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SanDisk、Toshiba推出X4快闪记忆体 採用43nm制程  09年上半年投产
文章索引: SANDISK
Sandisk 宣佈即将大量生产採用 4-Bits-Per Cell (X4) 技术的 MLC 快闪记忆体,採用 43nm 制程支援单颗 64Gb 容量,採用 X4 技术的 MLC 快闪记忆体,内建 X4 记忆体晶片及 X4 控制器晶片,共同结合于多晶片记忆体模组 (Memory Multi-Chip Package ,简称 MCP) 内,抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB ,将是是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒, 2009 年上半年正式投产。

SanDisk 一直与 Toshiba 合作发展及生产先进的快闪记忆体,今次将共同在 43nm 面积上研发 64Gb X4 快闪记忆体技术,此崭新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒,并于今年投入生产,抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 专利的 All –Bit-Line ( 简称 ABL) 架构及最近面世的三步程式 (three-step programming ,简称 TSP) 及顺序意式概念 (sequential sense concept ,简称 SSC) 乃是 X4 超卓表现的主要元素。

此外, SanDisk 发展多项先进系统管理的创新应用程式,以解决 4-bits-per-cell 的繁杂技术所带来的问题。由 SanDisk 研发及拥有的 X4 控 制器,利用首个专为储存系统而设的改错码 (error correcting code ,简称 ECC) ,并支援 4-bits-per-cell 所需的 16 层分配模式。
SanDisk全新ExtremeFFS技术  大幅提高SSD效能与可靠程度
文章索引: SANDISK
SanDisk 宣佈成功研发出针对固态硬碟 (SSD) 而设的崭新快闪档案系统,称为 ExtremeFFS 技术,可望有望将随机抄写速度提高至现有系统之 100 倍,更提供了 LDE (Long-Term Data Endurance) 技术,可准确量计算 SSD 寿命, 并将于 2009 年联同 SanDisk 的 SSD 产品发售。

为达到最高的随机抄写效能, SanDisk 开发快闪档案管理系统,称为 ExtremeFFS 技术。该系统以页面为基的算法操作,这意味着在物理位置和逻辑位置之间没有固定的关联。 SSD 能将抄写中之数据放在最方便、最高效的位置,因此,随机抄写效能及整体耐用性均能提升至现有技术之 100 倍。

ExtremeFFS 由一种与分块无关的架构所组成,该架构中的所有 NAND 通道均能独立运作,比如部分通道进行读取,部分进行抄写或收集垃圾数据。另外, ExtremeFFS 亦能「学习」用户的使用模式,因应用户使用情况、时间变化进行数据定位,让产品发挥最佳的效能和耐用性能。
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