近年行动装置应用发展迅速，相关智慧型手机与平板电脑产品已十分流行，连带记忆体厂商也加强对行动式记忆体的发展，据市场调查机构 DRAMeXchange 13 日发表的行动式记忆体调查报告指出，一线 DRAM 厂已纷纷调高行动式记忆体的生产比重，其中 SAMSUNG 受惠 Galaxy S2 及 Note 的热卖下，，行动式记忆体出货持续畅旺。

据 DRAMeXchange 指出，由于智慧型手机与平板电脑的兴起，一线 DRAM 厂调高行动式记忆体生产比重，去年第四季出货量出货持续畅旺，但由于价格轻微下跌，较上一季度跌幅约 10% ， LPDDR2 8Gb 均价约 17.4 美元，因此整体营收也较上一季度下轻微下跌 1% ，总营收为 15 亿 9200 万美元，在 2012 年第一季为传统出货淡季下，预期行动式记忆体价格仍将维持下跌走势，预估跌幅为 15 ~ 20% 。

其中， SAMSUNG 因 Galaxy S2 及 Note 于全球热卖，其行动式记忆体出货量明显续畅，第四季营收微幅成长 0.5% ，为 8 亿 5700 万美元，市场佔有率则由去年第三季的 53% 微升至 53.8% ，无论在营收或市佔率上均远胜对手，成为业界一哥。同时，除了行动式记忆体表现比对手优胜外， NAND FLASH 产品产出也让 SAMSUNG 营收和市佔进一步提升。

美国加州北区地方法院 24 日宣佈，记忆体厂商 Hynix 侵犯 Rambus 记忆体技术专利， Hynix 需要赔偿 1% 的 SDRAM 产品收入及 4.25% 的 DDR 产品产品收入予 Rambus ，但法院驳回了 Rambus 公司禁止 Hynix 产品进口美国的要求，原因是该公司正进行谈判有关技术许可条款。

Rambus 高级副总裁兼总顾问 Tom Lavelle 表示，对法院的判处感到高兴，并认为 Hynix 必需为持续使用 Rambus 的专利发明，作出公平合理的赔偿。

根据美国加州北区地方法院 24 日的判决， Hynix 需向 Rambus 支付专利权费用，即在 2005 年 12 月 31 起，所有在美国境内生产及销售的 1% SDRAM 产品收入及 4.25% DDR 产品收入，而 DDR 产品则泛指 DDR 、 DDR2 、 DDR3 、 GDDR2 、 GDDR3 及 DDR SGRAM 颗粒，赔偿金额高达 1.33 亿美元。

佔有全球 20%DRAM 市场的 Hynix ，将减少其 DRAM 产出约佔全球 DRAM 市佔约 3 ~ 3.5% ，这是继 PSC 及 Elpida 宣佈减产后，第三家宣佈减低的 DRAM 厂商，目前估计三家合共减少约 5 ~ 6% 产能。据市调机构 DRAMeXchange 指出，全球 DRAM 产品需要减少约 1 成，才能让 DRAM 产业渡过这严峻的寒冬，市场亦能提早复甦，产能问题已不再是已经不是公司间的输赢，而是整个产业均输。

继 PSC 及 Elpida 相继宣佈减产后，韩国 DRAM 大厂 Hynix 亦于 18 日宣佈约 20% ，约佔全球 DRAM 产能约 3 ~ 3.5% ，令全球 DRAM 产出整体下降 5 ~ 6% 。由于 DRAM 供过于求，令 DRAM 颗粒价格已低至成本价甚至赔钱出售，令 DRAM 市场自 2007 年第 2 季起，连续 7 季均出现亏损，让 DRAM 厂面临史无前例的压力。

韩系厂商 Hynix 首先发难宣佈八吋厂产能将逐步淡出标准型 DRAM 的业务，影响着海力士近每月 140K 的八吋厂产能，亦成为近日第三家宣佈减产的 DRAM 厂。据 DRAMeXchange 预期，成本结构不佳 DRAM 厂亦有可能跟进减产行列来降低亏损的数字，预计可能跟进减产厂商的总投片量需减少 45-60K 间，才有机会渡过 DRAM 产业有史以来最严峻的寒冬。

记忆体颗粒，据最新消息指出，

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