有传美国科技巨擘 IBM 正与数据基建公司 Confluent 进入深入洽谈，计划以约 110 亿美元收购该公司，以加强其在云端服务市场的竞争力。消息指交易最快或于本周一公佈。

Confluent 为一个开源平台，专门处理庞大的即时数据流，包括银行交易及网站点击等。据 LSEG 数据显示，Confluent 市值约 80.9 亿美元，而总部位于纽约的 IBM 则约值 2,878.4 亿美元。

今年 10 月，路透社曾报道 Confluent 正考虑出售，并已委託投资银行管理相关程序。惟两家公司在非办公时间亦未有回应查询，故路透社暂未能独立核实相关消息。分析指出，IBM 去年以 64 亿美元收购 HashiCorp，以扩展云端及人工智能相关业务。现任行政总裁 Krishna 近年持续加强软件佈局，期望把握企业在云端服务上的投资热潮。

为追求更大容量、更低价格，现时不少主流级 SSD 产品都转用 QLC NAND Flsh，但让人担心的是 QLC 的 P/E 擦写次数非常低，最多也能做到约 800~1,000 次，有够短命，不过 IBM 正在研发全新的 NAND Flash 控制器，优化算法可以将 QLC NAND Flash 的 P/E 擦写次数16,000 次，甚至比 SLC 还要多，有够夸张。

首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性，随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级，由于需要更複杂的电压层级控制，令 P/E 寿命因而降低了，另外製程工艺升级亦会令P/E寿命下降。

究竟下降有多严重呢 ? 从 DRAMeXchange 报告指出， SLC 採用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000，但转用先进的 1xnm 制程，P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。

在日前举行的 Hot Chips 2020 大会上，IBM 正式发佈了全新的「Power 10」系列处理器，全新的「Power 10」将採用 Samsung 7nm 製程，效能将比上一代产品提升三倍，支援新一代的 PCIe 5.0 及 DDR5 记忆体，同时由于「Power 10」系列的 SCM 单处理器模组或 DCM 双处理器模组都可以在 SMT4 或 SMT8 中运行核心模式，因此单颗处理器最高可达成 15 核心、120 线程。

IBM 指出，「Power 10」系列处理器经过五年的设计，拥有数百项新的及正在申请的专利，是 IBM 在「Power 10」系列路线图上的一次重要演变。「Power 10」将由上代「Power 9」的 GlobalFoundries 的 14nm SOI 製程升级到 Samsung 7nm EUV，是 IBM 第一款採用 7nm 製程技术製造的商业级处理器，而在 7nm EUV 製程下可实现 180 亿个晶体管，核心面积更高达 602mm²。

「Power 10」系列处理器拥有 16 个 Physical Cores 物理核心，不过 IBM 将屏蔽了 1 个最多只会启用 15 个核心，从而提高经济效益，处理器支援最高 15 SMT8 Cores、120 simultaneous hardware threads 设计，每个核心拥有 2M L2 Cache，合共可提供 120MB L3 Cache，记忆体部份支援 16 x8 32 GT/s，在多 PB 大小记忆体集群的 Memory Inception 下，以最低的延迟可提供高达 1TB/s 速度。

NVIDIA 在今日宣佈 IBM Cloud 云端服务将进行一波重大升级，整合 Tesla P100 GPU 的运算效能与 NVIDIA 深度学习平台至各项方案中，搭载 P100 的 IBM Cloud 方案即将在本月上市，让企业在运算资料和建立人工智慧服务时多一种选择。

NVIDIA Tesla P100 是全球迄今最强大的资料中心 GPU ，专为大幅提升深度学习的处理效能所设计。 IBM 的全新方案将为企业组织提供即时传输 Tesla P100 的快速处理效能，以着手测试与运行各种应用，克服各种以往无法解决的难题。

IBM Cloud 客户可以选购单机式 IBM Bluemix 裸机伺服器，其内部搭载两颗 NVIDIA Tesla P100 资料中心 GPU 。这些强大的 GPU 加速云端主机效能等同于 25 部只搭载 CPU 的伺服器，大幅节省执行高效能运算与 AI 作业负载的开支。

IBM 早前开放量子电脑云端服务给不同机构试用引起关注，日前再发表 Phase-Change Memory 记忆体技术突破，将 Phase-change memory 成本大大降低，有助其商用化脚步加快，有望取代现有记忆体成为主流。

( 相变化记忆体 ) 技术出现于 1970 年代，其优点拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等，提供非挥发记忆体特性，该技术具有与传统 CMOS 製程与週边电路最高的相容性，很大机会取代 现时 Flash 、 SRAM 、 DRAM 等记忆体技术。

其原理主要利用电流产生热量以改变材料结构，实现储存功能，依靠电流脉衝令变相材料形成不同程度电阻，系统以判断不同电阻值而形成判断 「 0 」或「 1 」数码信号。现时技术仅能于每个储存单元上提供 1bit 的信号储存，而 IBM 最新技术发佈表示，已成功找出每个储存单元上储存 3bit ，让变相材料于高温特性令记忆体进入多重状态。