虽然 DDR4 记忆体在 PC 系统中已非常普及，但其实仍有不少用家正在使用 DDR3 记忆体，以为 DDR5 仍然有一段时间才来?! SK Hynix 最新就透露了已正研发 DDR6 记忆体，预期速率非常惊人将可达 12Gb/s，亦即是 DDR6-12000。

去年，SK Hynix 宣佈开发了16 gigabit（2GB）的 DDR5 DRAM 晶片原型，该晶片的功率仅为1.1V，相比现有的 DDR4 记忆体，DDR5 记忆体消耗能源减少 30%，速度却高达 5,200 Mbps，表示 DDR5 一秒钟内能处理 41.6 gigabytes 的数据、或是 11 个 3.7 gigabytes 的电影档。DDR5 最快将会在 2020 年量产，而于后续的产品呢?

一位来自 SK Hynix 的研究员 Kim Dong-Kyun 日前接受访问时提到，预计公司在 2020 年将带来DDR5-5200 记忆体，并正努力开发更创新、更触目的DDR5新品，不仅会进一步在数据传输带来速度上的提升，同时更会将DRAM技术与晶片系统如CPU 工艺相结合， 开发了一种多相位同步技术，通过在IP电路中放置多个相位，可以将晶片中高速运行期间的电压保持在低水平，从而实现低电压下运行更高的频率。

DDR4 记忆体发展已经非常成熟并是现时 PC 平台的主流产品，因此各 DRAM 厂商亦推向下一个新的阶段 —「DDR5」，SK-Hynix 最新宣佈已成功开发出16 Gb DDR5 DRAM，是业界首款符合 JEDEC 标准的 DDR5，传输速度最高可达 5200 Mbps，为公司带来了业界领先的竞争优势。

SK-Hynix 表示，旗下全新推出的 DDR5 是下一代 DRAM 的新标准，并是业界首款符合 JEDEC 标准的 DDR5 DRAM，相比现时主流的 DDR4，新的 DDR5 DRAM 拥有更高的传输速度、更高密度及更低的功耗，非常适合用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。

SK-Hynix 成功地将 16 Gb DDR5 DRAM 的工作电压从 1.2V 降至 1.1V，与上一代 DDR4 DRAM 相比，功耗降低了 30%，同时全新的 16 Gb DDR5 DRAM 支援 5200 Mbps 的数据传输速率，比上一代 3200 Mbps 快约 60%，频宽高达41.6GB/s，能以每秒传输 11 部全高清电影。

继 Samsung 及 Micron 宣佈推出新一代 1Ynm 工艺的 DRAM 记忆体晶片后，SK Hynix 最新亦宣佈已开发出 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 记忆体，支援高达 3,200Mbps 的数据传输速率，与上一代 1Xnm DRAM 相比，全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 的生产率提高了 20%，功耗降低了 15% 以上。

SK Hynix 全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 为客户提供了最佳的性能和密度，新产品最高可提供 3,200Mbps 传输，官方表示是现时 DDR4 接口中最快的数据处理速度，生产效率上提升了 20%，性能也是目前最快的。同时採用了 “4-Phase Clocking” 方案，拥有双倍的 Clock Signal 以提高数据传输速度和稳定性。

此外，新的 1Ynm DRAM 记忆体晶片还显着提高了 Sense Amp. Control 传感器精准度，调整了晶体管结构，降低了数据错误的可能性，同时 SK Hynix 还在电路中增加了一个低功耗电源，以防止不必要的功耗，使得数据传输的出错率降低。

这过去的两年时间，DRAM、NAND Flash 价格持续飙升，两大行业的晶片厂赚得盆满钵满，即使在 2018 年 NAND Flash 有降价的迹象，但是市场需求持续异常旺盛，DRAM 更不用说。根据市调机构IC Insight的最新报告，2018 年全球 DRAM 记忆体晶片产业总价值预计将达 1016 亿美元，将是历史上首次单个领域的 IC 产业价值突破 1000 亿美元大关，NAND 行业产值有望达到 626 亿美元。

IC Insights 日前发佈的《The McClean Report》报告中分析及预测了全球 IC 晶片产业的情况，在 2018 年全球前 DRAM 产业总价值预计将达 1016 亿美元，年增幅高达 39%，蝉联今年的冠军，佔全年整个IC行业的多达 24%。NAND Flash 行业排名第二，产值有望达到 626 亿美元，与 DRAM 行业合计 428 亿美元，佔全产业的 38% 之多。

第三位的则是标准 PC、伺服器微处理器，市场价值为 507.8 亿美元，年增幅仅 5%。即便如此，也是该行业连续两年创造新高了。之后是运算晶片、无线通讯晶片，分别为 276、160 亿美元左右。

在日前举行的 Flash Memory Summit 峰会上，SK Hynix 公佈旗下 NAND Flash 产品的未来发展路线图，新款的 Flash 产品称为“4D NAND”，由 3D NAND Flash 技术演变出来，相比起 3D NAND 能够最大限度地减小佔用空间及降低成本。

SK Hynix全新推出的 4D NAND 採用 Charge Trap Flash（CTF）设计，使储存单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND 的 PUC（Periphery Under Cell）位于储存单元下方，可缩小晶片的面积、缩短处理工时、降低成本，因此在未来可以製造容量高达 64TB 的 U.2 SSD。

SK Hynix 4D NAND 初期是 96 层堆疊的 512Gb TLC，I/O 接口速度 1.2Gbps（ONFi 4.1标准），预计将在今年 Q4 送样，SK Hynix 将基于 4D NAND 推出BGA 封装（16mmx20mm）容量高达 2TB 的 SSD，U.2 eSSD 容量可达 64TB，预计将在 2019 上半年送样。