现时智慧型手机已成为常用随身物品，为保障动辄也三数千元的智慧型手机，减低不少心便刮花手机屏幕的可能性，大部份用家也会为手机添加一片屏幕保护贴，但市场上选择众人，由十元八块至三两百元不等。其中，为提供高品质耐用及多重防护，代理商日声电脑最新引入由 HODA 推出的 AS 高透光疏水疏油防静电手机屏幕保护贴，提供基本防刮功能之馀更防水防油，即使弄污也一抹即淨。另一款为 ASG 雾面磨砂疏水疏油防指纹手机屏幕保护贴更设有防反光效果，在夏天烈日当空下仍可清楚看见屏幕影像，更加方便。

为提升 SATA 介面的传输速率， SATA-IO 组织 8 日于其官方网站中宣佈正式完成制定 SATA 3.2 标准规范，透过加入 SATA Expres 技术，新规范让 SATA 和 PCIe 介面存储设备共存，可透过 PCIe 技术提供比较现时 SATA 6Gbps 大幅提升的传输效能，够让高效能 SSD 或 SSHDs 提供更快的傅输速率表现。

SATA Express 在 2013 年 1 月推出，允许 SATA 和 PCIe 解决方案共存，而且 SATA Express 可透过 2 lanes 的 PCIe 3.0 技术使接口支援最高 2GB/s 传输速度，比较现时 SATA 6Gbps 大幅提升，也为优化 SSD 和 SSHDs 提供具成本效益的解决方案。

据 SATA-IO 总裁 Mladen Luksic 表示，随着 SATA 技术的不断发展，以适应不断变化的存储行业的要求， SATA 3.2 标准规范的 SATA Express 可持续承诺提供低成本，并满足新兴 SSHDs 的高效能存储解决方案，同时也配合当前的市场趋势。

随着 Micron 正式购併 Elpida ， DRAM 产业寡佔市场格局亦已确立，在各大 DRAM 供应商早前已按规划减少标准型记忆体影响下，主流模组 4GB 均价在第二季上扬，其中 4Gb 颗粒价格更是达近年新高，也让 DRAM 厂总营收在第二季中录得新高，并创下近三年来单季最高涨幅。据市场分析预期，随着 DRAM 产业供应端仍持续进行结构调整，第三季全球营收预估仍将维持小幅成长，似乎用家最想看到 DRAM 价格回落的日子仍遥遥无期。

据全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，在过去数月来观察所见，第二季主流模组 4GB 均价累积上扬 16% ，由 23.5 美金涨至 27.25 美金，同时 DRAM 厂总营收再创新高，达 85.3 亿美元，季成长 24% ，创下近三年来单季最高涨幅。

在各 DRAM 厂商之中，目前仍以 Samsung 和 SK Hynix 两大韩系厂商合共佔下整体市场的 62.7 佔有率继续领导市场，但较上一季度出现小幅衰退，排名第一的 Samsung 季度营收成长仅 7.7% ，相反第二的 SK Hynix 却录得高达 40.7% 的大幅增长。

香港电讯供应商 one2free 6 日公开宣佈联同 HTC 独家推出 HTC One Mini $0 机价预售 HTC One mini 4G 手机，由今日开始接受优先预订 ; 同时亦推出 one2free PLAYGROUND 最新「多 fun 相机」应用程式 (Funographer) 。

只需选用 $267 「至啱我」服务计划，即可以 $0 机价享用全新 HTC One mini 4G 手机，并获赠手机配件包括 Monster 入耳式耳机、皮製保护套及 Amuse 5600mAH 外置充电器（总值超过 $900 ）。另外， Oh! Club 会员更可享额外 6 个月手机保养服务。同时， oone2free 亦提供 $667 「齐齐分」服务计划 , 即可以 $0 机价购买 2 部 HTC One mini 手机，与挚爱亲朋分享 4 张 SIM 卡及 25GB 本地流动数据。

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近期不少厂商为 NAND Flash 市场积极创新，据外电报导指出，由来美国的 Crossbar 5 日在其官方网站宣佈，自主研发一款提供大容量、高性能和非易失性存储的 Resistive RAM 电阻式记忆体，可在 200mm 面积的晶片下提供最多 1TB 储存容量，而且写入效能、可靠性和耐用性也比较现时 NAND Flash 得到倍数增长。

据报导指出， Crossbar 研发的 Resistive RAM 电阻式记忆体採用三层式结构，相容主流的 CMOS 製造工艺，透过 3D 堆疊进一步扩大容量，每一个存储单元会放置在横竖交错的互连层内，形成顶部金属电极、中层切换媒介以及底部电极的结构。

透过 3D 堆疊， Resistive RAM 电阻式记忆体能够提供比现时一般 NAND Flash 快闪记忆体快 20 倍的写入性能，也可在 125 ℃环境下使用长达 10 年的寿命，而且功耗也较 NAND Flash 低，同时 Resistive RAM 电阻式记忆体拥有面积更细少的优势。