进入下半年，各大 DRAM 厂已陆续洽谈第三季合约价格，根据 DRAMeXchange 调查显示，受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临，即便供给位元成长逐季增加，平均销售单价仍可望小幅上扬。

DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出，回顾第二季，各供应商陆续转进 1X 或 1Y 奈米製程，虽然陆续传出有良率不甚稳定或量产品出现品质疑虑的状况，但相较第一季，供货位元季成长仍有 3.2%。然而，就买方而言，由于库存尚未达到安全水位，因此仍有相对稳健的拉货动能，带动 DRAM 整体均价呈现微幅季成长。

展望第三季，由于 1X 或 1Y 奈米的比重将持续增加，DRAMeXchange 预估，第三季供货位元成长可望达 4 .8%，但在旺季需求的支撑下，DRAM 价格仍会持续小幅上扬，带动第三季 DRAM 总产值续创新高。

根据 DRAMeXchange 最新的调查显示，下半年 NAND Flash 市场受需求动能相对平淡，以及供应商 64/72 层 3D NAND 良率及产出继续提升影响，市场将从原先预期的供给紧缩来到接近供需平衡的状态，预期各产品合约价仍将续跌。

回顾 2018 年上半年 NAND Flash 市场状况，受到传统淡季衝击及 64/72 层 3D NAND 产能稳定扩张影响，各类产品合约价已连续两个季度下跌，各供应商也在这段期间内藉由对高容量产品提供价格诱因，吸引客户增加搭载容量，以刺激旺季需求进一步成长，同时稍微放缓今年的扩产计画，试图力挽价格走跌态势延续至下半年。

然而，从需求面来看，第三季虽属传统旺季，但来自智慧型手机、笔记型电脑及平板电脑的需求分别呈现 0-1%、0-1% 及 9-10% 的季成长，动能相对平淡，供应商试图透过进一步降价刺激需求，却也让价格跌幅大于先前预期。

记忆体储存研究 DRAMeXchange 表示，2018 年第一季随着需求进入淡季循环，促使价格向下修正，第一季 NAND Flash 品牌厂营收季减 3%，第二季市场仍处于小幅供过于求的状态，eMMC/UFS、SSD 等合约价持续下跌，但供应商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如 256GB SSD、128/256GB UFS 更高的位元需求成长，因此预计各供应商的营收表现仍可持稳。

根据记忆体储存研究 DRAMeXchange 调查显示，去年下半年智慧型手机的新机发表并未如预期带来换机效应，因此自去年第四季中开始，市场提早进入传统淡季。品牌厂在历经 3 个月的库存水位调节后，于今年二月底才见市场需求转旺，并重启拉货动能，其中又以旗舰新机需求的大容量记忆体居多。整体而言，第一季受到智慧型手机市场回温、新机发表，以及行动式记忆体平均单价上涨的影响，全球行动式记忆体产值来到 84.35 亿美元，较去年第四季提升约 5.3%，一反以往第一季营收衰退的轨迹，再度刷新历史记录。

展望第二季行动式记忆体产值表现，儘管合约价格涨幅趋缓，但受惠中国四大品牌 HUAWEI、小米、OPPO、vivo 的需求持续看旺，以及 Android 阵营、Apple 阵营旗舰新机主流搭载容量上升的影响，预估第二季行动式记忆体总产值仍有机会较第一季成长。

DRAMeXchange 记忆体储存研究指出，中国记忆体产业目前以长江存储、合肥长鑫以及晋华集成三大阵营为主，以目前的进度来看，其试产时间预计将在 2018 年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在 2019 年上半年，揭示着 2019 年将成为中国记忆体生产元年。

合肥长鑫的厂房已于去年 6 月封顶完工，去年第三季开始移入测试用机台，试产时程将会落于今年第三季，量产则暂定在 2019 年的上半年。此外，由于合肥长鑫直攻三大 DRAM 厂最重要产品之一的 LPDDR4 8Gb，之后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。

另外，专注于利基型记忆的晋华集成，在 2016 年 7 月宣布于福建省晋江市建 12 吋厂，投资金额约 53 亿美元，以目前进度来看，其利基型记忆体的试产延后至今年第三季度，量产时程也将落在明年上半年。