Intel 美国 IDF 论坛将于 9 月 18 至 20 日于美国旧金山举行，在大会前夕 Intel 特别为媒体及分析师举行了技术研发简报会，发表硅光研究与软体解决方案的相关简介，其中最值注意的议题包括成功研发出 40 Gbps 的硅光侦测器 (Silicon Photo-detector) 及可实作软体交换式记忆体技术。

IDF 大会前一天， Intel 习惯举行称「 Day Zero 」的技术研发简报会，此日重点议题是 Intel 在硅光技术上最得到重大突破，据 Intel 院士暨光技术实验室总监 Mario Pannicia 博士表示， Intel 在 7 月份成功研发出资料编码容量可达 40 Gbps 的硅雷射模组 (silicon laser modulator) 后，再成功把光侦测器速度提升至同样提升至 40 Gbps 速度，可侦测速度超过每秒 400 亿位元的雷射光讯号 (laser light signal) 。

据 Mario Pannicia 博士指出，单以硅晶体制作的硅光侦测器 (silicon photo-detector) ，在速度并无法配合编码容量可达 40 Gbps 的硅雷射模组 (silicon laser modulator) ，成为硅光技术的瓶颈，为了解决以上问题， Intel 成功以硅与锗元素为基础 (silicon and germanium based) 制作出全新的光侦测器，锗元素拥有对光波有对高速超敏感度表现，加上与 CMOS 相容，因此成为了新一代光侦测器的最佳配合。