记忆体颗粒厂商 SK Hynix 30 日宣佈，目前已经採用 20nm 製程开发 6Gb LPDDR3 记忆体颗粒，可透过堆疊达成实现高密度 3GB 容量记忆体，较现时的 4Gb 颗粒能够减省 30% 运行功率，而且封装的高度变得更薄，目前产品样本已提供予客户，预期将于 2014 年初开始大规模生产。

新的 6Gb LPDDR3 记忆体颗粒拥有更低运作功耗、待机电流以及令封装变得更薄，工作在超低电压为 1.2V ，可满足利动装置应用的需要，并可利用 POP 封装到行动装置之中，最高可支援达 1866Mbps 速率，介面为 32bit 可在单通道频宽下达成 7.4GB/s 传输，双通道则为 14.8GB/s 。

6Gb LPDDR3 记忆体颗粒预期会封装成以 3GB LPDDR3 为主，主要应用在高端的行动设备上，并预期由上半年开始一直加载到 2015 年。 SK Hynix 正计划加强在行动装置市场的高性能记忆体产品技术开发，并积极扩展多元化的产品组合。

上週 SK Hynix 位于无锡厂房大火，对 DRAM 产业及相关供应链造成重大影响，根据市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 指出，火来源为晶圆厂内的 CVD(Chemical Vapor Deposition) 重要机台楼层，虽然目前仍能保住一半产能，但对 DRAM 产业的供给仍会造成一定程度的衝击，估计影响时间至少两个月， Samsung 和 Micron 将成最大受益者。

据 DRAMeXchange 针对 SK Hynix 无锡厂房大火作出的调查及分析指出，目前火灾除令机器烧毁外，浓烟与全面停电导致无尘室遭浓烟污染，虽然厂房採用双子星架构设计，让无尘室可以独立系统来运作力保一半产能，但预期一半产能短期内仍难以复工，虽然 SK Hynix 已经派出百位专家与工程师紧急进驻抢修，但对 DRAM 产业的供给将会造成一定程度的衝击。

目前，由于厂房遭浓烟入侵仍处于全面停工中，在复工日期仍需待清理现场后，再经过无尘室落尘检验、机台重新检测与参数重新设定才能确定，产能衝击影响将不可看低。据 DRAMeXchange 指出，无论晶圆厂损坏程度为何，以目前无锡厂房每月 13 万片的产能计算，在后续投片递延下至少有二个月的投片量会受影响。

韩系 DRAM 大厂 SK Hynix 位于中国无锡的厂房于 4 日发生勐烈大火，除工作人员需要紧急疏散外，产线亦全面停工，而且更致全球 DRAM 暂停报价，部份大厂更立即通知客户指需要重新议价。根据消息指出，是次大火起火源可能由晶圆厂内部重要设备或是 CVD 机台引发，并有可能造成无尘室 (clean room) 的污染。是次火灾发生，有业者估计受影响时间至少一个月，针对此情况，据分析师指出，是次火灾有可能对后续产出以及市场造成一定程度的衝击。

无锡厂投片主要为 100K 的标准型记忆体及 30K 的行动式记忆体 ( 含 MCP) ，据了解，无锡厂房为 SK Hynix 生产 DRAM 的重镇，每月投片约 13 万片，约佔 SK Hynix 总产能 50% ，即便停产一个月也会影响近千万台行动电脑及千万台智慧型手机的出货量，同时第四季标准型记忆体及行动式记忆体的价格走势也必将受到衝击。

而根据分析机构以过去 1998 年联电及 1996 年华邦铂发生火灾并影响到无尘室的经验所见，由火灾发生后至无尘室重建复工所需时间长达半年以上，因此假如是次 SK Hynix 的火灾造成无尘室污染情况严重的话，影响程度绝对不能轻视。

继标准型记忆体表现亮丽后，市场调查机构 DRAMeXchange 14 日发表第二季行动记忆体表现报告，其中指出韩系厂商 SK Hynix 仍然排行第二位，但季度成长却是一众厂商之冠，营收与上季相较成长超越 30% 之多，整体行动记忆体总营收则增加 11% ，营收逼近 30 亿美元，佔整体 DRAM 营收的 34% 。

据 DRAMeXchange 指出，随着智慧型手机应用普及，第二季智慧型手机出货季成长约 7% ，总出货量达到 2.2 亿台，而且准备后续旺季来临，不少厂商均积极为行动记忆体进行备货，使得第二季行动记忆体表现理想。

在各记忆体厂商之中，仍以 Samsung 拥有超过 50% 的市场佔有率稳守龙头之位，但市佔出现微跌，由 55.8% 下跌至 50.3% ，营收则维持 14.5 亿美元。主要原因是虽然 Samsung 所生产的行动式记忆体以供应 Samsung 手机部门为主，但在维持供应链稳固的考量之下， Samsung 手机部门开始扩大对外採购零组件，进而採购 SK Hynix 、 Elpida 等厂商的记忆体，让对手市场得到提。虽然此举会影响 Samsung 自家行动记忆体的市佔，但在目前 Samsung 已获得超过 50% 市佔率下，，释放某部分行动式记忆体产能，让各产品线之间的调配更有弹性，对长远发展而言甚为理想。

目前 SSD 应用已十分普及，不少厂商也加入市场分一杯羹，其中 SK Hynix 继为 OEE 厂商推出 mSATA 介面的 SSD 后， 25 日于官方网页中宣佈正式推出自家品牌的 SSD 产品，并率先推出 SH910 系列，採用 SandForce 控制晶片，配搭 20nm 级别同步快闪记忆体，最高支援 510MB/s 连续读取速度，预期将率先于日本、韩国和美国市场发售。

SK Hynix SH910 系列 SSD 将针对消息级市场，推出 128GB 及 256GB 两种容量选择，其採用 SandForce SF-2281 控制晶片，採用 SATA 6Gbps 介面，配搭由 ONFI 推出的 20nm 同步 NAND 快闪记忆体，最高可提供 510MB/s 连续读取速度，以及 470MB/s 的连续读取速度，最大随机 4K 读 / 写为 55000 IOPS 和 85000 IOPS 。

同时， SH910 系列 SSD 支援多种管理功能，包括支援 TRIM 加强内部擦拭数据的速度，也支援 End-to-End Protection 防止数据丢失，以及加强数据安全性，也支援 128 bit AES 加密技术，以保障 SSD 内的资料安全。