两大韩系 NAND 厂 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齐齐公佈了新 NAND Flash 的发展，SK-Hynix 宣内成功研发并批量生产 128 层堆疊的 4D NAND Flash，而 Samsung 则推出 136 层堆疊的第六代 V-NAND Flash，不过 NAND Flash 堆疊仍未到达极限，SK-Hynix 公佈了公司的规划路线图，预计在 2030 年将会推出 800+ 层的 NAND Flash，到时更可以轻鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

于正在举行的 Flash Memory Summit 大会上，SK-Hynix 公佈了旗下推出的新产品及公司未来的计划，目前 SK-Hynix 正在开发 128 层堆疊的 4D NAND Flash，其量产将于今年第四季度开始。

在会上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD，採用 PCIe 4.0x4 介面连接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，连续读写速度最高可达 6200MB/s、3300MB/s，4KB 随机读写最高可达 950K IOPS、260K IOPS。

从去年开始 SSD 价格就在持续下跌，因此各 NAND Flash 厂商都开始採取不同的行动，除了控制产能之外，另一个更有效的方法就是加强研发新的 NAND Flash 技术。日前，SK-Hynix 正式宣布了其 128 层 4D NAND Flash 晶片正式开始量产，是全球首家开始量产 128 层 NAND Flash 的厂商，是自去年 10 月开发 96 层 4D NAND Flash 之后，时隔 8 个月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 层 1TB NAND Flash 实现了业界最高的垂直堆疊，拥有 3600 多亿个 NAND 单元，为了实现此工艺，SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技术上应用了大量创新技术，包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”及“超快速低功耗电路设计”等。

新产品实现了 TLC NAND Flash 业界最高的 1TB 密度，许多储存器公司已经开发了 1TB QLC NAND 产品，但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性，在 NAND 市场中仍佔有 85% 以上的份额，SK-Hynix 则是首家将 1TB TLC NAND 商业化的厂商。

继台积电、Samsung 晶圆代工、Intel 等国际大厂在先进逻辑製程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临製程微缩难度不断增高的 DRAM 厂也开始评估採用 EUV 技术量产，Samsung 今年第四季将开始利用 EUV 技术生产 1z 纳米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 预期会在 1α nm 或 1β nm 评估导入 EUV 技术。

由于先进製程採用 EUV 微影技术已是趋势，在台积电第二季 EUV 技术 7+nm 进入量产阶段并获华为海思订单后，Samsung 晶圆代工也採用 EUV 量产 7nm 製程，Intel 预期 2021 年 7nm 会首度导入 EUV 技术。而随着製程持续推进至 5nm 或 3nm 后，EUV 光罩层会明显增加 2～3 倍以上，对 EUV 光罩盒需求亦会出现倍数成长。

另外，佔全球半导体产能逾 3 成的 DRAM，也开始逐步导入 EUV 技术。至于为何要採用 EUV 技术来生产 DRAM 记忆体，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低记忆体单位容量成本。

NAND Flash 价格过去已录得连续 6 个季度下跌，为了防止 NAND Flash 价格进一步下滑，厂商们都各出其谋，除了减产控制 NAND Flash 供应之外，亦需要加强低成本的 NAND 晶片开发，并开始由 TLC 投向 QLC，SK Hynix 在日前就宣佈已向主要SSD 控制器公司提供新的 1Tbit QLC 产品样品，採用了96层堆栈 4D NAND 技术，将单个晶片中的平面数量从 2 个增加到 4 个，1Tbit 的核心容量是目前 MLC/TLC 主流的 256Gbit、512Gbit 至少两倍，就能够轻鬆打造成 16TB 的硬碟。

QLC在一个NAND单元中储存四位数据，与每单元储存三位的 TLC 相比，允许更高的密度，96 层 QLC 4D NAND 不仅面积低于现在 3D QLC 产品的 90%，单个晶片中同时处理多达 64KB 数据的高性能产品，确保了成本和性能竞争力。

相比 SLC、MLC 及 TLC，QLC NAND Flash 在容量方面更有优势，同时成本更低，但 QLC NAND Flash 的电压控制相对来说更加複杂，导致写入速度变差，可靠性亦会降低。

DDR4 记忆体基本上在 PC 平台已非常普及，各 DRAM 厂商都开始为为新一代「DDR5」作好准备，其中，两大 DRAM 厂 Samsung 及 SK-Hynix 已计划在 2019 年底之前发佈 DDR5 产品，Samsung 将专注生产用于移动设备上的「DDR5」产品，而 SK-Hynix 则专注于台式机市场。

在 2 月中举行的 ISSCC 国际固态电路会议，SK-Hynix 首次介绍全新基于 DDR5 规范的同步 DRAM 晶片，设计师 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正积极量产 16Gb DDR5 SDRAM 模组产品，全新的新 DDR5 SDRAM 模组製造节点为 1Ynm，基于四金属 DRAM 工艺，封装面积 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引脚 6.4Gbps 的 SDRAM，工作电压为1.1V。

至于Samsung，在会上则详述了一些关于 LPDDR5 SDRAM 的计划，採用 10nm 工艺、工作电压仅 1.05V，同时提供高达 7.5G/s 的速度，主要将用于移动设备上，包括笔记本电脑、平板电脑及智能手机等产品。