为针对发展惊人的手持式行动装置市场，两大晶圆厂 TSMC 及 Global Foundries 均正研究于 2014 年初推出新一代 ARM 流动处理器，将採用 20nm 制程打造，效能省电各方面均大大提升，为下一代流动处理器订下指标。

据了解， TSMC 正计划明年开始量产新一代 ARM 流动处理器，採用 20nm 制程打造，比现时主流 28 至 32nm 制程的处理器更进一步。同时，新一代 ARM 流动处理器由更精密晶体管製造，密度比上代高出 1.9 倍，令效能及省电性能表现更为特出，而且 TSMC 更宣称，该处理器运算速度可提升 30% ，假设以现时最高规格的 2.3GHz 流动处理器推算，届时新一代流动处理器最高将有机会达至 3GHz 时脉。

除效能上更进一步外，鑑于现时供电技术仍未能赶上流动装置的耗电量，省电效能令用家更为关注，因此新一代 ARM 流动处理器拥有更低功耗的特性，让处理器功耗可减低 25% ，进而让行动装置续航力更为持久，势必成为新一代流动理器指标。

随着手持式智慧型装置应用持续提升，加上传统 PC 产品，市场对 TSMC( 台积电 ) 的 28nm 制程技术晶圆需求甚殷，也为 TSMC 2012 年第三季财务成绩表现亮眼。其中据 TSMC 日前发表的 2012 年第三季度财报显示，第三季度税后纯利为 493 亿元新台币，较去年同期大幅增加 62% 。

TSMC 为全球最大晶圆代工厂商，其中包括绘图卡大商 NVIDIA 和 AMD 均是其客户，加上手持式智慧型装置应用持续提升， ARM 处理器也成为 28nm 制程晶圆需求动能，而且市场有指 Apple 与 Samsung 关係变化后有机会重投 TSMC 怀抱，令分析师均纷纷预期 TSMC 将继续维持其强势增长。

据 TSMC 发表的 2012 年第三季度财报显示，合併营收为 1413.8 亿新台币，比较去年同期的 1064.8 亿新台币上升 32.8% ，较上一季度上升 10% ，税前纯利为 537 亿元新台币，比较去年同期 321 亿新台币上升 67% ，较上一季度上升 17% ，税后纯利为 493 亿元新台币，较去年同期 303 亿元新台币大幅增加超过 62% ，较上一季度上升近 18% ，表现超乎早前市场分析预估。

市调机构 IC Insights 指出，台湾于 2011 年首次赶上日本和南韩成为全球最大晶圆生产地，佔全球约 21% 的全球晶圆生产能力，紧接的日本、南韩佔有率分别为 19.7% 、 16.8% ，美国的市场分额则为 14.7% ，而中国则以 8.9% 超越欧洲各国的总和排列前五位。

数据主要是晶圆生产地所在，由于现时不少半导体公司均为 Fabless 并交由其他公司代工生产，因此数字并不反映该国的 IC 晶片市场状况，另外 Samsung 有在美国设立晶圆厂、 Intel 亦有在其也地方设立晶圆厂，其数字只会纳入晶圆厂地区而非公司总部所在地。

报告指出，台湾拥有全球最多的 300mm 晶圆生产能力，佔全球 12 吋晶圆生产力约 25.4% ， 200mm 晶圆生产力则佔全球约 18.7% 、 150mm 晶圆生产则为 11.4% ， 2011 年台湾的 300mm 晶圆出货量份额为 29.2% 、 200mm 则为 64.6% 、 150mm 为 6.1% 。

TSMC 于上週季度财佈大会上指出，原定于 2011 年第四季正式量产的 28nm 制程，原预估并将佔 TSMC 整体收入约 2-3% ，现时修正至只有 1% 甚至不足 1% ，主要原因是 2011 年全球经济疲弱所致。

据 TSMC 董事长张忠谋表示， 28nm 制程的推出时程比预期略为延迟，其中一个原因是 28nm 制程投产所需要时间比预期要长，再加上 2011 年全球经济不景，令 2011 年第四季 28nm 制程代工需求比预期中低。

由于上代 40nm 制程初上市时良率久佳、问题不断，因此市场传言 TSMC 28nm 推迟同样为品质问题，不过 TSMC 否认 28nm 制程是技术上问题，而是经济形势所不得已， 28nm 流片进程完全正常，初推出时需求不如预期。

TSMC 24 日宣佈，目前 28nm 高介电层 / 金属闸製程的技术蓝图已正式包括低耗电製程 (28HPL) ， 28HPL 将强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能，主要针对应用于行动电话、 Smart Netbook 、无线通讯及可携式消费性电子产品等，于并预期于 2010 年第三季进行试产。

据 TSMC 表示， 28nm 低耗电高介电层 / 金属闸 (28HPL) 製程採用 gate-last 方法而成，强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能， 28HPL 製程有完备的元件支援，而且因延伸自氮氧化硅 (SiON) 製程，因而成本更低、且有利于快速上市，因此适用于日新月异的手机与手持装置的市场。

另一方面， 28nm 高效能高介电层 / 金属闸 (28HP) 製程亦採用 gate-last 方法，比较适合中央处理器 (CPU) 、绘图处理器 (GPU) 、晶片组 (Chipset) 与可程式化闸阵列 (FPGA) 、游戏主机与行动计算等高效能导向的应用。