6 月上旬正式过去，据市场调调查机构 DRAMeXchange 最新针对 NAND Flash 合约价格走势的调查报告指出，受惠新一波系统 OEM 客户备货需求带动， 6 月上旬主流 NAND Flash 合约价小幅上扬，同时预期 6 月下旬 NAND Flash 合约价仍然会维持上涨的可能性。

据 DRAMeXchange 表示，由于下半年智慧型手机、平板电脑即将踏份出货旺季，各系统 OEM 厂商为了确保货源充裕，自 6 月上旬开始动了新一波的新产品备货需求，使得 NAND Flash 供应商选择将产出优先满足系统端客户为主，令可分配给通路端客户的产出大幅受到排挤，形成通路市场供货更为吃紧。

在通路市场中自身库存可能无法满足下半年传统旺季期间的需下，加上厂商需要面对 NAND Flash 价格未来可能继续上涨作准备，因此大多数厂商倾向提早进行备货，建立安全的库存水位以配合即将来临的需求，在需求进一步增强而供应却越趋紧张下，使得 NAND Flash 合约价较 5 月下旬录得小幅上扬，升幅约为 2 ~ 4% 。

由于标准型记忆体价格由去年第四季开始回升，令不少一线 DRAM 厂商放缓把标准型记忆体产能转入行动式记忆体的速度，使得第二季行动式记忆体供应减少，进而舒缓行动式记忆体的合约价格跌幅，其中主流容量产品如 LPDDR2 4Gb 、 8Gb 与 16Gb 产品跌幅均缩小到 10% 以下，同时将预期下半年的价格降幅将逐步缩小。

去年初标准型记忆体长期处于供过于求情况，令价格持续下跌，跌幅甚至令部份厂商出现亏损，相反，随着智慧型及平板电脑应用普及，行动记忆体需要大增，在获利幅度比较标准型记忆较高的情况下，不少厂商均纷纷把产能比重落转移在行动式记忆体之中，但当行动式记忆体供应增加后，在需求未有大幅增长下，行动记忆体价格亦转趋下跌。

随着场去年 10 月开始，厂商为免标准型记忆体亏损情况加剧，陆续採用取减产策略，由于供应减少，标准型记忆体价格由去年第四季开始回升，价格至今已连续上升五个多月，让厂商重回获利景况，因此一线厂商也开始放缓产能转入的速度。

自去年第四季 NAND Flash 营收达到高峰过后，由于第一季智慧型手机与平板电脑需求衰退， 2013 年第一季 NAND Flash 价格走势只维持平稳，未有再进一步上升，令整体第一季 NAND Flash 品牌供应商营收较上季下滑，但幅度尚算轻微。就各 NAND Flash 厂商表现观察，据市场调查机构 DRAMeXchange 表示，但仍以 Samsung 的市佔率为业界领先者，其后依次为 Toshiba 、 Micron 、 SK Hynix 和 Intel 。

据 DRAMeXchange 发表的 2013 年第一季 NAND Flash 报告指出，第一季智慧型手机与平板电脑等终端需求衰退，尤幸在 NAND Flash 供应商持续调节供货量之下， NAND Flash 价格走势仍维持平稳，由去年第四季高仅下滑 2.1% ，总营收达到 51.93 亿美元。

其中，按 2013 年第一季 NAND Flash 品牌厂商季营收排行显示，目前仍以 Samsung 录得 19.34 亿美元营收，并以 37.2% 市场佔有率排行首位。虽然 2013 年第一季整体智慧型手机与平板电脑等装置需求较上一季度下调，但受惠 Samsung 手机产品强势， eMMC 与 SSD 出货依旧稳健，而且位元出货量较去年第四季有所增加，不过平均价格受系统产品出货比重持续攀升的情况下减少，令第一季营收仅较上季下滑约 5.9% 。预期，在 Samsung 在 SSD 与 eMMC 等系统产品持续加速转进 1x nm ，而且持续提升 TLC 产出比重下，第二季位元出货成长率将有双位数以上的成长。

DRAM 价格近月持续强势上升，反观旬 NAND Flash 合约价则在 4 月下旬受到淡季效应而表现仅为稳持平，仅低容量 32Gb MLC 颗粒因供应减少而出现小幅上涨，但涨幅也开始收敛，据市场调查机构 DRAMeXchange 预估，第二季在整体终端需求普遍转弱的情形下，高容量 MLC 晶片价格将继续软弱。

据 DRAMeXchange 指出，在传统销售淡季中，虽然市场期待中国五一假期可拉抬整体市场买气，但由于 4 月上旬过后通路市场客户对后市採取保守观望态度，备货动能不如预期，即使 NAND Flash 原厂透过紧缩通路市场供货，以减缓淡季效应衝击，但在随身碟与记忆卡需求持续衰退下，通路端客户对 NAND Flash 价格更为严谨，接受高价订货意欲大大减低，使得 4 月下旬 NAND Flash 合约价未有上升，仅维持平稳走势。

不过，由于厂商将产能转往 64Gb 以上的高容量颗粒，令低容量 32Gb MLC 颗粒供应减少，因此 32Gb MLC 仍可维持小涨 5-6% ，但在目前供给端减少的幅度仍大于需求端的下滑，在供不应求的情况下虽能维持涨势，但涨幅也开始收敛。

由于 DRAM 供应商持续将产能转移至非标准型记忆体，在供应量不明朗因素下，为了避免后续缺货的可能性，不少 PC-OEM 厂商正试图在第二季传统淡季拉高库存水位，令到 DRAM 合约价于四月份持续上扬，更已是连续五个月上升，其中 DDR3 4GB 记忆体模组价格至今涨幅超过 70% 。

据市场调查机构 DRAMeXchange 8 日发表针对 DRAM 四月下旬合约价走势报告指出， DDR3 4GB 四月份最高价格达 27 美元水平，比较三月涨幅高达约 13% ，均价为 26.5 美元，同时成交量表现理想， 2GB 模组状况同样受供应减少而令价格上升，价格较上月涨幅达 9% ，最高来到 15.5 美元水平。

据了解， DRAM 合约价已是连续五个月上升，主要是由去年标准型记忆体颗粒严重供过于求，使得价格持续下跌令厂商出现亏损，为使 DRAM 价格回复健康，厂商于去年底开始厂商把标准型记忆体产能转移至非标准型产品，令标准型记忆体供应量减少，买方为免缺货，因此最月拉高库存水位，使得价格持续回升。