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整体PC出货量下跌 DRAM合约价轻微跌幅 预期十一月下旬跌幅可能会持续
文章索引: DRAMeXchange
受到泰国水灾令硬碟供应短缺影响,整体 PC 出货量同样下跌,据市场调查机构 DRAMeXchange 指出,十一月上旬 2GB DRAM 合约均价呈现轻微跌幅,在供过于求的情况下,预期十一月下旬跌幅可能会持续。

据 DRAMeXchange 发表的十一月上旬 DRAM 合约价报告指出, 2GB 模组合约均价最低到美金 10 元关卡,比较十月下旬跌近 2.38% ; 4GB 模组合约均价为 18.5 元,同样小跌 2.56% 。 2Gb 颗粒现货市场最低价为美金 0.7 元,自十一月初起已跌近 9.64% ,情况已在 DRAM 厂的现金成本之下。同时,在过于求的状态下,合约价将能会持续下跌。

在严重供过于求的时期下,一线大厂凭製程转进能力及上下游缜密的垂直整合,其经营情况仍然稳定,但製程不若一线大厂先进的厂商,在 DRAM 价格持续探底下只能减低现金流出,除了积极转进非标准型 DRAM 产品外,不排除 DRAM 产业的将再次启动减产机制。
NAND Flash合约价下跌2~4% 预期明年初面临供过于求情况
文章索引: DRAMeXchange
由于销售不如预期,据市场调查机构 DRAMeXchange 指出, 11 月上旬主流 NAND Flash 合约价较上期下跌约 2 ~ 4% ,除了高容量产品因 PC 、智慧型手机与平板电脑的销售疲软影响外,泰国水灾也对数位相机的出货出现影响,令记忆卡市场更为软弱。

面对全球经济不稳定状况,预期感恩节、圣诞节以及中国农曆新年等需求能 见度不高,加上在 NAND Flash 晶片供应商因转进 2ynm 製程而增加供给的不利情况下,预期 NAND Flash 合约均价在第四季将持续面临下跌压力。

展望未来,在搭载 HDD 与 SSD 达成 Hybrid HDD 的解决方案能够提高开机速度与执行效能的情况下, Ultrabook 将为 NAND Flash 市场扮演重要关键,随着 NAND Flash 製程转往 2ynm ,成本将进一步下降,预期 SSD 的角色将从目前的「 Cache 」转变成「 Storage 」,大幅增加对 NAND Flash 的需求量。
台系DRAM厂正逐步转型 明年增加NAND Flash投片量
文章索引: DRAMeXchange
目前 NAND FLASH 主要是日韩厂商以大量市场佔有率及较先进制程技术取得领导,但据市场调查机构 DRAMeXchange 指出,台系厂商力晶将于 2012 年起大幅增加 NAND FLASH 投片量,以及转移到 NAND 2Xnm 减低成本,并保留 DRAM 技术以备未来需要。

据 DRAMeXchange 指出,力晶有意于明年大幅降低标准型 DRAM 投片量,仅以最低的产能维持 DRAM 的技术发展,预期标准型 DRAM 的投片仅佔总投片量的 20% ,并于明年起全数转入 30nm 4Gb 生产,以空出的产能将会以 NAND FLASH 填补,并转移到 NAND 2Xnm 的製程。

虽然力晶把产能转移至 Flash 产品以及 LCD Driver 及非标准型 DRAM 产品,但力晶仍会保留 DRAM 技术,以备日后 3D-IC 以及 TSV 的技术成熟时,以忆体为中心做晶片组的整合,进而加强在大中华地区成为最完整技术领域的晶片厂。
第三季DRAM总营收下跌超过19% 厂商需为30nm制程转进加快脚步
文章索引: DRAMeXchange
市场调查机构 DRAMeXchange 发表针对 DRAM 市场的第三季营收报告,指出受到全球经济持续疲弱影响,加上市场供过于求情况加剧,导致第三季 DDR3 2Gb 合约价均价下跌 35% ,总营收较上季大幅下跌超过 19% 。厂商方面,除了 Samsung 录得超过 20% 营利外,其馀多家厂商均录得营利负增长,全球经济持续疲弱影响令业界经营更加困难,估计短期之内转亏为盈的机会渺茫。

据报告指出,受到欧美消费信心不足影响,今年第三季 DRAM 位元增长仅得 7.6% ,整体 PC 单机记忆体搭载量未见显着上升。随着第三季颗粒价格跌破现金成本,厂商需要减产维持价格平稳以解决供过于求问题。此外,有幸受惠于九月份 PC-OEM 需要为旺季进行备货,令 DRAM 厂商库存得以舒缓,现货市场终止跌势,全球 DRAM 产业第三季度营收总额为 65.66 亿美元,较第二季大幅下跌 19.4% 。

目前,处于领导地位的韩系厂商 Samsung 和 Hynix ,以及日系厂商 Elpida 已积极推出支援 30nm/40nm 製程产品,其中 Samsung 及 Hynix 更将 30nm 产出比重提升至 21% ,而 Elpida 则受惠子公司瑞晶加持下陆续增加 30nm 产出,预期在 30nm 制程的成本减少优势下,情况较为乐观;相反台系厂商製程仍以 40nm/50nm 製程为主流,比较韩系 DRAM 厂至少相差 1.5 个世代以上,预计短期转亏为盈的机会较低。
平均价格下跌14% 位元出货上升28% Q3整体NAND Flash营收增加9.6%
文章索引: DRAMeXchange
市场调查机构 DRAMeXchange 针对 NAND Flash 品牌厂商第三季营收表现进行了分析报告,指出受欧美经济不稳定影响,厂商延迟了在传统第三季备货的动作,令到第三季整体品牌 NAND Flash 供应商的平均售价较上一季度下跌近 14% ,尤幸受惠平板电脑及智慧型手机需求带动,令 NAND Flash 位元出货量成长,整体 NAND Flash 品牌供应商营收增加 9.6% 。

据 DRAMeXchange 指出,在欧洲债券风波及美国财经议题争议的影响下,厂商对传统第三季备货需求延迟至 9 月才展开,加上记忆卡及 UFD 库存过剩,使到 NAND Flash 平均售价下跌 14% ,直至 9 月份因部份系统客户准备为第四季新产品上市,才令平均售价回稳。

虽然第三季整体 NAND Flash 平均售价下跌,但尤幸平板电脑及智慧型手机客户的 OEM 订单稳定,整体 NAND Flash 品牌供应商的位元出货量得以成长约 28% ,让整体 NAND Flash 品牌供应商第三季营收较上季增加约 9.6% ,总营收超过 53.4 亿美元。
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