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SanDisk 于台北 Computex 大会上,展示了全新 mSATA SSD 固态硬碟产品,型号为 SanDisk U100 ,採用最新 2xnm 制程 NAND Flash 晶片,最高可达 450MB/s 读取速度,採用 SATA 3.0 介面,可提高载入效能、网页浏览速度或系统整体读写效能, SSD 採用低功耗架构,功耗可低至 10mA ,让行动电脑电池续航力更耐久。SanDisk U100 SSD 为配合不同需要,可提供 Half-Slim SATA 、 mSATA , mSATA 、 2.5 吋或定制模组,并提供 8GB 、 16GB 、 32GB 、 64GB 、 128GB 和 256GB 容量版本,最高支援 450MB/s 读取和 340MB/s 写入速度。
根据 SanDisk 现场作出的实验显示, San Disk U100 SSD 在平址时功耗低至 10mA ,閒置时更低于 3mA ,针对不同的运算应用提供低功耗及高效能的表现,预期将于 2011 年第三季正式试产,第四季将正式付运。
2011-05-31
针对嵌入式装置应用, SanDisk 推出 iNAND Extreme 嵌入式快闪储存装置,支援 50MB/s 顺序写入和 80MB/s 顺序读取速度,为平板电脑或智慧型手机提供了高效能的多媒体同步速度,文件传输速度和整体操作效能。iNAND Extreme 嵌入式快闪储存装置主要为平板电脑或智慧型手机产品而设,採用 12 x 16mm JEDEC 封装技术,高度低至 1.0mm ,可让装置腾出更大空间,并减少整机体积,而且透过嵌入式快闪储存装置,能够让手持式装备提高效能。
据 SanDisk 表示, iNAND Extreme 嵌入式快闪储存装置能够为 SanDisk 的嵌入式产品线涵盖了所有移动需求的细分市场,并满足高端应用需求,提高了系统速度,以加快应用程序加载、网页浏览和多任务等。预期 2011 年第三季度将会推出样品。