记忆体储存研究 DRAMeXchange 表示，NAND Flash 市场第一季已呈现供过于求，儘管第二季随工作天数回复后需求有所增长，但成长力道仍偏弱，预期 NAND Flash 将维持小幅供过于求态势，价格方面也将持续走跌。

针对下半年 NAND Flash 市场走势，DRAMeXchange 指出，从需求面来看，下半年除了有旺季效应之外，通路市场随着价格下修而出现复甦态势，以及智慧型手机搭载容量持续提升等因素带动，位元需求成长表现稳健。

观察供给面，DRAMeXchange 指出，因应上半年的市场走势，部分供应商已减缓扩产速度，下一个世代的 9x 层 NAND Flash 製程要至 2019 年起才会有较具规模的出货，对 2018 年的供给影响有限，而备受外界关注的中国供应链长江存储的产能也要到 2019 年起才会较具规模，同样对 2018 年的市况影响甚微。

Micron 与 Intel 在 1 月 8 日宣布其 NAND Flash 合作伙伴关係将于完成第三代 3D-NAND Flash（96层）开发之后终止，各自研发未来的 NAND Flash 技术，以符合双方品牌产品所需，并维持 Lehi 厂 3D XPoint 的合作关係。针对该项消息，TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，由于 96 层 3D-NAND 直到 2019 年才逐渐成为主流，研判 Micron 与 Intel 拆分结盟的决议要到 2020 年后才会影响双方产品的规划与结构。

DRAMeXchange表示，Micron 与 Intel 之间的 NAND Flash 採购协议并未因此中止，短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈衝击。从产出端来看，后续 Intel 将专注以大连厂产出供给伺服器 SSD 之用，而 Micron 则拥有新加坡两座 3D-NAND Flash工厂产能，并搭配生产 DRAM 优势，具有弹性的策略发展及产品组合。

根据 DRAMeXchange 最新的研究指出，2018 年第一季在需求端面临到传统淡季的衝击，预计智慧型手机、平板电脑装置量需求将较 2017 年第四季下跌逾 15%，而伺服器需求相对持平，整体位元需求量较 2017 年第四季呈现 0-5% 下跌。另一方面，NAND Flash 供应商仍持续提升 3D-NAND Flash 的产能及良率，位元产出成长亦较第四季高于 5%，预期 NAND Flash 市场将进入供过于求态势，2018 年第一季固态硬碟、NAND Flash 颗粒及 Wafer 等合约价皆将翻转走跌。

回顾 2017 年上半年，第一季在供给端由于 2D-NAND 转往 3D-NAND 导致产能损失，加上中国手机厂商如 Huawei、OPPO、Vivo 的强劲备货需求，加剧 NAND Flash 缺货状况，包含 eMMC/UFS、Client SSD 及 Enterprise SSD 合约价都有至少 10% 以上的价格涨幅。进入第二季后，儘管工作天数回复，促使笔记型电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加，但中国品牌手机表现不如预期，价格涨幅因此较前季趋缓。

观察 2017 年下半年 NAND Flash 市场变化，第三季在苹果十周年新机上市以及伺服器的双头马车带动下，整体供应缺口进一步扩大，但价格经过数季的调涨以后，已经来到各个 OEM 厂所能接受的上限，致使价格调涨空间受限。第四季在伺服器需求稍踩剎车的影响下，仅剩苹果的需求动能较为显着，而东芝晶圆报废一事亦不如外传严重，加上 3D-NAND 的扩产脚步未停，致使市场更趋向供需平衡状态，整体合约价以持平或小涨开出。

DRAMeXchange 日前公佈记忆体储存研究调查报告，指出 2017 年第三季度的 DRAM 产业营收表现又再度创下历史新高，受惠于传统销售旺季加上供给端成长有限，各类 DRAM 产品合约价普遍较前一季再上涨约 5%。从市场面观察，第三季度 DRAM 总营收较上季再成长 16.2%，整体产业仍处于供货吃紧的状态。

展望下一个季度，2017 年第四季 DRAM 价格平均涨幅将落在 10%。其中，PC-OEM 厂已议定第四季度合约价格，就一线大厂订价来看，均价已正式突破 30 美元，落在 30.5 美元，较上一季平均涨幅约达 7%；从市场面来观察，此波涨幅主要受到行动式记忆体接棒涨价带动，配合 DRAM 供给吃紧的状况延续，以及智慧型手机旗舰机种的旺季效应，以 Samsung 为首的 DRAM 厂决定调升行动式记忆体报价，而手机客户为了备有足够库存也只能接受，因此行动式记忆体在第四季涨幅约有 10-20% (取决于不同的容量)；而伺服器记忆体拉货动能亦十分强劲，第四季度合约价继续上涨 6-10%。

两大韩厂第三季合併市占率达 74.5%，Micron 第四季可望缩小市占差距

记忆体储存研究 DRAMeXchange 指出， 2017 年 NAND Flash 产业需求受到智慧型手机搭载容量与伺服器需求的带动，加上供给面受到製程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自 2016 年第三季起已持续六个季度； 2018 年 NAND Flash 供给将增加 42.9% ，需求端将成长 37.7% ，整体供需状况将由 2017 年的供不应求转为供需平衡。

从 NAND Flash 的供给面来看，因为 NAND 製程从 2D 转进 3D 不如预期，导致 201 7 年非 Samsung 阵营的新增产能没有百分之百完善利用，再加上转换期间所带来的产能损失，让 2017 年市场呈现整体供不应求的状态， 2018 年随着非 Samsung 阵营供应商在 64/72 层 3D-NAND 製程成熟后，整体 NAND Flash 产业供给量年成长率预估将达 42.9% 。

然而，观察 2018 年需求面状况，在第一季淡季影响下，智慧型手机、 PC 、平板电脑等出货量预期都将比 2017 年第四季来得明显下滑，综观供给与需求面状况， 2018 年 NAND Flash 市场将从供不应求转为供需平衡。