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10nm 制程 IPC 性能最高提升 19% Intel 11 代 Core-H 行动处理器正式开售
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Intel 11 日正式发佈第 11 代 Core-H 系列行动处理器,主要针对高性能 Notebook 及 Gaming Notebook 市场,採用 10nm SuperFin 程、Willow Cove 微架构,最高提供 8 核心、16 线程,核心时脉最高可达 5GHz,支援 PCIe Gen 4、Thunderbolt 4 与 Wi-Fi 6E 无线网络,抢攻高阶 Notebook 产品市场。

全新 11 代 Core-H 处理器、代号 Tiger Lake-H,规格与桌面版 Rocket Lake 非常相似,採用全新 10 核心 SuperFin 制程、Willow Cover 处理器核心,性能相较 10 代 Core-H 处理器 IPC 性能最高提升 19%,并且追加 PCIe 4.0 规格,换上新一代 500 系列晶片组,DMI x8 频宽相较上代增加一倍,虽然性能与频宽进一步提升,但功耗表现维持低水平。

新平台还增加了 20 条 PCIe 4.0 Gen4 Lanes,用作连接新一代 GPU 与 SSD 产品,记忆体支缓亦提升至 DDR4-3200、具备高速 Thunderbolt 4 连接埠支援 40Gbps 传输速度以及次世代 Wi-Fi 6E 无线网络。
【跑赢 AMD!?】Z690 首次现身,今年年底登场 Intel 12 代 ADL_S 兼容 DDR4、DDR5 两代 RAM
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早前曾有业内人仕透露 AMD Zen 4 处理器或受 TSMC 5nm 产能不足的影响略延至 2022 年上市,相反对家 Intel 在拥有自家生产线的情况下,抢先一步在今年底推出全新第 12 代 Core 系列 Alder Lake-S 处理器,更有机会率先在下一代新平台支援 DDR5 记忆体及 PCIe 5.0,日前在 HWiNFO 即将推出的

中,除了解决了已知 Alder Lake 处理器 IMC Gear Mode 及 DDR5 Wrong CRC 等问题之外,同时亦新加入支援部份 ASUS Z690 系列及 ROG MAXIMUS XIV 的主机板,更是 Z690 平台首次公开现身,难度 Intel 今次真係「跑赢」AMD ??

爆料大神
散热孔距 78 x 78 不相容旧散热器 Intel 12 代 Alder Lake-S 需使用新扣具
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据散热器厂商透露,Intel 第 12 代 Core 处理器 ( 代号 Alder Lake-S) 将会改用 LGA1700 接口,散热器规格亦有所改变,扣具孔距由原本 LGA115X / LGA1200 的 75mm x 75mm,变成 LGA1170 的 78mm x 78mm,因此现有散热器需要更改扣具设计,否则无法过渡至 12 代新平台。

据了解,全新第 12 代 Alder Lake-S CPU 将採用增强版的 10nm ESF 制程,相较现有 10nm SuperFin 功耗再降低 15%,更採用了全新 big.LITTLE 混合式 CPU 架构,大核心将会採用全新的 Golden Cove CPU 核心,小核心将採用 Atom 的 Gracemont 核心,8 大 8 小提供最高 16 核心、24 线程,性能表现绝对不能忽视。

Alder Lake 的大核心 Golden Cove 的性能相较 Tiger Lake 的 Willow Cove 核心,在 IPC 性能上有至少 20% ,小核心 Gracemont 则与 Skylake 性能相约,综合 IPC 性能大慨会有 16~18% 性能长。
10nm 、单晶片 40 核心、8 通道 DDR4 Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP) 登场
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10nm 制程、代号 Ice Lake-SP 的第 3 代 Xeon Scalable 伺服器处理器,相较旧有 14nm Cooper Lake 只有 28 核心,全新 Ice Lake-SP 是单晶片实现 40 核心、80 线程,採用全新 Sunny Cove CPU 微架构,官方宣称平均性能可提升 46%,同时亦是首款支援 AI 运算加速的伺服器处理器。

据了解,Intel 第 3 代 Xeon Scalable 伺服器处理器採用 LGA 4189 封装,尺寸为 77.66mm x 56.66mm,面积达到 4,400mm² 相当夸张,支援最多双路配置,单颗最高 40 核心、80线程,50MB L2 Cache、60MB L3 Cache,支援 8 Channel DDR4-3200 系统记忆体,支援 64 条 PCIe 4.0 Lanes,并支援新一代 AVX 512 指令集。
传 Intel 考虑修改制程节点命名方式 2023 年 7nm 制程可能改名成 5 nm !!
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不能否认,Intel 制程命名相较 TSMC、SAMSUNG 都更为严谨,就连光刻机龙头 ASML 都表明,从技术指标来说 Intel 的 7nm 制程规格相等于 TSMC、SAMSUNG 的 5nm 制程,但从市场推广来说却非常不利,市场传言 Intel 正考放弃以节点名的方式,以迎合行业惯例。

现时,Intel 正量产 10nm 行动 / 伺服器处理器,其电晶体密度高达 100.76MTr/mm²,其实远超过 TSMC 7nm HPC 的 66.7MTr/mm²、TSMC 7nm FF+ 的 96.5MTr/mm² 及 SAMSUNG 7nm 的 96.5MTr/mm²,但使用制程节点来命名做法对于 Intel 来说相当不利。

据消息人仕指出,Intel 正考虑修改制程命名方式,不再使用制程节点作命名的做法以迎命行业惯例,其中一个原因是 Intel 未来将会接代工订单,如果再使用旧有命名方式做营销会非常被动。
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