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NVIDIA RTX 30 系列新卡发佈后,AMD Big Navi 新卡面临极大压力,特别是 GeForce RTX 3080 性能是上代 RTX 2080 的一倍,售价却没有上涨、性价比极高,有 Twitter 大神爆料 AMD 已考虑调低 Big Navi 新卡售价,採用全新 RDNA 2 GPU 微架构、代号「Navi 21」的 Radeon RX 6000 系列,顶级型号将会由 US$599 降至 US$549,与 GeForce RTX 3080 价差拉开至 US$150,性能在GeForce RTX 3070 与 RTX 3080 之间。据爆料消息透露,全新 RDNA 2 GPU 微架构、代号「Navi 21 XT」绘图核心可能拥有高达 80 SM 单元、512bit 记忆体控制器,最高 16GB GDDR6 记忆体容量,传闻中性能会比 RTX 2080 Ti 快 50%。
以上是 TDP 设定在 275W 的性能表现,如果 AMD 愿意将 TDP 设定提升至 300W 或以上,AMD Big Navi 有望与 RTX 30 新卡一战,大前题是 NVIDIA 不作任变阵,但现时已知道 NVIDIA 已打算推出 RTX 3070 Ti 迎战,看来这张卡就是要对付这张「Navi 21 XT」。
NVIDIA 正式发佈新一代 RTX 30 新卡,惊人的性价比为显示卡市场带来了重大衝撃,在未发佈前传统是使用 TSMC 7nm 制程,但为何最后变成了 SAMSUNG 8nm 呢 ? 有台湾卡厂表示 GeForce RTX 30 GPU 供货到今年底前仍会相当候货,意味着虽然 NVIDIA 官方建议售价虽然偏低,但实际上市场售价可能会出现严重炒价。原本外界均影为 NVIDIA 新一代 GA102 / GA104 GPU 会与运算用的 A100 GPU 一样採用 TSMC 7nm 制程,结果爆大冷是特别为 NVIDIA 研发的 SAMSUNG 8nm 制程,虽然数字上好像没差多少,但实际上 SAMSUNG 其实是由 10nm 制程改良而生,与 TSMC 7nm 制程在技术差了一代。
首先从电晶体密度来说,TSMC 7nm的密度大约是每毫米拥有 9,600 万个电晶体,SAMSUNG 8nm 每毫米拥有 6,100 万个电晶体,两者相差了 40%,光是 GPU 晶片面积就有很大差距,幸好是新制程仍能保持 1.7GHz 时脉。
在 7 月时曾报导过 Nimbus Data 针对企业级数据中心推出了高达 100TB 容量的「ExaDrive DC」系列 SSD,由于採用 TLC 颗粒及提供 5 年保固期间无限量写入,单颗 100TB SSD 售价为 40,000 美元 ( 约 HK$309,968 ),所以一般的企业用户都未必会考虑,近日 Nimbus Data 就推出了一个更为合适的选择「ExaDrive NL」系列 SSD,改用 QLC NAND 及降低储存容量至最大 64TB,售价当然亦比 TLC 型号便宜,64TB 型号价格为10900 美元 ( 约 HK$84,472.82 )。Nimbus Data「ExaDrive NL」系列是一款 3.5 吋 LFF Form Factor 的 SSD,採用 SATA 6 Gbps 或 Dual-port SAS 介面连接,提供 16TB、32TB、64TB 储存容量。为了可以降低每 GB 容量的成本,Nimbus Data 改为使用 QLC NAND,不过官方声称採用的是目前市面上最好的企业级 QLC 颗粒,P/E 寿命最高可达 1500 次,足以媲美甚至超过一般的 TLC。
速度方面,「ExaDrive NL」系列 SSD 的连续读写最高可达 500MB/s Read、460MB/s Write,随机读写速度最高 100K IOPS,而且由于容量超大,官方称典型应用场景下不会超过 SLC 缓存的范围。
2020 世界半导体大会 26 日正式举行,TSMC 除了公佈了 6nm、5nm、3nm 制程的进度外,亦首次谈及了 2nm 制程研发,TSMC 2nm 将会首次导入 GAA 环绕闸极工艺,将会投入 8,000 工程师专门针对 2nm 进行研发,并会在台湾新竹兴建 2nm 厂房,2nm 将会是 TSMC 能否持续领先的关键之役。据了解,无论是 TSMC 或是 SAMSUNG,半导体制程均已推进至 3nm 级别,技术研发基本上已完成,剩下来是产能和良率问题了,但 2nm 制程将会是 TSMC 的重大挑战,因为 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中导入 GAA 环绕闸极工艺,TSMC 做法则比较保守,选择在 2nm 制程才导入 GAA 环绕闸极工艺,所以 2nm 对 TSMC 来说将会是一次重要的技术世代。
现时大部份 14nm 或以上制程均是採用 FinFET 鳍片式电晶体,当前的微缩製程走到3nm,将会面临新的物理极限,除非改用 GAA 环绕闸极工艺结构,否则摩尔定律就很难再维持下去,GAA 环绕闸极工艺成为了兵家必争之地。