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【容量再爆升!!】新型九磁碟平台硬碟设计 WD 明年上半年量产 20TB 容量 HDD
文章索引: Western Digital
为了满足数据中心客户对 TCO 的要求,Western Digital 宣布其正在加速九磁碟平台硬碟的研发进程,并藉助其能量辅助记录技术以更高的可用容量来保持其面密度的领导地位。Western Digital 将在 2019 年底之前提供 18TB Ultrastar DC HC550 CMR HDD 及 20TB Ultrastar DC HC650 SMR HDD 的测试样品,并预计将于 2020 年上半年投入大规模生产。

继 2019 年 6 月技术预览之后,20TB SMR 硬碟紧随其后推向市场,这支撑了日益扩大的生态系统,并推动了 SMR 技术在行业的持续普及。Western Digital 预计,到 2023 年,该公司向市场提供的硬碟储存容量中将有 50% 会採用 SMR 技术。

Western Digital 将提供独特而全面的大容量企业级硬碟系列产品,并针对每个关键容量点进行成本优化配置:六磁碟 10TB Ultrastar DC HC330 是基于空气设计的硬碟;八磁碟 14TB Ultrastar DC HC530是基于氦气设计的硬碟;以及九磁碟 18TB Ultrastar DC HC550 和九磁碟 20TB Ultrastar DC HC650 都是基于氦气设计的硬碟。
【再遭封杀!!】暂停供应手机用 NAND Flash WD 与华为中断合作伙伴关係
文章索引: Western Digital
由于危害国家安全美国颁报禁令封杀华为,多家美国厂商纷纷停止与华为合作,较早前《日本经济新闻》报导,美国半导体大厂 Western Digital 正式与华为中断合作关係,WD 将停止向华为智能手机提供 NAND Flash 零部件,在失去 WD 提供的 NAND Flash,将可能使华为更难以製造其智能手机。

WD 是 NAND Flash 及硬碟研发领域的全球巨头,WD 首席执行长 Steve Milligan 在 6 月 11 日接受东京《日本经济新闻》採访时表示,WD 将中断与中国通讯设备巨头华为的战略合作关係。 Steve Milligan表示“正在重新评估与华为之间的关係”,将接受美国对华为公司宣佈的禁令。就华为问题造成的影响将达到何种程度,Steve Milligan 说正与美国政府相关人士进行资讯沟通。

Steve Milligan指出,WD一直为华为供货,在过往双方构立了良好的合作关係。于今年 4 月,WD 还宣佈与华为在战略合作领域达成一致。 对于中美贸易战升温对供应链带来的影响,Steve Milligan说:“技术在世界之中相互关联,希望中美两国政府能探寻出建设性的解决方案。”
极速 !! 3,470MB/s、560K IOPS WD Black SN750 NVMe SSD
文章索引: Western Digital
相隔一年,Western Digital 推出全新旗舰级 WD Black SN750 NVMe SSD,相较上代 SN700 版本在读写性能及 IOPS 方面有明显跃进,採用自家 8 通道主控制器、配搭 SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND Flash,最高速度可达 3,470MB/s Read、3,000MB/s Write,4K 随机读取高达 560,000 IOPS,最可高达 600TBW、175 万小时 MTTF,备有 250GB、500GB、1TB 及最高 2TB 可供选择,厂方提供 5 年保固服务。

此次收到厂方送测为 1TB 容量版本、型号为「WDS100T3X0C」採用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 3.0 x 4 传输介面,支援 NVMe 1.3 传输规格,用上单面设计将元件紧凑地放置 PCB 正面,能够更有效配合主机板的 M.2 散热器,令 SSD 整体运作温度更低及更稳定,更通过 WD F.I.T. Lab 认证,能兼容大多数高效能的 PC 系统。

SanDisk 20-82-007011 控制器
【平过 DRAM!!但比 3D NAND 速度更快】 WD 开发 Low-Latency Flash 低延迟储存技术
文章索引: Western Digital
在较早前举行的 Storage Field Day 18 中,Western Digital 宣佈正开发一种名为「Low-Latency Flash」的全新低延迟驱动器,「Low-Latency Flash」的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之间,比普通 3D NAND 拥有更快的速度,而价钱则比 DRAM 更便宜,与 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 储存器相类似。

在 2015 年,2D 技术瓶颈越发凸显,Flash 原厂纷纷向 3D 技术转移,旨在降低每 GB 的成本,经过 32 层和 48 层 3D NAND 的发展,当前主流的 64 层 3D NAND 已较 2D NAND 成本低,使得 NAND Flash 价格从 2017 下半年开始下滑,下一代 96 层 3D NAND 成本将更低。

Western Digital 储存产品解决方案副总裁 Luca Fasoli 表示:“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技术主打低延迟、高性能和长寿命,实际上可以创造出非常快速的定制设备,延迟处于微秒 (μs) 级范围内。”
最大 1TB 容量、高达 160MB/s 读取速度 WD 发佈全球最快 microSD 卡
文章索引: Western Digital
在今年的 MWC 2019 大会上,除了 5G 通讯及摺疊屏幕手机成为热门话题之外,亦都有不少行动装置的週边配备新品发佈,其中 Western Digital 最新发表了全球最快的 microSD 卡「SanDisk Extreme UHS-I microSDXC」,提供高达 160MB/s Read、90MB/s Write 的读写速度,更拥有 512GB 及1TB 的储存容量,能够为智能手机、航拍机、动态摄录机等提供更大的容量去拍摄高质量的照片及影片。

Western Digital 全新「SanDisk Extreme UHS-I microSDXC」旨在满足用家持续对高质量内容的需求,受惠于多镜头、连拍模式及 4K 解像度等功能,让智能手机及相机可以拍摄更高质量的照片及影片,Western Digital 通过新的行业领先解决方案,实现更大、更佳的储存使用体验,为用家带来性能和容量的最佳组合。

「SanDisk Extreme UHS-I microSDXC」备有 512GB 及1TB 储存容量,利用 Western Digital 专有的 NAND Flash 技术,让「SanDisk Extreme UHS-I microSDXC」达到了创纪录的读写速度,可提供度高达 160MB/s Read、90MB/s Write 的传输。
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