Qualcomm 22 日召开的 5G 峰会上正式发佈第二代千兆级 LTE 解决方案 Snapdragon X20 晶片组，基于 10nm FinFET 製程工艺打造首款商用的产品，拥有「像光纤一样」高达 1.2 Gbps 的 LTE Category 18 下载速度，相较上代产品提升了 20% 的下载速度。

全新 Snapdragon X20 晶片组可支援横跨授权与非授权 FDD 和 TDD 频谱、最高达 5x20 MHz Carrier Aggregation ，并在最多 3 路聚合的 LTE 载波上支援 4x4 MIMO ，亦是首款支援双 SIM 卡双 VoLTE （ DSDV ）功能的 Snapdragon LTE 数据机。 Snapdragon X20 LTE 数据机是首款商用支援单晶片射频收发，它能够同时接收最多达 12 路的 LTE 串流数据。随着数家领先的 OEM 厂商和运营商在全球发布支援千兆级 LTE 的终端和网络， Snapdragon X20 LTE 数据机的推出将在整个移动生态系统中推动全新连接体验的发展。

通过使用 4x4 MIMO 技术， Snapdragon X20 LTE 数据机的峰值速率可超过千兆级 LTE 。通过这些功能， Snapdragon X20 LTE 数据机仅使用 3 个 20 MHz 载波即可同时接收 12 个独立数据流。同时 Snapdragon X20 LTE 数据机支援 256-QAM ，下载速率提升至约 100Mbps ，在上载方面亦支援 2x20MHz 载波聚合及 64-QAM ，可提供高达 150Mbps 的速率。

Qualcomm 早前公佈了下代旗舰级手机或平板必配的高阶处理器 - Snapdragon 835 ，但未有就规格细节作进一步说明，仅表示以最新 10nm 工艺制程製造，引起市场人士注意，近日该处理器规格细节正式曝光，让用家率先窥探下代新处理器特点。

相对 12nm - 14nm 制程， 10nm 的世界更为精密複杂，经过多年以 14nm 制程生产经验， Qualcomm 正式将 10nm 制程带到用家装置内，率先于最新 Sanpdragon 835 以 10nm 工艺制程生产，并是首枚支援 Windows 10 的 ARM 处理器，搭配该处理器的智能手机将 2017 年上半年正式推出，令市场期待。

最新 Sanpdragon 835 定位高阶市场，以 4 组 2.45GHz 高效能核心及 4 组 1.9 GHz 省电核心组成 8 核心 Kryo 280 架构，效能得 27% 提升，并将功耗降低 40% ，让现时的手机运作更具效率并加长电池续航力。此外，更精细制程令 835 体积缩减 30% ，手机内有限的狭小空间能被充份利用。

Qualcomm 上月正式透露即将推出 2017 年高阶行动处理器 - Snapdragon 835 ，高调表示该处理器为业界首款採用 10nm 工艺製程处理，效能功耗大幅优化，虽然官方尚未正式公佈规格，但市场人士已得到该平台，并已进行评测，一赌为快。

Qualcomm Snapdragon 835 由 Qualcomm 及 Samsung 共同开发，率先採用 10nm 工艺制程，官方表示，晶片封装比 14nm 晶片减少达 30% ，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更减低 40% ，更加入 Quick Charge 4.0 快速充电技术，整体令人期待。

据市场人士表示，相对近两代均採用四核心为高阶处理器构架的蓝图， Snapdragon 835 改用 8 组处理核心构成，时脉为 2.2GHz ，内建 Adreno 540 GPU ，绘图效能比 Snapdragon 821 亦提升 30% ，效能顶级。

Qualcomm 17 日宣佈下一代旗舰流动处理器 - Snapdragon 835 (QS835) 正式投产，预计内建 QS 835 的装置将于 2017 年上半年面世，该处理器由 Qualcomm 及 Samsung 共同开发，据称採用 10 nm 工艺制程製造，并加入 Quick Charge 4.0 快充技术。

市场上主流高阶手机 / 平板大部份均採用 Qualcomm Snapdragon 821 处理器，但很快将会改朝换代，因 Quclomm 近日发出消息指下代 Snapdragon 835 已经开始量产，由 Samsung 代工，将于 2017 年上半年正式面世。

暂时仍未公佈具体细节，据现时所知 QS835 将会进一步採用 10nm 工艺制程，意味内部更加精密及微细，晶片封装比 14nm 晶片减少达 30% ，有利开发者架设更佳硬件佈局。同时，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更减低 40% ，整体有利流动装置的发展。

Qualcomm 最新推出的三款针对中阶及入门级市场的处理器，包括 Snapdragon 653 、 Snapdragon 626 及 Snapdragon 427 ，三款新品亦改用 X9 LTE 调解器晶片组，提供 Cat 7 下载及 Cat 13 上载能力，传输速率最高分别为 300 Mbps 下载速度及最高 150Mbps 上载速度，相对上代 X8 LTE 晶片提升 50% 效能。

另外，为满足用家对充电速度的需求，加入 Quick Charge 3.0 快充技术于晶片内，据官方表示只需 35 分钟左即可为电池充入 80% 电量。同时，拍摄模组方面新增支援双镜头功能，为新镜头技术作出准备。

Qaulcomm Snapdragon(QS) 653 处理器为上代 QS 652 升级版，以 28nm HPm 工艺製造，整合採用 4 组 高效 ARM Cortex-A72 核心配合 4 组省电 ARM Cortex-A53 核心组成八核心 64 bit 架构，时脉提升至 1.95GHz ，相对上代提升约 10% 效能。