏低,预期四月合约价格将维持加剧上涨走势, DDR3 4GB 记忆体模组于旺季时更有机会上升至 30 美元的价位,短期内低价记忆体模组将不再复见。

据报告指出,三月下旬 DDR3 4GB 合约均价上升至 23.5 美元,升幅达 2.17% , DDR3 2GB 亦上涨约 1.82% 至 14 美元水平,综合整个 3 月份 DRAM 合约价格上升幅度,其价格已大涨逾 20% ,下旬升幅主要是延续上旬价格上升馀势所致。

其中,由于 Samsung Galaxy S4 需求远超过预期, Samsung 为增加行动式记忆体出货,将部份生产比较进一步移至行动式记忆体,令标准型记忆体的产出缺口更为扩大,加上 Apple 于今年将推出不少于一款新手机,有关 DRAM 厂商已开始扩大生产行动式记忆体,而且刚于 3 月台湾发生地震,令准型记忆体出货量更为紧张,预 4 月合约价格将维持上涨。
4GB记忆体模组1季累计升幅5成 未见顶 平价记忆体模组时代不再?
文章索引: DRAMeXchange
市场调查机构 DRAMeXchange 18 日表示,近期记忆体价格大幅上涨, 3 月上旬 4GB 记忆体模组价格已升近 2 成,当中以 2Gb 颗粒价格上升速度最大,由今年初约 US$1.05 迄今已升至 US$1.75 ,累积升幅高达 6 成以上,主要是 MID 平板 PC 需求增加带动了颗粒需求,由于这样产品採用与一般 PC 相同,直接影响到 PC 用记忆体模组价格。

据 PC 业者表示,现时主流记忆体模组以 4GB 为主, 3 月份的合约价格已达 US$22-24 ,升幅约为 1 成 5 , 2GB 记忆体模组由于已进入世代交替供货已开始减少,因此货源变得更不不稳定,合约价格已升近 US$14 美元水平,升幅超过 2 成。

由于 Intel 与 AMD 均会在下半年推出全新 PC 平台,加上下半年为传统 PC 出货旺季,儘管记忆体模组价格升幅甚高, OEM 厂商仍为愿意在高价位备货,预期短期内记忆体价格只会逐步回稳,但不会有大幅下调的情况,加上各大记忆体厂商协意减产,记忆体模组价格难以回到昔日低贱价位。
二月DRAM合约价升幅仍然强劲 预期上半年价格走势将持续上扬
文章索引: DRAMeXchange
继一月份 DRAM 记忆体合约价格走势强劲后,据市场调查机构 DRAMeXchange 最新发表的二月合约价格报告指出,其价格仍维持强劲的上涨动能,其中 DDR3 1600Mhz 4GB 记忆体模组与上月相较大涨逾 11% , 2GB 模组供在供应减少下,涨幅亦逼近 13% ,而且无论现货或合约市场,走势均维持上涨格局。

据调查报告指出,二月份 DRAM 合约价延续一月走势,其中 DDR3 1600Mhz 4GB 记忆体模组与上月相较大涨逾 11% ,均价达到 19.75 美元,高价区成交更一度至 20 美元水平,已被 4GB 模组取代成主流的 DDR3 2GB 记忆体模组方面亦不遑多让,在供给减少的影响下,涨幅逼近 13% ,价格一举衝破 11 美元水位。

据 DRAMeXchange 表示,目前现货市场亦与合约价格走势接近,由于 DRAM 原厂减少供货并移往合约市场, DDR3 1600Mhz 2Gb 现货均价已由二月初的 1.26 美元上涨至今约 1.36 美元,涨幅逼近 8% 。
去年Q4营收大幅成长达21.4% 两大韩系厂商共佔80%行动记忆体市佔
文章索引: DRAMeXchange
目前智慧型行动装置应用普及,据市场研究机构 DRAMeXchange 早前的调查显示, 2012 年第四季行动式记忆体营收大幅成长,较第三季度上升达 21.4% ,营收总额达 24 亿 4400 万美元,更是 2012 年最高的单一季度,其中两家韩系大厂更共佔得整体市场近 8 成市佔率,表现凌厉。

据调查报告指出,去年第四季行动式记忆体受惠于全球智慧型手机出货进入传统旺季,其中 Apple iPhone5 虽上市后吸引力已大减,但仍创下 4000 万台的单季销售纪录,另一品牌 Nokia 推出的新机种 Lunmia920 销售亦较预期理想,加上中低阶智慧型手机出货亦大幅攀升,让第四季全球行动式记忆体营收较上季成长达 21.4% 。

据了解,由于中低阶智慧型手机普遍搭载嵌入式多晶片封装 (MCP/eMCP) 的记忆体产品,因此让两大韩系厂商受惠,成长力道最为强劲,其中 Samsung 营收稳居市场龙头地位,成长率则达 26.9% ,另一家韩系厂商 SK Hynix 营收成长率更达到 36.5% ,表现进步,同时两家厂商在整体市场中佔得 78.5% 市场率有率,其寡佔态势更胜标准型记忆体市场。
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