电脑业界对于昨日南韩庆尚北道浦项市北方发生规模 5.5 地震甚感关注，据当地消息指在南韩全国均能感受到摇晃，除了 LGD 龟尾厂部分设备因地震暂时停机外，Samsung 及 SK Hynix 两家记忆体厂部分机台也因地震自动中止运转，随后立即恢复正常运作，并对外表示后续影响仍在查证当中，现货价格呈现停止报价的情况。

由于韩国是全球半导体产品、显示器件以及智能终端产品的重要生产地，地震发生后，产业界对地震造成的影响也颇为关注。而业界最担心的可能是韩国最大企业 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圆产线生产情况。

根据 DRAMeXchange 半导体研究中心第一时间调查显示，Samsung 及 SK Hynix 等厂商工厂距离震中央至少有 300 公里以上的距离，地震仅有 0-1 级，目前正常运作中，不需停机检查。但有业界人士称由于部分设备对于震动很敏感，当感受到震动系统将会立刻停止运作避免造成损害，在确认正常随即会恢复运作。而 LGD 乐金显示器龟尾厂部分设备因地震暂时停机，但在检查后已重新运作。

近期不断有记忆体厂商针对下代平台宣佈开发 DDR4 记忆体模组，其中 SK Hynix 继早前开发 64GB DDR4 记忆体模组后，刚于 7 日正式宣佈开发为目前业界最高容量的 128GB DDR4 模组，採用 20nm 级别程製的 8Gb DDR4 记忆体颗粒，比较 64GB 模组具有双密度。

全新的 SK Hynix 128GB DDR4 记忆体模组专为伺服器市场而设，并可适用于 Intel 的下一代平台 Haswell-EP Xeon E5-2600 v2 处理器，支援 2133Mbps 传输速率，在 64-bit I/O 位宽下可提供 17GB/s 频宽，而且其电压为 1.2V ，比较现有的 DDR3 模组的 1.35V 更低。

据 SK Hynix 高级副总裁 Sung Joo Hong 表示，世界上第一个 128GB 的 DDR4 模组开发打开了超高密度服务器市场意义， SK Hynix 将进一步巩固其在高档的 DRAM 领域的竞争力，并发展高密度、超高速、低功耗产品。

去年 9 月 SK Hynix 无锡厂房发生火灾引起标准型 DRAM 供应短缺，虽然现时该厂房已经进入复工阶段，但据业者表示目前实际开出的产能仍然有限，而且不时传出良率欠佳的问题，因此标准型 DRAM 供应未能回复早前水平。加上 Samsung 及 Micron 将产品锁定在高毛利的 Mobile DRAM 或绘图 DRAM ，据分析师预期，标准型 DRAM 现货价目前仍会缓步上升，更可能于本週再创新高。

按现时价格走势所见，由于一线 DRAM 厂已大幅减少 2Gb DDR3 产出，但现时大陆市场白牌平板需求却是有增无减，因此 2Gb DDR3 原厂颗粒现货价持续上升，最高达到 3 美元；另一方面主流的 4Gb DDR3 目前仍是供不应求，现货价回升到约 4.3 美元，更有望短期内突破 4.3 美元创下历史新高。

据记忆体业者指出，现时三大 DRAM 厂对于标准型 DRAM 投片量持续下降，而 OEM 厂手中库存量则低于 4 周安全水平，儘管 SK Hynix 无锡厂房进入复工阶段，但产能仍未见到大量开出，面对中国农曆新年旺季前需要大量回补库存，令标准型 DRAM 价格被推高。

继 Samaung 上週宣佈推出全球首款单颗 8Gb LPDDR4 记忆体颗粒后， SK Hynix 也于 30 日于其官方网站宣佈正式推出採用 2x nm 製程技术开发的 8Gb LPDDR4 记忆体颗粒，为代行动记忆体配置提供超高速和低功耗效能表现。

SK Hynix 与 Samsung 推出的 LPDDR4 记忆体颗粒同样支援达 3200Mbps 传输速率，比较现时的 1600Mbps 快两倍，而且支援在 1.1V 超低电压中运行，比较 LPDDR3 的 1.2V 更低。

据 SK Hynix 表示，目前已计划将于明年下半年开始大规模生产，同时也会加强与客户在行动 DRAM 的标准化合作，并将进一步巩固其在移动领域的竞争力，以及高密度，超高速，低功耗产品的发展。而早前， SK Hynix 亦已率先发表了 8Gb 和 6Gb LPDDR3 。

SK Hynix 20 日宣佈现时正开始大规模批量生产採用目前业界最薄的 16nm 製程 64Gb MLC NAND Flash 快闪记忆体颗粒，为大规模生产的第二个版本，能够拥有更少的记忆体颗粒尺寸，同时提升成本竞争力。另一方面， SK Hynix 也宣佈正开发 128Gb 容量版本，预期将于明年年初开始大规模生产。

一般而言，採用越薄程製技术在收缩细胞之间发生下将会产生频繁的干扰，但在 SK Hynix 採用最新气隙技术下，可构建绝缘屏蔽使绝缘物质在路之间形成真空，以克服细胞之间的干扰。

据 SK Hynix Flash 技术开发部门高级副总裁 Jin Woong Kim 表示，其高密度 NAND 闪存产品组合得益于 16nm 的 128Gb MLC 的发展， SK Hynix 开始大规模生产业界最薄的 16nm 产品，目前正计划积极响应客户的需求，为用户提供具有高可靠性和耐久性的 NAND 快闪记忆体产品。