美国记忆体模组厂商 Patriot Memory 最新宣布，推出低延迟高效能 DDR3 1866MHz 记忆体模组，在 1.9V 及 8-8-8-20 的时序之下，为超频及游戏级玩家提供发挥系统终极潜能的优质选择。

成立于 1985 年， Patriot Memory 早期以工业务为主，直至 2004 年，採用自家品牌 Patriot Memory 推出市面，以其多年工业经验及技术，确保其产品具有一定质素，为市场提供更佳的选择。

在 1.9V 及 8-8-8-20 的时序之下， Patriot Memory DDR3 1866 低延迟记忆体模组能够完全发挥超频玩家电脑系统的性能，透过 Patriot 独家 Bladed 散热片技术，可有效提升散热效率，并降低模组温度高达 7% 。