Computex 2018 大会在今日正式揭开序幕，Intel 亦率先在 Computex 2018 首日举行了「Intel Keynote」主题演讲，在未开始前已有不少的消息传出会发佈 40 週年纪念版的 Core i7-8086K，又或者会发佈全新的 Z390 晶片组，究竟在会上 Intel 会发佈甚麼新产品? 就等 HKEPC 为大家报导一下。

在 Computex 2018 大会首日举行的「Intel Keynote」由Intel资深副总裁暨客户运算事业群总经理 Gregory Bryant 发表主题演讲，一开始 Gregory Bryant 提到在下个月 Intel 将踏入 50 週年，是一个非常值我庆祝的日子，虽则在近年续步转向数据为中心的时代，但Gregory Bryant表明个人电脑仍然是 Intel业务仍然是最关键的部份，并相信这个领域在未来还有有很多的机会。

除了Intel 将会踏入50週年之外，Gregory Bryant亦提到在Intel x86 架构已有40 年的历史，在1978 年6 月8 日发佈了第一颗 16-bit 的 8086 处理器，并成为IBM-PC 处理器架构的最主要标准，为了纪念x86架构、16-bit处理器8086诞生40週年，Intel将会推出限量版第8代 Intel Core i7-8086K处理器，并将会在 2018 年 6 月8 日正式推出市场。

在日前已报导过 Intel 40 週年纪念版 Core i7-8086K 在北美及俄罗斯网店现身，虽然可以提前预购，但确实的上市时间将会在 6 月 8日，目前在万能的淘宝网已有不少商家将这颗处理器上架，订价为人民币 3999 元。

由于这款 40 週年纪念版 Core i7-8700K 处理器全球仅限量推出 5 万颗，预计刚上市很快就会出现供不应求的情况，基本上未知香港将会获得多少货存，想获得一颗真是得来不易。

Intel 继宣佈将会推出「Optane DC Persistent Memory」后，最新再确认正在开发两款不同的 QLC 固态硬碟，分别针对消费和商用市场，将会採用 64 层 QLC 3D NAND Flash，最大储存容量将高达 20TB，并将会在今年下半年推出市场。

在较早时间，Toshiba 及 Micron 已宣佈将会推出新一代的 QLC NAND Flash，基本上，QLC NAND 採用 4 bits per cell 的写入方式，每个单元添加更多 bits 也会影响 NAND 单元的寿命，因此会减少可写入的次数。就像TLC 一样，很多新技术如error-correction mechanisms错误纠正机制，可有助增加了各个SSD的使用寿命，同时 QLC 亦将可提供 1000 P/E Cycle 写入寿命。

在客户端市场方面，Intel将在今年下半年推出基于QLC的SSD，儘管还没有正式命名，但预计将会是早前洩露的 Intel 660p 型号，为一款採用 PCIe 3.0 x2 接口且容量高达 2TB 的低阶 M.2 SSD，运行速度高达 1,800 MB / s。

根据网上最新的消息，Intel 正在准备为入门级市场推出新款的 Xeon 处理器，全部基于 Coffee Lake-S 架构，属于 Xeon E 系列 -- Xeon E3 的后续产品，合共提供了 10 款型号，最多可达 6 核心设计，当中部份型号更内建了 iGPU 绘图效能。

Intel 全新的 Xeon 处理器产品共有 10 款型号，主要针对入门级伺服器及工作站平台，型号分别为「Xeon E-2124」、「Xeon E-2124G」、「Xeon E-2126G」、「Xeon E-2134」、「Xeon E-2136」、「Xeon E-2144G」、「Xeon E-2146G」、「Xeon E-2174G」、「Xeon E-2176G」及「Xeon E-2186G」。

据了解，Xeon E-2100 仍旧基于 Coffee Lake 架构，採用 LGA1151 接口，支援 C246 晶片组主机板，有关各种型号的规格尚未确认，只有 「Xeon E-2124G」和「Xeon E-2176G」是 已知型号的，据称「Xeon E-2124G」是四核心、四线程处理器，但提供了 Turbo 模式， 3.4 GHz 的基本时脉可以扩展到 4.5 GHz。 「Xeon E-2176G」与 Core i7-8700K 相似：12 线程工作在 3.7GHz 至 4.7GHz 时脉。

自从 Intel 及 Micron 在 2015 年开始合作研发 3D XPoint 技术以来，外界一直非常期待能够推出基于这种技术打造的记忆体，Intel 在去年宣佈将会推出Optane DIMM 的储存设备并在近日正式公佈相关资料，「Optane DC Persistent Memory」 备有 128 GB、256 GB 及 512 GB，相比现有的记忆体提供更大的储存容量、持久性及更高的数据传输效率。

Intel 全新「Optane DC Persistent Memory」 DIMM 记忆体适合用于伺服器中的 DDR4 插槽，基于 3D XPoint 技术的“堆疊”性质，可以提供更好的性能。「Optane DC Persistent Memory」DIMM 记忆体结合了 DRAM 及 NAND Flash 两者之间的优点，具有 DRAM 的速度及低延迟，同时亦能够提供 NAND Flash 的耐用度，即使在断电的情况下仍具有数据储存的能力。

非易失性储存器通常用于固态驱动器和 USB 随身碟（NAND），而易失性存储器通常用于系统记忆体（DRAM），由于 Optane DIMM 记忆体是一种非易失性储存器，所以这种类型的储存设备在设备关闭时仍能保存数据，并非如一般的记忆体一样会失去未储存的资料，而 Intel 就将两者结合并打造成 DIMM 记忆体外形的产品，同时其写入续航能力比 NAND Flash 更好。