DRAM 记忆体在供应减少下，价格显着回升，另一方面， NAND Flash 在智慧型手机及平板电脑新机型上市备货需求回温，加上厂商同样採用减产策略下，整体 NAND Flash 品牌供应商位元出货量较上季成长约 15% ，而平均价格则维持平稳走势，营收较上一季成长 14.6% ，虽然全年营收仍然较去年下跌约 6.6% ，但已较第四季原预期理想。

目前， 2012 年全年 NAND Flash 品牌厂商季营收排以韩系大厂 Samsung 佔据领导地位，营收为 72 亿 8 千 6 百万美元，市占率为 38.2% ， 2012 年第四季营收为 20 亿 5 千 4 百万美元，市占率为 38.7% 。虽然受到韩圜升值的影响，但嵌入式产品及 SSD 受惠于系统产品客户的 OEM 需求回温及 NAND Flash 市况转为供需均衡的助力下，第四季位元出货量增加约 20% 以上，即使平均价格下跌 10% ，但营收仍较上季增加约 12.8% 。预期 2013 年第一季多数系统终端产品的需求将会受到传统淡季效应的影响，第一季位元产出成长率将为 10% 以下。

Toshiba 全年营收为 53 亿 2 千 2 百万美元，市佔 27.9% 排名第二， 2012 年第四季营收为 14 亿 6 千 6 百万美元，市佔 27.6% 。 NAND Flash 第四季价格平稳， Toshiba 可记一功，虽然在第三季减产约 30% 产能，但第四季受惠于系统产品客户的 OEM 订单增加，使得产能利用率得以调升，再加上日圆贬值以及 19nm 製程产出比重持续提高，使得第四季平均价格较微幅上涨。

受惠于两大韩厂 PC DRAM 的产出逐渐减少，据市场调查机构 DRAMeXchange 针对 DRAM 发表的价格走势报告指出， DRAM 价格在 1 月上旬上涨走势持续强劲，其中 4GB 模组涨幅逾 7% ， 2GB 模组最高价涨幅也突破 10% ，预期位期内涨势仍然持续， 4GB 模组可望持续向 20 美元关卡迈进。

据报告指出，在刚过去的 1 月上旬中，主流 4GB 记忆体模组最高价达到 17.5 美元，涨幅达 7% ，而 2GB 模组最高价涨幅突破 10% 至 10.25 美元价位，预期短期内续涨动能仍强，下旬价格将可望挑战 18 美元，甚至可望迈向 20 美元。同时，现货市场方面， 2Gb 颗粒均价上涨 13% 到达约 1.19 美元，显示现货市场和合约市场走势均表现强劲。

由于预期 2013 年首季 Notebook 出货量将出现下跌走势，跌幅约 13% ，加上 Intel 的最新款处理器 Haswell 也将于第二季才推出，短期内需求清淡，因此预估是次价格持续回升，最大原因是早前 PC DRAM 产出逐渐减少，以解决早前供过于求令价格下跌情况。

进入 2013 年，市场调查机构 DRAMeXchange 早前发表 2012 年 12 旬合约价走势报导告，并同时发表针对 2013 年 DRAM 产业发展的大趋势分析，指出 2013 年 DRAM 厂商三强鼎立大者恆大市场趋势确立，行动式记忆体与伺服器用记忆体跃升市场主流，另一方面 20nm 与 30nm 製程成为 2013 年市场主流规格，而早前减产效应也为 2013 年标准型记忆体价格重拾稳定。

据早前 12 月下旬的 DRAM 价格走势报告指出，在刚过去的半月中， DRAM 合约价格受到现货价格拉抬，价格继 12 月上旬上升后表现持续强势，尤其是主流模组 4GB 的高价位价格上涨最多，达到 3.17% ，成交价约在 16.25 美元，与合约均价的 15.75 美元已有着 0.5 美元的差额，显示 DRAM 供应厂商的议价能力有明显差异。

预期韩系大厂 2013 年将在 PC DRAM 比重方面大幅减产，重心将会转移落在行动式记忆体身上，令 PC OEM 能够选择的厂商数量缩减，同时也影响其议价能力，使未来的议价主导权将落在 DRMA 厂商方面，在目前 PC-OEM 库存需要回补下， DRAM 价格仍将呈现上涨的趋势，同时由于供需平衡有明显改善，标准型记忆体近半年的跌势可望暂时休止。

受惠智慧型手机、平板电脑稳健成长，儘管市场对明天经济状况仍趋保守，但据市场调查机构 DRAMeXchange 分析指出，预期明年 NAND Flash 产值增长率可达 15% ，而且在 eMMC 与 SSD 发展正面的势态下， NAND Flash 需求位元年成长率可望有良好表现。另一方面，预期明年 NAND Flash 在市场供需趋于平衡下，平均销售价格虽然仍会下跌，但跌幅将会较今年大幅收窄。

据 DRAMeXchange 指出，现时过智慧型手机、平板电脑表现强劲，预期明年仍可稳健成长，加上 Ultrabook 渗透率也将逐渐提升， eMMC 与 SSD 需求不断，整体 NAND Flash 需求位元年成长率也可达 47.6% 。

另一方面，虽然今年上半年 NAND Flash 需求因景气因素造成市况明显供过于求，导至价格大幅下滑，但自 Toshiba 早前开始採取自身产能减产 30% 的政策下，供过于求情况得到改善， 2013 年 NAND Flash 供给端在 12 吋投片产能较 2012 年增加 4% ，加上资本支出预计较今年减少 22% 的情况下，预计 2013 年 NAND Flash 平均销售价格跌幅可望收窄至 22% ，比较今年 39.7% 跌幅大幅收敛。

随着进入 12 月下旬，市场调查机构 DRAMeXchange 针对刚过去的 12 月上旬发表 NAND Flash 合约价格走势报告，指出虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，但在 NAND Flash 厂商持续对零售市场减少供货的下， 12 月上旬 NAND Flash 合约价持平，仅小幅下跌 1 至 2% ，但预期 NAND Flash 合约价将呈现缓跌走势。

据报告指出， 12 月上旬 NAND Flash 合约价受 NAND Flash 原厂持续减少零售市场的供货下，即使面对销售旺季备货高峰期已过，但价格仍未有大幅下跌，仅出现小幅 1 至 2% 的跌幅，而早前 SK Hynix 厂房曾出现的产线短暂跳电情况则未有严重影响 NAND Flash 颗粒供应。

同时，在市场需求方面，智慧型手机与平板电脑厂商早前已为圣诞假期作好铺货准备，加上年底财报与库存盘点因素，买方在 12 月中下旬採购需求已减缓，但一方面， NAND Flash 原厂持续降低对于零售市场的供货，以拉高系统产品出货比重，因此在两者对冲下， NAND Flash 于 12 月上旬价格相对持稳。